INFINEON BPX90F

BPX 90
BPX 90 F
BPX 90
BPX 90 F
feof6014
feo06014
Silizium-Fotodiode
Silicon Photodiode
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm (BPX 90)
und bei 950 nm (BPX 90 F)
● Hohe Fotoempfindlichkeit
● DIL-Plastikbauform mit hoher
Packungsdichte
Features
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (BPX 90) and of 950 nm
(BPX 90 F)
● High photosensitivity
● DIL plastic package with high packing
density
Anwendungen
Applications
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPX 90
Q62702-P47
BPX 90 F
Q62702-P928
Semiconductor Group
1
01.97
BPX 90
BPX 90 F
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top; Tstg
– 40 ... + 80
°C
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
TS
230
°C
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
32
V
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
Ptot
100
mW
Kennwerte TA = 25 °C
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
BPX 90
BPX 90 F
S
45 (≥ 32)
–
nA/Ix
S
–
26 (≥ 16)
µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λS max
830
950
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ
400 ... 1150 800 ... 1150 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
5.5
5.5
mm2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L×B
1.75 × 3.15
1.75 × 3.15
mm × mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
H
0.5
0.5
mm
Semiconductor Group
2
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
VR = 5 V, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K,
VR = 5 V, λ = 950 nm, Ee = 1 mW/cm2
L×W
BPX 90
BPX 90 F
Kennwerte TA = 25 °C
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
BPX 90
BPX 90 F
Einheit
Unit
Halbwinkel
Half angle
ϕ
± 60
± 60
Grad
deg.
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current
IR
5 (≤ 180)
5 (≤ 180)
nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 950 nm
Spectral sensitivity
Sλ
0.48
0.48
A/W
Quantenausbeute, λ = 950 nm
Quantum yield
η
0.62
0.62
Electrons
Photon
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm
VO
450 (≥ 380)
–
mV
VO
–
400 (≥ 340)
mV
Kurzschlußstrom
Short-circuit current
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm
ISC
45
–
µA
ISC
–
13
µA
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 1 kΩ; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 30 µA
t r, t f
1.3
1.3
µs
Durchlaßspannung, IF = 80 mA, E = 0
Forward voltage
VF
1.3
1.3
V
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
C0
430
430
pF
Semiconductor Group
3
BPX 90
BPX 90 F
Kennwerte TA = 25 °C
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
BPX 90
BPX 90 F
TCV
– 2.6
– 2.6
mV/K
TCI
TCI
0.18
–
–
0.2
%/K
%/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR = 10 V, λ = 950 nm
NEP
8 × 10– 14
8 × 10– 14
W
√Hz
Nachweisgrenze, VR = 10 V, λ = 950 nm
Detection limit
D*
2.9 × 1012
2.9 × 1012
cm · √Hz
W
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
Normlicht/standard light A
λ = 950 nm
Directional characteristics Srel = f (ϕ)
Semiconductor Group
4
BPX 90
BPX 90 F
Relative spectral sensitivity BPX 90
Srel = f (λ)
Relative spectral sensitivity BPX 90 F
Srel = f (λ)
Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V
Open-circuit volt. BPX 90 VO = f (Ev)
Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V
Open-circuit-volt. BPX 90 F VO= f (Ee)
Total power dissipation
Ptot = f (TA)
Dark current
IR = f (VR), E = 0
Capacitance
C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0
Dark current
IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0
Semiconductor Group
5