SBX2030 ... SBX2050 SBX2030 ... SBX2050 2nd Generation Bypass Diodes for Solar Modules – Schottky Barrier Rectifiers 2. Generation Bypass-Dioden für Solarmodule – Schottky-Barrier-Gleichrichter Version 2011-07-11 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Ø 8±0.1 30...50 V Plastic case Kunststoffgehäuse 7.5±0.1 62.5±0.5 20 A Ø 8 x 7.5 [mm] Weight approx. Gewicht ca. 2.0 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert ±0.05 Ø 1.6 Standard packaging taped in ammo pack On request taped on 13” reel Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Auf Anfrage gegurtet auf 13” Rolle Dimensions - Maße [mm] Green Molding Halogen-Free1 Features Vorteile Up to 50V reverse voltage at low VF Lowest value RthL for lowest Tj Best trade-off between VF and IR 2) 1000pcs/13” reel for longer reel change intervals Bis zu 50V Sperrspannung bei niedrigem VF Niedrigster RthL Wert für niedrigstes Tj Optimaler Kompromiss zwischen VF und IR 2) 1000 Stk. / 13” Rolle für längere Bestückungszyklen Maximum ratings and characteristics Type Typ Grenz- und Kennwerte Repetitive / Surge peak reverse voltage Periodische- / Spitzen-Sperrspannung VRRM [V] / VRSM [V] Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] Tj = 125°C Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] Tj = 25°C IF = 5 A IF = 5 A IF = 20 A SBX2030 30 typ. 0.30 < 0.45 < 0.59 SBX2040 40 typ. 0.30 < 0.45 < 0.59 SBX2050 50 typ. 0.32 < 0.47 < 0.61 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 20 A3) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 290/330 A Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 420 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+150°C ≤ 200°C 2) Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+175°C 1 2 3 From 1H/2012 – Ab 1H/2012 For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes” Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes” Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SBX2030 ... SBX2050 Characteristics Kennwerte Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM IR < 500 µA typ. 25 mA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 10 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdrähte RthL < 2.1 K/W 2) 120 102 [%] [A] Tj = 125°C 100 10 Tj = 25°C 80 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 10-2 0 TA 100 50 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) 0 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 103 [mA] Tj = 150°C 102 Tj = 125°C 10 Tj = 75°C 1 IR Tj = 25°C 10 -1 0 VRRM 40 60 80 100 [%] Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung 1 2 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Measured in 3 mm distance from case – use for bypass diodes test Gemessen in 3 mm Abstand vom Gehäuse – für Bypass-Diodentest http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG