2SK3418 シリコン N チャネル MOS FET 高速度電力スイッチング ADJ-208-1030 (Z) 第1版 2000. 07 特長 • 低オン抵抗 RDS(on) = 4.3mΩ typ. • 低電圧駆動 (4V 駆動) • スイッチング速度が速い。 外観図 TO-220AB D G 1 2 S 3 1. ゲート 2. ドレイン （フランジ） 3. ソース 2SK3418 絶対最大定格 (Ta=25℃) 項目 記号 定格値 単位 ドレイン · ソース電圧 VDSS 60 V ゲート · ソース電圧 VGSS ±20 V ID 85 A 340 A A ドレイン電流 せん頭ドレイン電流 注1 ID (pulse) 逆ドレイン電流 IDR 85 アバランシェ電流 IAP 注 3 60 A アバランシェエネルギー EAR 注 3 308 mJ 許容チャネル損失 Pch 注 2 110 W チャネル温度 Tch 150 ℃ 保存温度 Tstg –55∼+150 ℃ 注） 1. PW≦10µs, duty cycle≦1%での許容値 2. Tc = 25℃における許容値 3. Tch = 25℃における許容値 Rg≧50 Ω 電気的特性 (Ta=25℃) 項目 記号 Min Typ Max 単位 V(BR)DSS 60 ― — V ID = 10mA, VGS = 0 ドレイン遮断電流 IDSS — ― 10 µA VDS = 60V, VGS = 0 ゲート遮断電流 IGSS — ― ±0.1 µA VGS(off) 1.0 ― 2.5 V VDS = 10V, ID = 1mA 注 1 |yfs| 55 90 — S ID = 45A, VDS = 10V 注 1 ドレイン · ソースオン抵抗 RDS(on) — 4.3 5.5 mΩ ID = 45A, VGS= 10V 注 1 ドレイン · ソースオン抵抗 RDS(on) — 6.0 9.0 mΩ ID = 45A, VGS=4V 注 1 入力容量 Ciss — 9770 ― pF VDS = 10V 出力容量 Coss — 1340 ― pF VGS = 0 逆伝達容量 ドレイン · ソース破壊電圧 ゲート · ソース遮断電圧 順伝達アドミタンス 測定条件 VGS = ±20V, VDS = 0 Crss — 470 ― pF f = 1MHz トータルゲートチャージ量 Qg — 180 — nc VDD = 50V ゲート・ソースチャージ量 Qgs — 32 — nc VGS = 10V ゲート・ドレイン（ミラー） チャージ量 Qgd — 36 — nc ID = 85A td(on) — 53 ― ns VGS = 10V tr — 320 — ns ID = 45A td(off) — 700 ― ns RL = 0.67Ω tf — 380 — ns ターン · オン遅延時間 上昇時間 ターン · オフ遅延時間 下降時間 ダイオード順電圧 VDF — 1.0 — V IF = 85A, VGS = 0 逆回復時間 trr — 70 — ns IF = 85A, VGS = 0 diF/dt = 50A/µs 注) 2 1. パルス測定 2SK3418 許容チャネル損失の ケース温度による変化 安全動作領域 1000 I D (A) 80 40 PW µs 1 00 = 1 µs m DC 10 m s s O 30 pe (1 (T rati sho c = on t) 10 25 この範囲の動作は ℃ ) 3 R DS(on) の値によって 制限されます 100 ドレイン電流 120 1 0.3 0 50 100 150 ケース温度 Tc (℃) 0.1 Ta = 25 ℃ 0.1 0.3 1 200 30 10 100 V DS (V) ソース接地伝達静特性 100 VGS = 10 V パルス測定 (A) 5V I D 4V 60 ドレイン電流 I D (A) 80 3 ドレイン・ソース電圧 ソース接地出力静特性 100 ドレイン電流 10 300 許容チャネル損失 Pch (W) 160 40 3V 20 80 V DS = 10 V パルス測定 60 40 25 ℃ 20 75 ℃ Tc = –25 ℃ 2.5 V 0 2 4 6 ドレイン・ソース電圧 8 VDS (V) 10 0 1 2 3 ゲート・ソース電圧 4 5 V GS (V) 3 0.5 パルス測定 0.4 0.3 I D = 50 A 0.2 20 A 0.1 10 A 12 4 8 16 ゲート・ソース電圧 VGS (V) ドレイン・ソースオン抵抗 R DS(on) (mΩ) 0 ドレイン・ソースオン抵抗対 ドレイン電流特性 100 パルス測定 30 VGS = 4 V 10 3 10 V 1 0.3 0.1 1 3 30 10 ドレイン電流 ドレイン・ソースオン抵抗対 ケース温度特性 パルス測定 16 12 8 I D = 50 A 10, 20 A 4V 4 0 –50 10, 20, 50 A VGS = 10 V 0 50 100 Tc 150 (℃) 200 200 100 300 1000 I D (A) 順伝達アドミタンス対 ドレイン電流特性 500 20 ケース温度 4 20 順伝達アドミタンス |yfs| (S) ドレイン・ソース飽和電圧 V DS(on) (V) ドレイン・ソース飽和電圧対 ゲート・ソース電圧特性 ドレイン・ソースオン抵抗 R DS(on) (mΩ) 2SK3418 V DS = 10 V パルス測定 100 50 Tc = –25 ℃ 20 10 25 ℃ 5 75 ℃ 2 1 0.5 0.1 0.3 1 3 10 30 ドレイン電流 I D (A) 100 2SK3418 ソース・ドレイン間 ダイオード逆方向回復時間 1000 di / dt = 50 A / µs V GS = 0, Ta = 25 ℃ 10000 200 100 50 Ciss 3000 Coss 1000 300 20 10 0.1 0.3 1 3 10 逆ドレイン電流 30 100 0 100 I DR (A) 入力ダイナミック特性 20 0 VDS = 50 V 25 V 10 V V DS V DS = 50 V 25 V 10 V 80 160 240 ゲートチャージ電荷量 12 8 4 0 320 400 Qg (nc) Crss 10 20 30 40 50 ドレイン・ソース電圧 V DS (V) スイッチング特性 t d(off) 500 スイッチング時間 t (ns) 60 40 16 V GS VGS (V) I D = 85 A 80 1000 20 ゲート・ソース電圧 ドレイン・ソース電圧 V DS (V) 100 容量対ドレイン・ソース電圧特性 VGS = 0 f = 1 MHz 容 量 C (pF) 500 逆回復時間 trr (ns) 30000 tf 200 100 50 20 tr t d(on) V GS = 10 V, V DD = 30 V PW = 5 µs, duty < 1 % 10 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 ドレイン電流 I D (A) 50 100 5 2SK3418 逆ドレイン電流対 ソース・ドレイン電圧特性 アバランシェエネルギー対 チャネル温度特性 (mJ) 400 10 V 80 5V 60 V GS = 0, –5 V 40 20 パルス測定 0 0.4 0.8 1.2 ソース・ドレイン電圧 1.6 VSD アバランシェエネルギー E AR 逆ドレイン電流 I DR (A) 100 2.0 I AP = 60 A V DD = 15 V duty < 0.1 % Rg > 50 Ω 320 240 160 80 0 25 50 (V) 100 125 150 チャネル温度 Tch (℃) アバランシェ測定回路 V DS Monitor 75 アバランシェ動作波形 EAR = L 1 2 • L • I AP • 2 I AP Monitor VDSS VDSS – V DD V (BR)DSS I AP Rg D. U. T V DS VDD ID Vin 15 V 50Ω 0 6 VDD 2SK3418 規格化過渡熱抵抗特性 3 Tc = 25 ℃ 過渡熱抵抗 γs (t) 1 D=1 0.5 0.3 0.2 0.1 θ ch – c(t) = γ s (t) • θ ch – c θ ch – c = 1.14 ℃/W, Tc = 25 ℃ 0.1 0.05 PDM 0.02 1 lse 0.0 t pu ho 1s 0.03 0.01 10 µ D= PW T PW T 100 µ 1m 10 m 100 m 1 10 パルス幅 PW (S) スイッチング時間測定回路 スイッチング波形 Vout Monitor Vin Monitor 90% D.U.T. RL Vin Vin 10 V 50Ω V DD = 30 V Vout 10% 10% 90% td(on) tr 10% 90% td(off) tf 7 2SK3418 外形寸法図 単位：mm 9.5 + 0.1 4.44±0.2 φ 3.6 - 0.08 8.0 1.26±0.15 7.8 ±0.5 0.76 ±0.1 2.54 ±0.5 8 1.27±0.1 1.5 max 2.54 ±0.5 14.0 ±0.5 1.2±0.1 15.0 ±0.3 18.5 ±0.5 6.4 - 0.1 + 0.2 2.79 ±0.2 1.27 10.16±0.2 0.5±0.1 2.7 max 日立コ−ド TO-220AB SC-46 EIAJコ−ド JEDECコ−ド 2SK3418 ご注意 1 . 本書に記載 の製品及び技術のうち「外 国為替及び外国貿易法」 に基づき安全保障貿易管理 関連貨物・技 術に該当するものを輸出する場合，または国外に持ち出す場合は日本国政府の許可が必要です。 2 . 本書に記載 された情報の使用に際して ，弊社もしくは第三者の 特許権，著作権，商標権， その他の知的 所有権等の権 利に対する保証または実 施権の許諾を行うものでは ありません。また本書に 記載された情 報を使用した 事により第三者の知的所 有権等の権利に関わる問題 が生じた場合，弊社はそ の責を負いま せんので予めご了承ください。 3 . 製品及び製 品仕様は予告無く変更する 場合がありますので，最 終的な設計，ご購入，ご使 用に際しまし ては，事前に最新の製品規格または仕様書をお求めになりご確認ください。 4 . 弊社は品質 ・信頼性の向上に努めてお りますが，宇宙，航空， 原子力，燃焼制御，運輸， 交通，各種安 全装置， ライフサポート関連の医療機器等のように，特別な品質・信頼性が要求され，その故障や誤動 作が直接人命 を脅かしたり，人体に危 害を及ぼす恐れのある用途 にご使用をお考えのお客 様は，事前に 弊社営業担当迄ご相談をお願い致します。 5. 設計に際しては，特に最大定格，動作電源電圧範囲，放熱特性，実装条件及びその他諸条件につきまし ては，弊社保証範囲内でご使用いただきますようお願い致します。 保証値を越えてご使用された場合の故障及び事故につきましては，弊社はその責を負いません。 また保証値内のご使用であっても半導体製品について通常予測される故障発生率，故障モードをご考慮 の上，弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故，火災事故，その他の拡大損害を生じないように フェールセーフ等のシステム上の対策を講じて頂きますようお願い致します。 6. 本製品は耐放射線設計をしておりません。 7. 本書の一部または全部を弊社の文書による承認なしに転載または複製することを堅くお断り致します。 8. 本書をはじめ弊社半導体についてのお問い合わせ，ご相談は弊社営業担当迄お願いします。 半 導 体グループ 北 海 道 支 社 東 北 支 社 関 東 支 社 新 潟 支 店 茨 城 支 店 群 馬 営 業 所 半導体グループ電子統括営業本部 松 本 営 業 所 横 浜 支 社 〒100-0004 東京都千代田区大手町二丁目6番2号（日本ビル）(03) 3270-2111(大代) (011) 261-3131 (代) (0462) 96-6800 (代) 県 央 支 店 (022) 223-0121 (代) (0559) 51-3530 (代) 沼 津 営 業 所 ダイヤル (076)263-2351 ( ) (03) 3212-1111 (代) 金 沢 支 店 イン (052) 243-3111 (代) (025) 241-8161 (代) 中 部 支 社 (06) 6616-1111 (大代) (029) 271-9411 (代) 関 西 支 社 (082) 223-4111 (代) (027) 325-2161 中 国 支 社 (087) 831-2111 (代) (03) 3270-2111 (代) 四 国 支 社 (089) 943-1333 (代) (0263) 36-6632 愛 媛 支 店 (092) 852-1111 (代) (045) 451-5000 (代) 九 州 支 社 ■資料のご請求は，上記の担当営業または下記へどうぞ。 株式会社 日立製作所 半導体グループ 電子統括営業本部 半導体ドキュメント管理室 〒100-0004 東京都千代田区大手町二丁目６番２号（日本ビル） 電話 (03) 5201-5189 (直) FAX (03) 3270-3277 ● 製品仕様は、改良のため変更することがあります。 Copyright © Hitachi, Ltd., 2000. 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