TP 60 P TP 60 P fso06007 Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1120 nm ● Kathode = Chipunterseite ● Montage durch Schraube/Mutter Features ● Especially suitable for applications from 400 nm to 1120 nm ● Cathode = back contact ● Mounting by bolt/nut Anwendungen ● für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke ● zur Abtastung von Lichtimpulsen ● quantitative Lichtmessung im sichtbaren Licht- und nahen Infrarotbereich Applications ● For control and drive circuits ● Light pulse scanning ● Quantitative light measurements in the visible light and near infrared range Typ Type Bestellnummer Ordering Code TP 60 P Q62607-S60 Semiconductor Group 200 10.95 TP 60 P Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 80 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 1 V Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Fotoempfindlichkeit, VR = 0 V Spectral sensitivity S 1 (≥ 0.7) µA/Ix Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 900 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 400 ... 1120 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 1.3 cm2 Form der bestrahlungsempfindlichen Fläche Shape of radiant sensitive area Sechseck hexagon Halbwinkel Half angle ϕ ± 60 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 1 V; E = 0 Dark current IR 0.1 (≤ 2) µA Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm Spectral sensitivity Sλ 0.55 A/W Quantenausbeute, λ = 850 nm Quantum yield η 0.80 Electrons Photon Leerlaufspannung, Open-circuit voltage Ev = 1000 Ix Ee = 0.5 mW/cm2; λ = 850 nm VO VO 450 (≥ 270) 430 mV Semiconductor Group 201 TP 60 P Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Kurzschluβstrom, Ev = 1000 Ix Short-circuit current Ev = 1000 Ix Ee = 0.5 mW/cm2; λ = 850 nm ISC ISC 1 (≥ 0.7) 380 mA µA Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL= 1 kΩ; VR = 1 V; λ = 850 nm; Ip = 50 µA tr, tf 18 µs Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV – 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC TCI 0.12 %/K Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, Ev = 0 Ix Capacitance C0 11 nF Semiconductor Group 202 TP 60 P Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Open-curcuit voltage VO = f (Ev ) Short-circuit current ISC = f (Ev ) Dark current IR = f (VR), E = 0 Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 203 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0