BPY 11 P BPY 11 P fso06032 Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm ● Kathode = Chipunterseite ● Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht überzogen ● Gruppiert lieferbar Features ● Especially suitable for applications from 420 nm to 1060 nm ● Cathode = back contact ● Coated with a humidity-proof protective layer ● Binned by spectral sensitivity Anwendungen ● für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke ● zur Abtastung von Lichtimpulsen ● quantitative Lichtmessung im sichtbaren Licht- und nahen Infrarotbereich Applications ● For control and drive circuits ● Light pulse scanning ● Quantitative light measurements in the visible light and near infrared range Typ Type Bestellnummer Ordering Code BPY 11 P IV Q60215-Y111-S4 BPY 11 P V Q60215-Y111-S5 Semiconductor Group 183 10.95 BPY 11 P Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 1 V Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Fotoempfindlichkeit, VR = 0 V Spectral sensitivity S 60 (≥ 47) nA/Ix Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 420 ... 1060 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 7.6 mm2 Abmessungen der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area L×B 1.95 × 4.45 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 60 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 1 V; E = 0 Dark current IR 1 (≤ 10) µA Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm Spectral sensitivity Sλ 0.55 A/W Quantenausbeute, λ = 850 nm Quantum yield η 0.80 Electrons Photon Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage VO 440 (≥ 260) mV Kurzschluβstrom, Ev = 1000 Ix Short-circuit current ISC 60 (≥ 47) µA Semiconductor Group 184 L×W BPY 11 P Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL= 1 kΩ; VR = 1 V; λ = 850 nm; Ip = 50 µA tr, tf 3 µs Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV – 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC TCI 0.12 %/K Kapazität, VR = 1 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 0.8 nF Fotoempfindlichkeitsgruppen Spectral sensitivity groups Typ Type ISC (Ev = 1000 Ix) BPY 11 P IV 47 ... 63 µA BPY 11 P V ≥ 56 µA Semiconductor Group 185 BPY 11 P Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Open-circuit voltage VO = f (Ev ) Short-circuit current ISC = f (Ev ) Dark current IR = f (TA), VR = 1 V, E = 0 Dark current IR = f (VR), E = 0 Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 186 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0