INFINEON TP61P

TP 61 P
TP 61 P
fso06637
Silizium-Fotoelement
Silicon Photovoltaic Cell
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1120 nm
● Kathode = Chipunterseite
● Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht
überzogen
● Weiter Temperaturbereich
Features
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1120 nm
● Cathode = back contact
● Coated with a humidity-proof protective
layer
● Wide temperature range
Anwendungen
● für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke
● zur Abtastung von Lichtimpulsen
● quantitative Lichtmessung im sichtbaren
Licht- und nahen Infrarotbereich
Applications
● For control and drive circuits
● Light pulse scanning
● Quantitative light measurements in the
visible light and near infrared range
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
TP 61 P
Q62607-S61
Semiconductor Group
204
10.95
TP 61 P
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top; Tstg
– 55 ... + 100
°C
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
1
V
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit, VR = 0 V
Spectral sensitivity
S
1 (≥ 0.7)
µA/Ix
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λS max
900
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ
400 ... 1120
nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
1.3
cm2
Form der bestrahlungsempfindlichen Fläche
Shape of radiant sensitive area
Sechseck
hexagon
Halbwinkel
Half angle
ϕ
± 60
Grad
deg.
Dunkelstrom, VR = 1 V
Dark current
IR
0.1 (≤ 2)
µA
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity
Sλ
0.55
A/W
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield
η
0.80
Electrons
Photon
Leerlaufspannung,
Open-circuit voltage
Ev = 1000 Ix
Ee = 0.5 mW/cm2; λ = 850 nm
VO
VO
450 (≥ 270)
430
mV
mV
Semiconductor Group
205
TP 61 P
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Kurzschluβstrom, Ev = 1000 Ix
Short-circuit current
Ev = 1000 Ix
Ee = 0.5 mW/cm2; λ = 850 nm
ISC
ISC
1 (≥ 0.7)
380
mA
µA
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL= 1 kΩ; VR = 1 V; λ = 850 nm; Ip = 50 µA
tr, tf
18
µs
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV
– 2.6
mV/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
TCI
0.12
%/K
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, Ev = 0 Ix
Capacitance
C0
11
nF
Semiconductor Group
206
TP 61 P
Relative spectral sensitivity
Srel = f (λ)
Open-curcuit voltage VO = f (Ev )
Short-circuit current ISC = f (Ev )
Dark current
IR = f (VR), E = 0
Directional characteristics Srel = f (ϕ)
Semiconductor Group
207
Capacitance
C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0
TP 61 P
Semiconductor Group
208