BPX 79 BPX 79 fso06631 Silizium-Fotoelement mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon Photovoltaic Cell with Enhanced Blue Sensitivity Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm ● Kathode = Chipunterseite ● Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht überzogen ● Weiter Temperaturbereich Features ● Especially suitable for applications from 350 nm to 1100 nm ● Cathode = back contact ● Coated with a humidity-proof protective layer ● Wide temperature range Anwendungen Applications ● für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke ● zur Abtastung von Lichtimpulsen ● quantitative Lichtmessung im sichtbaren ● For control and drive circuits ● Light pulse scanning ● Quantitative light measurements in the Licht- und nahen Infrarotbereich Typ Type Bestellnummer Ordering Code BPX 79 Q62702-P51 Semiconductor Group visible light and near infrared range 179 10.95 BPX 79 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 1 V Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Fotoempfindlichkeit, VR = 0 V Spectral sensitivity S 170 nA/Ix Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 800 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 350 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 20 mm2 Abmessungen der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area L×B 4.47 × 4.47 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 60 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 1 V; E = 0 Dark current IR 0.3 (≤ 50) µA Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 400 nm Spectral sensitivity Sλ 0.19 A/W Quantenausbeute, λ = 400 nm Quantum yield η 0.60 Electrons Photon Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage VO 450 mV Kurzschluβstrom Short-circuit current Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 400 nm ISC 19 (≥ 14) µA Semiconductor Group 180 L×W BPX 79 Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 1 kΩ; VR = 1 V; λ = 850 nm; Ip = 150 µA tr, tf 6 µs Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV – 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC TCI 0.2 %/K Kapazität, VR = 10 V, f = 1 MHz, Ev = 0 Ix Capacitance C0 2500 pF Semiconductor Group 181 BPX 79 Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Open-circuit voltage VO = f (Ev ) Short-circuit current ISC = f (Ev ) Dark current IR = f (TA), VR = 1 V, E = 0 Total power dissipation Ptot = f (TA) Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 182 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0