注文コード No.N 7 5 5 5 FW343 No. N7555 D1003 新 FW343 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ モータドライブ用 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動の N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複 合タイプである。 ・高密度実装が可能。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 VDSS VGSS ドレイン電流（DC） ドレイン電流（PW ≦ 10s） ID ID ドレイン電流（PW ≦ 100ms） ID ドレイン電流（PW ≦ 10µs） IDP 許容損失 PD 全損失 PT チャネル温度 Tch 保存周囲温度 Tstg N-channel P-channel 30 ± 20 − 30 ± 20 V V duty cycle ≦ 1% 5 5.5 −4 − 4.5 A A duty cycle ≦ 1% duty cycle ≦ 1% 7 20 − 6.5 − 16 A A セラミック基板(2000mm2 × 0.8mm)装着時 1unit, PW ≦ 10s セラミック基板(2000mm2 × 0.8mm)装着時 , PW ≦ 10s unit 1.8 2.2 W W 150 − 55 ∼＋ 150 ℃ ℃ 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ [N-channel] ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS ID=1mA, VGS=0 min 30 ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 IDSS IGSS VDS=30V, VGS=0 VGS= ± 16V, VDS=0 typ max unit V 1 ± 10 µA µA 次ページへ続く。 単体品名表示：W343 外形図 2129 (unit : mm) 1 8 2 3 4 0.3 1 : Source1 2 : Gate1 3 : Source2 4 : Gate2 5 : Drain2 6 : Drain2 7 : Drain1 8 : Drain1 5 1 4 5.0 (Top view) 0.595 1.27 0.43 6.0 5 4.4 6 1.8max 7 1.5 8 0.2 1 : Source1 2 : Gate1 3 : Source2 4 : Gate2 5 : Drain2 6 : Drain2 7 : Drain1 8 : Drain1 0.1 電気的接続図 SANYO : SOP8 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 D1003 TS IM ◎佐藤 TA-100619 No.7555-1/5 FW343 前ページより続く。 min typ 1.2 3.9 5.5 max unit ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス VGS(off) yfs ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on)1 RDS(on)2 VDS=10V, ID=1mA VDS=10V, ID=5A ID=5A, VGS=10V ID=3A, VGS=4V 入力容量 出力容量 Ciss Coss VDS=10V, f=1MHz VDS=10V, f=1MHz 460 95 pF pF 帰還容量 ターンオン遅延時間 VDS=10V, f=1MHz 指定回路において 75 11 pF ns 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 Crss td(on) tr td(off) 〃 〃 20 30 ns ns 下降時間 総ゲート電荷量 tf Qg 〃 20 8.6 ns nC ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 Qgs Qgd VDS=10V, VGS=10V, ID=5A 2.0 1.6 nC nC ダイオード順電圧 VSD IS=5A, VGS=0 0.9 1.2 typ max ID= − 1mA, VGS=0 VDS= − 30V, VGS=0 VGS= ± 16V, VDS=0 unit V ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 V(BR)DSS IDSS IGSS −1 ± 10 µA µA ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス VGS(off) yfs VDS= − 10V, ID= − 1mA VDS= − 10V, ID= − 4A − 2.3 V S ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on)1 RDS(on)2 ID= − 4A, VGS= − 10V ID= − 2A, VGS= − 4V 53 105 入力容量 出力容量 Ciss Coss 510 115 pF pF 帰還容量 ターンオン遅延時間 Crss td(on) VDS= − 10V, f=1MHz VDS= − 10V, f=1MHz VDS= − 10V, f=1MHz 指定回路において 78 11 pF ns 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 tr td(off) 〃 〃 55 35 ns ns 下降時間 総ゲート電荷量 tf Qg 〃 40 11 ns nC ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 Qgs Qgd VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 4A 2.4 1.7 nC nC ダイオード順電圧 VSD IS= − 4A, VGS=0 [P-channel] ドレイン・ソース降伏電圧 スイッチングタイム測定回路図 [N-channel] 37 64 − 1.2 3.5 48 83 mΩ mΩ V 69 147 mΩ mΩ − 1.5 [P-channel] VDD= --15V VIN 10V 0V 0V --10V ID=5A RL=3Ω VIN D ID= --4A RL=3.75Ω VIN D VOUT PW=10µs D.C.≦1% VOUT PW=10µs D.C.≦1% G G FW343 P.G V S 5 − 0.9 VDD=15V VIN min − 30 2.6 50Ω S FW343 P.G 50Ω S No.7555-2/5 V FW343 ID -- VDS ID -- VGS 3.5 V 3.0 V 10 9 8 1 6 5 4 3 2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 RDS(on) -- VGS [Nch] Ta=25°C 150 ID=3A 5A 100 50 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ゲート・ソース電圧, VGS -- V -25 =- Ta °C 25 3 2 [Nch] °C °C 75 0.1 7 5 80 3A, I D= 3.5 4.0 4.5 [Nch] =4V VGS A, I D=5 40 =10V VGS 20 0 --60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 2 3 5 7 2 3 0.1 5 7 1.0 2 3 ドレイン電流, ID -- A SW Time -- ID [Nch] VGS=0 1.0 7 5 3 2 0.1 7 5 3 2 0.001 5 7 0 10 IT04961 0.2 0.4 0.6 0.8 1.2 1.0 ダイオード順電圧, VSD -- V [Nch] Ciss, Coss, Crss -- pF 5 3 tf 2 [Nch] f=1MHz 7 td (off) 1.4 IT04962 Ciss, Coss, Crss -- VDS 1000 VDD=15V VGS=10V 5 140 IT04960 IF -- VSD 0.01 7 5 3 2 5 7 0.01 5.0 IT04958 60 2 3 2 2 3 3.0 10 7 5 3 2 1.0 7 5 0.001 2.5 周囲温度, Ta -- °C 順電流, IF -- A 順伝達アドミタンス, yfs -- S yfs -- ID 2.0 RDS(on) -- Ta 100 IT04959 VDS=10V 0.01 スイッチングタイム, SW Time -- ns 10 1.5 ゲート・ソース電圧, VGS -- V 3 2 7 1.0 75°C 25°C --25°C 0 0.5 IT04957 Ta= ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 200 0 1.0 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 0 100 --25 1 0 25°C VGS=2.0V 7 Ta=7 5°C 2.5V 2 10 7 5 [Nch] VDS=10V °C 3 [Nch] ドレイン電流, ID -- A ドレイン電流, ID -- A 4 4.0V 10.0V 8.0V 6.0V 5 Ciss 3 2 100 Coss 7 Crss 5 3 2 tr 10 0.1 2 3 5 7 1.0 td(on) 2 ドレイン電流, ID -- A 3 5 10 7 10 IT04963 0 5 10 15 20 25 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 30 IT04964 No.7555-3/5 FW343 VGS -- Qg [Nch] 3 2 8 6 4 2 1 2 3 4 10 7 5 ID=5A [Pch] 1.0 7 5 DC 0.1 7 5 Ta=25°C 1パルス セラミック基板(2000mm2×0.8mm)装着時 1unit 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 V --4. 0 2 3 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 5 IT04966 ID -- VGS --5 [Pch] --4 --3 25°C 75°C --2 25° C --3.0V --1 VGS= --2.5V 0 0 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V [Pch] Ta=25°C 250 200 ID= --2A --4A 150 100 50 0 0 --2 --4 --6 --8 --10 --12 --14 ゲート・ソース電圧, VGS -- V --16 °C 順電流, IF -- A 1.0 7 5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 --5.0 IT04968 [Pch] 150 V --4 S= I D= 100 , VG --2A = --10V , V GS 4A I D= -- 50 0 --60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 160 140 IT04970 IF -- VSD [Pch] VGS=0 --1.0 7 5 3 2 --0.1 7 5 3 2 --0.01 7 5 3 2 3 2 0.1 --0.01 --2.5 RDS(on) -- Ta --10 7 5 3 2 5 -25 =°C Ta 75 --2.0 周囲温度, Ta -- °C [Pch] 25 °C --1.5 200 IT04969 yfs -- ID 2 --1.0 ゲート・ソース電圧, VGS -- V VDS= --10V 3 --0.5 IT04967 RDS(on) -- VGS 300 0 --0.9 --1.0 Ta=7 5°C 25°C --25°C --0.1 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 0 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ on V --0.5 順伝達アドミタンス, yfs -- S ati Operation in this area is limited by RDS(on). .5 --3 --1.0 7 op er 3 2 VDS= --10V --1.5 10 10 10 ms 0m s 10 s 3 2 0.01 0.01 9 ＜10µs 10 0µ s 1m s Ta= -- --2.0 8 ID -- VDS --10.0 V --2.5 7 IT04965 --8.0V --6.0 --4.5V V --3.0 6 総ゲート電荷量, Qg -- nC --4.0 --3.5 5 ドレイン電流, ID -- A 0 [Nch] IDP=20A 3 2 0 ドレイン電流, ID -- A ASO 5 VDS=10V ID=5A ドレイン電流, ID -- A ゲート・ソース電圧, VGS -- V 10 --0.001 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 ドレイン電流, ID -- A 2 3 5 7 --10 IT04971 0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 ダイオード順電圧, VSD -- V --1.2 IT04972 No.7555-4/5 FW343 SW Time -- ID [Pch] 2 [Pch] f=1MHz 7 Ciss 5 100 7 td(off) 5 tf 3 3 2 Coss 100 Crss 7 2 5 tr 10 --0.1 2 3 5 7 td(on) 2 --1.0 3 3 5 ドレイン電流, ID -- A VGS -- Qg --10 7 --10 IT04973 [Pch] 3 2 VDS= --10V ID= --4A --8 --6 --4 --2 --10 7 5 0 2 4 6 8 10 12 IT04975 総ゲート電荷量, Qg -- nC PD -- Ta [Nch, Pch共通] 2.5 --5 --10 --15 --20 --25 [Pch] ＜10µs 10 ID= --4A 10 0µ s m 1 s m s s 10 0m --1.0 7 5 10 D C s op er 3 2 --0.1 7 5 --30 IT04974 ASO IDP= --16A 3 2 3 2 0 0 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V ドレイン電流, ID -- A ゲート・ソース電圧, VGS -- V Ciss, Coss, Crss -- VDS 1000 VDD= --15V VGS= --10V Ciss, Coss, Crss -- pF スイッチングタイム, SW Time -- ns 3 at Operation in this area is limited by RDS(on). io n Ta=25°C 1パルス セラミック基板(2000mm2×0.8mm)装着時 1unit --0.01 --0.01 2 3 5 7--0.1 2 3 5 7--1.0 2 3 5 7 --10 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 2 3 2.2 許容損失, PD -- W 2.0 1.8 1.5 全 損 失 1u nit 1.0 0.5 セラミック基板(2000mm2×0.8mm)装着時 PW≦10s 0 0 20 40 60 80 100 周囲温度, Ta -- °C 120 140 5 IT04976 160 IT04977 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.7555-5/5