1N 4148, 1N 4150, 1N 4151, 1N 4448 Silicon Planar Diodes Silizium-Planar-Dioden Nominal current Nennstrom 150...300 mA Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50…100 V Glass case Glasgehäuse DO-35 SOD-27 Weight approx. Gewicht ca. 0.13 g Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions / Maße in mm see page 16 siehe Seite 16 Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Reverse voltage Sperrspannung VRM [V] Reverse Breakdown Voltage Abbruchspannung VRRM [V] 1) 75 50 50 75 100 50 75 100 1N 4148 1N 4150 1N 4151 1N 4448 1N 4148 1N 4448 1N 4150 1N 4151 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last IFAV 150 mA2) 300 mA2) 200 mA2) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom IFRM 500 mA2) 600 mA2) 500 mA2) 2000 mA 4000 mA 2000 mA Non-repetitive peak fwd. current Stoßstrom Grenzwert tp = 1 :s Tj = 25/C IFSM Max. power dissipation Max. Verlustleistung TA = 25/C Ptot 500 mW 2) Operating junction temp. – Sperrschichttemp. Tj - 50…+ 200/C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS - 50…+ 200/C 1 ) Tested with 100 :A pulses – Gemessen mit 100 :A-Impulsen ) Valid, if leads are kept at TA = 25/C at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 5 mm Abstand von Gehäuse auf TA = 25/C gehalten werden 2 34 01.10.2002 1N 4148, 1N 4150, 1N 4151, 1N 4448 Characteristics, Tj = 25/C Type Typ Kennwerte, Tj = 25/C Forward voltage Durchlaßspannung VF [V] IF [mA] Leakage current Sperrstrom Rev. recovery time 1) Sperrverzugszeit 1) IR [nA] VR [V] trr [ns] 1N 4148 <1 10 < 25 < 5.000 < 50.000 20 75 20 (Tj = 150/C) <4 1N 4150 0.54...0.62 0.66...0.74 0.76...0.86 0.82...0.92 0.87...1.00 1 10 50 100 200 < 100 < 100.000 50 50 (Tj = 150/C) <4 1N 4151 <1 50 < 50 < 50.000 50 50 (Tj = 150/C) <2 1N 4448 0.62...0.72 <1 5 100 < 20 < 5.000 < 50.000 25 75 20 (Tj = 150/C) <4 Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 0.3 K/mW 2) 1 ) IF = 10 mA über / through IR = 10 mA bis / to IR = 1 mA, UR = 6 V, RL = 100 S ) Valid, if leads are kept at TA = 25/C at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 5 mm Abstand von Gehäuse auf TA = 25/C gehalten werden 01.10.2002 2 35