INFINEON FS35R12W1T4

Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS35R12W1T4
EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC
EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
Vorläufige Daten / preliminary data
V†Š» = 1200V
I† ÒÓÑ = 35A / I†ç¢ = 70A
Typische Anwendungen
• Klimaanlagen
• Motorantriebe
• Servoumrichter
• USV-Systeme
Typical Applications
• Airconditions
• Motor Drives
• Servo Drives
• UPS Systems
Elektrische Eigenschaften
• Niedrige Schaltverluste
• Trench IGBT 4
• V†ŠÙÈÚ mit positivem Temperaturkoeffizienten
• niedriges V†ŠÙÈÚ
Electrical Features
• Low Switching Losses
• Trench IGBT 4
• V†ŠÙÈÚ with positive Temperature Coefficient
• Low V†ŠÙÈÚ
Mechanische Eigenschaften
• AlèOé Substrat für kleinen thermischen
Widerstand
• Kompaktes Design
• Lötverbindungs Technologie
• Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
Mechanical Features
• AlèOé Substrate for Low Thermal Resistance
• Compact Design
• Solder Contact Technology
• Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
Module Label Code
Content of the Code
Barcode Code 128
Module Serial Number
Module Material Number
Production Order Number
Datecode (Production Year)
Datecode (Production Week)
DMX - Code
prepared by: DK
date of publication: 2009-10-30
material no: 29267
approved by: MB
revision: 2.1
UL approved (E83335)
1
Digit
1- 5
6 - 11
12 - 19
20 - 21
22 - 23
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS35R12W1T4
Vorläufige Daten
preliminary data
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 100°C, TÝÎ = 175°C
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
I† ÒÓÑ
I†
35
65
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
70
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
PÚÓÚ
225
W
V•Š»
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Charakteristische Werte / characteristic values
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
min.
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
I† = 35 A, V•Š = 15 V
I† = 35 A, V•Š = 15 V
I† = 35 A, V•Š = 15 V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 1,20 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
Gateladung
gate charge
V•Š = -15 V ... +15 V
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
V†Š ÙÈÚ
V•ŠÚÌ
5,0
typ.
1,85
2,15
2,25
max.
2,25
5,8
6,5
V
V
V
V
Q•
0,27
µC
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
0,0
Â
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
CÍþÙ
2,00
nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
CØþÙ
0,07
nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
I†Š»
1,0
mA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
I•Š»
400
nA
0,025
0,025
0,025
µs
µs
µs
0,028
0,031
0,032
µs
µs
µs
0,24
0,30
0,315
µs
µs
µs
0,115
0,185
0,205
µs
µs
µs
EÓÒ
2,55
3,60
3,90
mJ
mJ
mJ
I† = 35 A, V†Š = 600 V, L» = 60 nH
TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
R•ÓËË = 12 Â
TÝÎ = 150°C
EÓËË
2,05
3,05
3,35
mJ
mJ
mJ
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 800 V
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
IȠ
130
A
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro IGBT / per IGBT
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro IGBT / per IGBT
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) /
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date of publication: 2009-10-30
approved by: MB
revision: 2.1
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 35 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 12 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 35 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 12 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 35 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 12 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 35 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 12 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 35 A, V†Š = 600 V, L» = 60 nH
V•Š = ±15 V, di/dt = 1850 A/µs (TÝÎ=150°C)
R•ÓÒ = 12 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
2
tÁ ÓÒ
tØ
tÁ ÓËË
tË
RÚÌœ†
0,60
0,66 K/W
RÚ̆™
0,75
K/W
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS35R12W1T4
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
t« = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t - value
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C
Vçç¢
1200
V
IŒ
35
A
IŒç¢
70
A
I²t
250
220
A²s
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min.
typ.
1,65
1,65
1,65
max.
2,15
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 35 A, V•Š = 0 V
IŒ = 35 A, V•Š = 0 V
IŒ = 35 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
VŒ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 35 A, - diŒ/dt = 1850 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Iç¢
60,0
66,0
70,0
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 35 A, - diŒ/dt = 1850 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
QØ
3,50
5,60
6,40
µC
µC
µC
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 35 A, - diŒ/dt = 1850 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
EØþÊ
1,35
2,30
2,60
mJ
mJ
mJ
V
V
V
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode
RÚÌœ†
0,80
0,90 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
0,82
K/W
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Charakteristische Werte / characteristic values
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
rated resistance
T† = 25°C
Abweichung von Ræåå
deviation of Ræåå
T† = 100°C, Ræåå = 493 Â
Verlustleistung
power dissipation
T† = 25°C
B-Wert
B-value
Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Bèëõëå
3375
K
B-Wert
B-value
Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Bèëõîå
3411
K
B-Wert
B-value
Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Bèëõæåå
3433
K
Rèë
ÆR/R
5,00
-5
Pèë
Angaben gemäß gültiger Application Note.
Specification according to the valid application note.
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date of publication: 2009-10-30
approved by: MB
revision: 2.1
3
kÂ
5
%
20,0
mW
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS35R12W1T4
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Vorläufige Daten
preliminary data
Vš»¥¡
2,5
Material für innere Isolation
material for internal insulation
kV
AlèOé
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
11,5
6,3
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
10,0
5,0
mm
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 200
min.
Modulinduktivität
stray inductance module
25
nH
4,50
mÂ
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper
TÝÎ ÑÈà
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper
TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
Gewicht
weight
G
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 30A rms per connector pin.
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date of publication: 2009-10-30
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revision: 2.1
4
max.
LÙ†Š
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
Lagertemperatur
storage temperature
typ.
175
°C
-40
150
°C
-40
125
°C
24
g
Technische Information / technical information
FS35R12W1T4
IGBT-Module
IGBT-modules
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
V•Š = 15 V
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 150°C
70
70
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
56
56
49
49
42
42
35
28
21
21
14
14
7
7
0,5
1,0
1,5
2,0
V†Š [V]
2,5
3,0
3,5
0
4,0
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
V†Š = 20 V
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 12 Â, R•ÓËË = 12 Â, V†Š = 600 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
63
56
49
E [mJ]
42
35
28
21
14
7
0
5
6
7
8
9
V•Š [V]
10
11
12
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V]
70
I† [A]
35
28
0,0
V•Š = 19V
V•Š = 17V
V•Š = 15V
V•Š = 13V
V•Š = 11V
V•Š = 9V
63
I† [A]
I† [A]
63
0
Vorläufige Daten
preliminary data
13
prepared by: DK
date of publication: 2009-10-30
approved by: MB
revision: 2.1
5
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
0
7
14 21 28 35 42 49 56 63 70
I† [A]
Technische Information / technical information
FS35R12W1T4
IGBT-Module
IGBT-modules
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
V•Š = ±15 V, I† = 35 A, V†Š = 600 V
Vorläufige Daten
preliminary data
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ™ = f (t)
16
10
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
14
ZÚÌœ™ : IGBT
12
ZÚÌœ™ [K/W]
E [mJ]
10
8
6
1
4
4
3
2
1
i:
rÍ[K/W]: 0,065 0,152 0,529 0,604
0,0005 0,005 0,05 0,2
2
0
τ Í[s]:
0,1
0,001
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130
R• [Â]
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 12 Â, TÝÎ = 150°C
t [s]
1
10
70
I†, Modul
I†, Chip
70
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
63
56
60
49
50
42
IΠ[A]
I† [A]
0,1
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
80
40
35
28
30
21
20
14
10
0
0,01
7
0
200
400
600
800
V†Š [V]
0
1000 1200 1400
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date of publication: 2009-10-30
approved by: MB
revision: 2.1
6
0,0
0,4
0,8
1,2
1,6
VΠ[V]
2,0
2,4
2,8
Technische Information / technical information
FS35R12W1T4
IGBT-Module
IGBT-modules
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
R•ÓÒ = 12 Â, V†Š = 600 V
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
IŒ = 35 A, V†Š = 600 V
5,0
3,5
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
4,5
2,5
3,5
E [mJ]
3,0
E [mJ]
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
3,0
4,0
2,5
2,0
1,5
2,0
1,5
1,0
1,0
0,5
0,5
0,0
Vorläufige Daten
preliminary data
0
7
0,0
14 21 28 35 42 49 56 63 70
IΠ[A]
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130
R• [Â]
NTC-Temperaturkennlinie (typisch)
NTC-temperature characteristic (typical)
R = f (T)
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ™ = f (t)
10
100000
ZÚÌœ™ : Diode
RÚáÔ
R[Â]
ZÚÌœ™ [K/W]
10000
1
1000
4
3
2
1
i:
rÍ[K/W]: 0,108 0,247 0,665 0,599
0,0005 0,005 0,05 0,2
τ Í[s]:
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
100
10
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date of publication: 2009-10-30
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revision: 2.1
7
0
20
40
60
80
T† [°C]
100
120
140
160
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS35R12W1T4
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
ϑ
Gehäuseabmessungen / package outlines
Infineon
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revision: 2.1
8
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
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Nutzungsbedingungen
Vorläufige Daten
preliminary data
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die
Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten
Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.
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lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
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9