EUPEC FZ1200R12KE3

Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ1200R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Tvj= 25°C
VCES
1200
V
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Tc= 80°C
Tc= 25°C
IC, nom
IC
1200
1700
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tp= 1ms, Tc= 80°C
ICRM
2400
A
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25°C; Transistor
Ptot
5,6
kW
VGES
+/- 20
V
IF
1200
A
IFRM
2400
A
I²t
300
k A²s
VISOL
2,5
kV
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
tp= 1ms
Grenzlastintegral
I²t value
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter satration voltage
IC= 1200A, VGE= 15V, Tvj= 25°C,
IC= 1200A, VGE= 15V, Tvj= 125°C,
min.
typ.
max.
-
1,7
2,15
V
-
2
t.b.d.
V
VGE(th)
5
5,8
6,5
V
VCEsat
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC= 48mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C,
Gateladung
gate charge
VGE= -15V...+15V; VCE=...V
QG
-
11,5
-
µC
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Cies
-
86
-
nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Cres
-
4
-
nF
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C,
ICES
-
-
5
mA
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
IGES
-
-
400
nA
prepared by: MOD-D2; Mark Münzer
date of publication: 2002-07-29
approved: SM TM; Christoph Lübke
revision: 2.0
1 (8)
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ1200R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
min.
typ.
max.
-
0,54
-
µs
-
0,64
-
µs
-
0,22
-
µs
-
0,23
-
µs
-
0,82
-
µs
-
0,96
-
µs
-
0,15
-
µs
-
0,18
-
µs
Eon
-
245
-
mJ
Eoff
-
190
-
mJ
ISC
-
4800
-
A
LsCE
-
12
-
nH
RCC´/EE´
-
0,19
-
mW
-
2,0
2,5
V
-
1,8
-
V
-
390
-
A
-
620
-
A
-
55
-
µC
-
150
-
µC
-
13
-
mJ
-
35
-
mJ
IC= 1200A, VCC= 600V
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
VGE=±15V, RGon=1,8W, T vj=25°C
td,on
VGE=±15V, RGon=1,8W, T vj= 125°C
IC= 1200A, VCC= 600V
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
VGE=±15V, RGon=1,8W, T vj=25°C
tr
VGE=±15V, RGon=1,8W, T vj= 125°C
IC= 1200A, VCC= 600V
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
VGE=±15V, RGoff =0,62W, T vj=25°C
td,off
VGE=±15V, RGoff =0,62W,T vj= 125°C
IC= 1200A, VCC= 600V
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
VGE=±15V, RGoff =0,62W, T vj=25°C
tf
VGE=±15V, RGoff =0,62W,T vj= 125°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse
Kurzschlussverhalten
SC data
IC= 1200A, VCC= 600V, Ls= 60nH
VGE=±15V, RGon=1,8W, T vj= 125°C
IC= 1200A, VCC= 600V, Ls= 60nH
VGE=±15V, RGoff =0,62W, T vj= 125°C
tP £ 10µs, VGE £ 15V, TVj £ 125°C
VCC= 900V, VCEmax= VCES - LsCE · çdi/dtç
Modulindiktivität
stray inductance module
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
Tc= 25°C
Charakteristische Werte / characteristic values
Diode Wechselrichter / diode inverter
Durchlassspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 25°C
IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 125°C
VF
IF=IC,nom, -diF/dt= 4800A/µs
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
IRM
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
Sperrverzögerungsladung
recoverred charge
IF=IC,nom, -diF/dt= 4800A/µs
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
Qr
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IF=IC,nom, -diF/dt= 4800A/µs
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
2 (8)
Erec
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IGBT-Module
IGBT-Modules
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vorläufige Daten
preliminary data
Thermische Eigenschaften / thermal properties
min.
typ.
Innerer Wärmewiderstand
pro Transistor /per transistor, DC
RthJC
-
-
0,022
max.
K/W
thermal resistance, junction to case
pro Diode/per Diode, DC
RthJC
-
-
0,040
K/W
Übergangs Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
lPaste/lgrease =1W/m*K
RthCK
-
0,006
-
K/W
Höchstzulässige Sperrschichttemp.
maximum junction temperature
Tvj max
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
Tvj op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Al2O3
Kriechstrecke
creepage distance
32
mm
Luftstrecke
clearance
20
mm
CTI
comperative tracking index
>400
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
mounting torque
Schraube /screw M5
M
4,25
-
5,75
Nm
Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Anschlüsse / terminal M4
M
1,7
-
2,3
Nm
Anschlüsse / terminal M8
M
8
-
10
Nm
Gewicht
weight
G
1500
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid
with the belonging technical notes.
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ1200R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie (typisch)
output characteristic (typical)
IC= f(VCE)
VGE= 15V
2400
2100
Tvj = 25°C
1800
Tvj = 125°C
IC [A]
1500
1200
900
600
300
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld (typisch)
output characteristic (typical)
IC= f(VCE)
Tvj= 125°C
2400
2100
Vge=19V
Vge=17V
1800
Vge=15V
Vge=13V
IC [A]
1500
Vge=11V
Vge=9V
1200
900
600
300
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
4 (8)
2,5
VCE [V]
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ1200R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data
IC= f(VGE)
VCE= 20V
Übertragungscharakteristik (typisch)
transfer characteristic (typical)
2400
2100
1800
Tvj=25°C
Tvj=125°C
IC [A]
1500
1200
900
600
300
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
13
IF= f(VF)
Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)
forward caracteristic of inverse diode (typical)
2400
2100
1800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
IF [A]
1500
1200
900
600
300
0
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
5 (8)
1,2 1,4
VF [V]
1,6
1,8
2,0
2,2
2,4
2,6
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
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vorläufige Daten
preliminary data
Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
VGE=±15V, Rgon=1,8W, Rgoff=0,62W, VCE=600V, Tvj=125°C
800
700
Eon
Eoff
600
Erec
E [mJ]
500
400
300
200
100
0
0
300
600
900
1200
IC [A]
1500
1800
2100
2400
Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
VGE=±15V, IC=1200A, VCE=600V, Tvj=125°C
800
700
Eon
Eoff
600
Erec
E [mJ]
500
400
300
,
200
100
0
0
2
4
6
8
6 (8)
10
RG [W]
12
14
16
18
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
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vorläufige Daten
preliminary data
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
ZthJC = f (t)
ZthJC [K/W]
0,1
0,01
Zth : IGBT
Zth : Diode
0,001
0,001
0,01
i
ri [K/kW] : IGBT
ti [s] : IGBT
ri [K/kW] : Diode
ti [s] : Diode
0,1
t [s]
1
2,63
6,897E-01
11,48
4,452E-01
1
3
8,49
2,997E-02
13,23
2,647E-02
2
8,62
5,634E-02
12,60
7,451E-02
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
10
4
2,26
3,820E-03
2,69
2,850E-03
VGE=±15V, T vj=125°C
3000
IC,Chip
2700
2400
IC [A]
2100
IC,Chip
1800
1500
1200
900
600
300
0
0
200
400
600
800
VCE [V]
7 (8)
1000
1200
1400
DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
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vorläufige Daten
preliminary data
Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
61.5
± 0.3
18 ± 0.2
29.5
130
114
± 0.5
C
(K)
C
(K)
E
(A)
E
(A)
± 0.5
DD...
± 0.1
C
C
C
28.25
± 0.5
18.25
M8
± 0.5
G
E
C
C
E
E
FD...
14.75
± 0.5
14 ± 0.5
E8 ± 0.3
M
4.0 tief
10.65
2.5 tief 48.8
C
C
E
E
C
G
C
2 + 0.2
28 ± 0.5
E
E
± 0.2
G
10.35
E
± 0.2
ø7
+0.1
external connection
(to be done)
(für M6-Schraube)
FZ...
± 0.2
IH4
8 (8)
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2002-07-29
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