3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 3.7 3.3 0.9 0.7 1.1 0.5 3.4 3.0 2.4 0.1 (typ) SFH 421 SFH 426 fpl06724 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package 0.8 0.6 Cathode/Collector marking 0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode/Collector Approx. weight 0.03 g SFH 421 TOPLED GPL06724 0.7 2.8 2.4 4.2 3.8 (2.4) Cathode/ Collector 2.54 spacing 1.1 0.9 Anode/ Emitter (2.85) GPL06880 SFH 426 SIDELED 4.2 3.8 fpl06867 (R1) 3.8 3.4 (2.9) Collector/Cathode marking Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad ● Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen ● Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb möglich ● Hohe Zuverlässigkeit ● Hohe Impulsbelastbarkeit ● Oberflächenmontage geeignet ● Gegurtet lieferbar ● SFH 421 Gehäusegleich mit SFH 320/420 SFH 426 Gehäusegleich mit SFH 325/425 ● SFH 426: Nur für IR-Reflow-Lötung geeignet. Bei Schwallötung wenden Sie sich bitte an uns. Semiconductor Group 1 Features ● Very highly efficient GaAIAs-LED ● Good Linearity (Ie = f [IF]) at high currents ● DC (with modulation) or pulsed operations are possible ● High reliability ● High pulse handling capability ● Suitable for surface mounting (SMT) ● Available on tape and reel ● SFH 421 same package as SFH 320/420 SFH 426 same package as SFH 325/425 ● SFH 426: Suitable only for IR-reflow soldering. In case of dip soldering, please contact us first. 1997-11-01 SFH 421 SFH 426 Applications ● Miniature photointerrupters ● Industrial electronics ● For drive and control circuits Anwendungen ● Miniaturlichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenlaser ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Typ Type SFH 421 SFH 426 Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package Q62702-P1055 Q62703-P0331 Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke cathode marking: bevelled edge TOPLED SIDELED Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 100 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlaβstrom Forward current IF 100 mA Stoβstrom, τ = 10 µs, D = 0 Surge current IFSM 2.5 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 180 mW 450 K/W ≈ 200 K/W RthJA Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm2 Thermal resistance junction - ambient mounted on PC-board (FR4), padsize 16 mm2 each Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei RthJS Montage auf Metall-Block Thermal resistance junction - soldering point, mounted on metal block Semiconductor Group 2 1997-11-01 SFH 421 SFH 426 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms λpeak 880 nm Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax Spectral bandwidth at 50% of Imax IF = 100 mA ∆λ 80 nm Abstrahlwinkel Half angle ϕ ± 60 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.16 mm2 Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area L×B L ×W 0.4 × 0.4 mm Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω tr, tf 0.5 µs Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Co 25 pF VF VF 1.5 (≤ 1.8) 3.0 (≤ 3.8) V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V IR 0.01 (≤ 1) µA Gesamtstrahlungsfluβ Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Φe 23 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, TCI – 0.5 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV –2 mV/K Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA TCλ + 0.25 nm/K Semiconductor Group 3 Durchlaβspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA 1997-11-01 SFH 421 SFH 426 Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping at radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Symbol Werte Values Einheit Unit Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie >4 mW/sr Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs Ie typ. 48 mW/sr Relative spectral emission Irel = f (λ) Radiant intensity Max. permissible forward current IF = f (TA) Single pulse, tp = 20 µs OHR00877 100 OHR00878 10 2 OHR00883 120 Ιe Ι e (100mA) % Ι rel Ie = f (IF) Ie 100 mA Ι F mA 80 10 1 60 10 0 100 80 R thjA = 450 K/W 60 10 40 -1 40 10 -2 20 10 -3 0 750 800 850 900 950 nm 1000 λ Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs 10 0 10 1 10 2 0 10 3 mA 10 4 ΙF 0 20 40 60 80 100 ˚C 120 TA Radiation characteristics Srel = f (ϕ) 40˚ OHR00881 10 1 ΙF 20 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ ϕ A 50˚ 10 0 OHL01660 1.0 0.8 0.6 60˚ 10 -1 0.4 70˚ 0.2 80˚ 10 -2 0 90˚ 10 -3 100˚ 0 1 2 3 4 5 6 Semiconductor Group V VF 8 1.0 0.8 0.6 4 0.4 0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ 1997-11-01 SFH 421 SFH 426 Löthinweise Soldering conditions Bauform Types Tauch-, Schwall- und Schlepplötung Dip, wave and drag soldering Reflowlötung Reflow soldering Lötbadtemperatur Maximal zulässige Lötzeit Abstand Lötstelle – Gehäuse Lötzonentemperatur Maximale Durchlaufzeit Temperature of the soldering bath Max. perm. soldering time Distance between solder joint and case Temperature of soldering zone Max. transit time TOPLED 260 °C 8s – 245 °C 10 s SIDELED – – – ≥ 225 °C 10 s Zusätzliche Informationen über allgemeine Lötbedingungen finden Sie im Datenbuch S. 103ff. For additional information on generel soldering conditions please refer to our Data Book on page 169ff. Permissible pulse handling capability IF = f (tp) duty cycle D = Parameter, TA = 25 °C OHR00886 10 4 mA ΙF D = 0.005 0.01 0.02 0.05 10 3 0.1 0.2 0.5 10 2 DC D= tp T tp ΙF T 10 1 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 Semiconductor Group 10 1 s 10 2 tp 5 1997-11-01