BPY 12 BPY 12 H 1 BPY 12 BPY 12 H 1 feo06697 fso06016 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon-PIN-Photodiode Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm ● Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns) Features ● Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm ● Short switching time (typ. 25 ns) Anwendungen Applications ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” ● Industrial electronics ● For control and drive circuits BPY 12 BPY 12 H 1 Typ Type Bestellnummer Ordering Code BPY 12 Q62702-P9 BPY 12 H 1 Q62702-P1029 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 20 V Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 150 mW Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity S 180 (≥ 100) nA/Ix Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 920 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit λ 400 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 20 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area L×B 4.47 × 4.47 mm S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax L×W Halbwinkel Half angle ϕ ± 60 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 20 V Dark current IR 10 (≤ 100) nA BPY 12 BPY 12 H 1 Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm Spectral sensitivity Sλ 0.60 A/W Quantenausbeute, λ = 850 nm Quantum yield η 0.86 Electrons Photon Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage VO 365 (≥ 310) mV Kurzschlußstrom, Ev = 1000 Ix Short-circuit current ISC 180 µA Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA tr, tf 25 ns Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 V Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 140 pF Temperaturkoeffizient für VO Temperature coefficient of VO TCV – 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient für ISC Temperature coefficient of ISC TCI 0.15 %/K Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 20 V, λ = 850 nm NEP 9.4 × 10–14 W √Hz Nachweisgrenze, VR = 20 V, λ = 850 nm Detection limit D* 4.7 × 1012 cm · √Hz W BPY 12 BPY 12 H 1 Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit-voltage VO = f (Ev) Total power dissipation Ptot = f (TA) Dark current IR = f (VR), E = 0 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 Dark current IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0 Directional characteristics Srel = f (ϕ)