SANYO MCH6631

注文コード No. N 7 4 4 4
MCH6631
No. N 7 4 4 4
22004
新
MCH6631
特長
N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを
1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。
・オン抵抗特性が優れている。
・2.5V 駆動(N-ch), 1.8V 駆動(P-ch)。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
VDSS
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流（DC）
VGSS
ID
ドレイン電流（パルス）
許容損失
IDP
PD
チャネル温度
保存周囲温度
Tch
Tstg
N-channel
30
P-channel
− 12
± 10
0.35
± 10
− 1.5
V
A
1.4
−6
0.8
A
W
150
− 55 ∼＋ 150
℃
℃
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 1unit
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
min
[N-channel]
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS
ID=1mA, VGS=0
ドレイン・ソースしゃ断電流
ゲート・ソースもれ電流
IDSS
IGSS
VDS=30V, VGS=0
VGS= ± 8V, VDS=0
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
VGS(off)
yfs
VDS=10V, ID=100µA
VDS=10V, ID=80mA
unit
V
typ
max
unit
30
V
0.4
150
10
± 10
µA
µA
1.3
V
mS
220
次ページへ続く。
単体品名表示：WF
電気的接続図
3
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Drain2
4 : Source2
5 : Gate2
6 : Drain1
(Top view)
外形図 2173A
(unit : mm)
0.3
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
5
6
3 2
0.65
1
0.15
1.6
0.25
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を
要する用途（生命維持装置、航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
2.1
4
0.07
2
4
2.0
6
5
4
1
2
3
(Bottom view)
0.85
1
5
0.25
6
(Top view)
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Drain2
4 : Source2
5 : Gate2
6 : Drain1
SANYO : MCPH6
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
22004 TS IM ◎佐藤 TA-3770 No.7444-1/6
MCH6631
前ページより続く。
min
ドレイン・ソース間オン抵抗
typ
max
unit
ID=80mA, VGS=4V
ID=40mA, VGS=2.5V
ID=10mA, VGS=1.5V
VDS=10V, f=1MHz
2.9
3.7
3.7
5.2
Ω
Ω
6.4
7.0
12.8
入力容量
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Ω
pF
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
5.9
2.3
pF
pF
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
指定回路において
〃
19
65
ns
ns
ターンオフ遅延時間
下降時間
td(on)
tr
td(off)
tf
〃
〃
155
120
ns
ns
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
Qg
Qgs
VDS=10V, VGS=10V, ID=150mA
1.58
0.26
nC
nC
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qgd
VSD
IS=150mA, VGS=0
0.31
0.87
1.2
nC
V
ID= − 1mA, VGS=0
VDS= − 12V, VGS=0
VGS= ± 8V, VDS=0
VDS= − 6V, ID= − 1mA
− 10
V
µA
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
± 10
− 1.0
µA
V
順伝達アドミタンス
ドレイン・ソース間オン抵抗
yfs
RDS(on)1
VDS= − 6V, ID= − 0.8A
ID= − 0.8A, VGS= − 4.5V
1.8
220
290
S
mΩ
RDS(on)2
RDS(on)3
ID= − 0.4A, VGS= − 2.5V
ID= − 0.1A, VGS= − 1.8V
320
430
450
650
mΩ
mΩ
RDS(on)4
Ciss
0.75
160
Ω
pF
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
ID= − 50mA, VGS= − 1.5V
VDS= − 6V, f=1MHz
VDS= − 6V, f=1MHz
VDS= − 6V, f=1MHz
1.25
入力容量
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
td(on)
tr
ターンオフ遅延時間
下降時間
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
td(off)
tf
Qg
Qgs
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qgd
VSD
[P-channel]
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
− 12
− 0.3
1.3
45
35
pF
pF
指定回路において
〃
11
45
ns
ns
〃
〃
29
30
ns
ns
2.6
0.25
nC
nC
0.65
− 0.92
nC
V
VDS= − 6V, VGS= − 4.5V, ID= − 1.5A
IS= − 1.5A, VGS=0
− 1.5
スイッチングタイム測定回路図
[N-channel]
[P-channel]
VDD= --6V
VDD=15V
4V
0V
VIN
PW=10µs
D.C.≦1%
ID=80mA
RL=187.5Ω
VIN
VOUT
D
0V
--4.5V
PW=10µs
D.C.≦1%
50Ω
ID= --0.8A
RL=7.5Ω
VIN
VOUT
D
G
G
P.G
VIN
MCH6631
S
P.G
50Ω
MCH6631
S
No.7444-2/6
MCH6631
0.25
0.08
VGS=1.5V
0.06
0.04
75
°C
0.20
0.15
0.10
0.05
0.02
0
0
0.2
0.3
0.5
0.4
0.6
0.7
0.8
0.9
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
[Nch]
Ta=25°C
9
8
7
6
80mA
4
ID=40mA
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
7
6
8
9
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
[Nch]
VGS=2.5V
7
Ta=75°C
5
25°C
--25°C
3
2
1.0
0.01
2
3
5
7
2
0.1
3
ドレイン電流, ID -- A
2.0
2.5
[Nch]
VGS=4V
7
5
Ta=75°C
25°C
3
--25°C
2
1.0
0.01
2
3
5
7
2
0.1
RDS(on) -- ID
100
V
2.5
,V
mA
=
GS
V
40
=4.0
I D=
, VGS
A
m
80
I D=
4
3
2
1
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
周囲温度, Ta -- °C
100
120
140
160
IT00035
5
IT00032
[Nch]
VGS=1.5V
7
5
3
2
10
Ta=75°C
7
5
--25°C
3
25°C
2
1.0
0.001
2
3
5
7
0.01
2
3
yfs -- ID
1.0
5
IT00034
[Nch]
VDS=10V
7
5
3
ドレイン電流, ID -- A
[Nch]
6
3.0
IT00030
RDS(on) -- ID
10
IT00033
RDS(on) -- Ta
7
5
1.5
ドレイン電流, ID -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
10
1.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT00031
RDS(on) -- ID
10
0.5
IT00029
RDS(on) -- VGS
10
0
1.0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
0.1
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
0
5
Ta
=7
5°
C
--25
°C
0.10
25
°C
V
ドレイン電流, ID -- A
3.0
4.0V
0.12
V
2.0
V
3.5V
[Nch]
Ta=
--25
°C
2.
5V
VDS=10V
6.0
ドレイン電流, ID -- A
0.14
ID -- VGS
0.30
°C
[Nch]
25
ID -- VDS
0.16
5
25°C
3
°C
= --25
Ta
2
75°C
0.1
7
5
3
2
0.01
0.01
2
3
5
7
0.1
ドレイン電流, ID -- A
2
3
5
IT00036
No.7444-3/6
MCH6631
IF -- VSD
[Nch]
VGS=0
7
5
=7
5°
25
C
°C
--25
°C
2
Ta
0.1
7
5
3
2
0.01
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
ダイオード順電圧, VSD -- V
td (off)
tf
2
100
7
tr
5
3
td(on)
2
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
3
2
Ciss
7
Coss
5
3
Crss
2
3
5
2
0.1
IT00038
[Nch]
VDS=10V
ID=150mA
8
7
6
5
4
3
2
1
1.0
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
2
IDP=1.4A
3
2
0.6
0.8
1.2
1.4
1.6
IT00040
s
s
DC
100
ms
op
era
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
tio
n
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 1unit
0.01
1.0
2
3
5
7
2
10
3
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
5
IT03292
ID -- VDS
[Pch]
ID -- VGS
--2.0
[Pch]
5V 3.0V .5V
--2
.
-3
VDS= --6V
Ta=
-4
.
5V
--1.5
V
--1.8
--0.9
--1.5V
--0.6
--1.5
--1.0
=75
°C
25° --25
°C
C
ドレイン電流, ID -- A
--1.2
--0.5
Ta
--0.3
VGS= --1.0V
0
0
1.0
総ゲート電荷量, Qg -- nC
10m
ID=0.35A
2
5
0.4
1m
3
7
0.2
100µs
7
0.1
0
[Nch]
1.0
5
20
IT00039
ASO
3
ドレイン電流, ID -- A
7
VGS -- Qg
10
9
10
2
ドレイン電流, ID -- A
[Nch]
5
Ciss, Coss, Crss -- pF
3
f=1MHz
7
ドレイン電流, ID -- A
5
IT00037
Ciss, Coss, Crss -- VDS
100
7
10
0.01
1.2
[Nch]
VDD=15V
VGS=4V
--25°
C
25° 75°C
C
順電流, IF -- A
3
SW Time -- ID
1000
スイッチングタイム, SW Time -- ns
1.0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
--0.5
IT04353
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
--3.0
IT04354
No.7444-4/6
RDS(on) -- VGS
800
[Pch]
Ta=25°C
700
600
--0.8A
500
ID= --0.4A
400
300
200
100
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
700
600
V
= --1.8
A, V GS
1
.
0
-I D=
--2.5V
V S=
0.4A, G
-=
ID
= --4.5V
A, V GS
I D= --0.8
500
400
300
200
100
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
3
160
IT04356
IF -- VSD
5
[Pch]
VGS=0
3
2
2
C
5°
--2
°C
75
5
--1.0
7
5
3
3
2
2
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
--0.8
--1.0
--1.2
ダイオード順電圧, VSD -- V
[Pch]
--1.4
IT04358
Ciss, Coss, Crss -- VDS
5
VDD= --6V
VGS= --4.5V
2
--0.6
IT04357
SW Time -- ID
3
--0.1
--0.4
3
--25°C
=
Ta
7
5°C
25°C
1.0
Ta=7
°C
25
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
[Pch]
ドレイン電流, ID -- A
[Pch]
f=1MHz
3
100
7
tr
5
td(off)
tf
3
2
Ciss, Coss, Crss -- pF
スイッチングタイム, SW Time -- ns
[Pch]
周囲温度, Ta -- °C
VDS= --6V
0.1
--0.01
2
td(on)
10
7
Ciss
100
7
5
5
Coss
3
Crss
2
3
10
2
--0.1
2
3
5
7
2
--1.0
ドレイン電流, ID -- A
3
0
--4
--6
--8
[Pch]
--10
7
5
ASO
ドレイン電流, ID -- A
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
2
0
0.5
1.0
1.5
2.0
総ゲート電荷量, Qg -- nC
2.5
3.0
IT04361
DC
1m
s
ms
10
0m
s
era
tio
n
op
Operation in this
area is limited by RDS(on).
2
--0.1
7
5
2
0
ID= --1.5A
3
3
--0.5
10
--1.0
7
5
--12
IT04360
[Pch]
＜10µs
IDP= --6.0A
3
--3.5
--10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
VDS= --6V
ID= --1.5A
--4.0
--2
IT04359
VGS -- Qg
--4.5
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
800
IT04355
yfs -- ID
5
--8
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
MCH6631
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 1unit
--0.01
--0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
IT04362
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
No.7444-5/6
MCH6631
PD -- Ta
1.0
許容損失, PD -- W
0.8
セ
ラ
0.6
ミ
ッ
ク
基
板
(9
00
m
0.4
m2
×
0.8
[Nch, Pch共通]
m
m
0.2
)装
着
時
1u
ni
t
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT03293
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
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PS No.7444-6/6