NTE NTE5571

NTE5567, NTE5568, NTE5569, & NTE5571
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
for Phase Control Applications
Features:
D High Current Rating
D Excellent Dynamic Characteristics
D Superior Surge Capabilities
D Standard Package
Voltage Ratings and Electrical Characteristics: (TJ = +125°C unless otherwise specified)
Maximum Repetitive Peak Forward and Reverse Voltage (Note 1), VDRM, VRRM
NTE5567 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5568 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V
Maximum Non–Repetitive Peak Voltage (Note 2), VRSM
NTE5567 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
NTE5568 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V
NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1300V
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V
Maximum Peak Reverse and Off–State Current, IDRM, IRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15mA
Maximum Average On–State Current (180° Sinusoidal Conduction), IT(RMS)
NTE5567, NTE5568, NTE5569 (TC = +94°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A
NTE5571 (TC = +90°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A
Maximum RMS On–State Current, IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80A
Maximum Peak One–Cycle Non–Repetitive Surge Current (t = 10ms, Sinusoidal Half Wave), ITSM
(No Voltage Reapplied)
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1430A
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200A
(100% VRRM Reapplied)
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200A
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1010A
Maximum I2t for Fusing (t = 10ms, Sinusoidal Half Wave), I2t
(No Voltage Reapplied)
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10.18KA2s
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.21KA2s
(100% VRRM Reapplied)
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.20KA2s
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.10KA2s
Voltage Ratings and Electrical Characteristics (Cont’d): (TJ = +125°C unless otherwise specified)
Maximum I2√t for Fusing (t = 0.1 to 10ms, No Voltage Reapplied), I2√t
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101.8KA2√s
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72.1KA2√s
Low Level Value of Threshold Voltage (16.7% x π x IT(AV) < I < π x IT(AV)), VT(TO)1
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.94V
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.02V
High Level Value of Threshold Voltage (π x IT(AV) < I < 20 x π x IT(AV)), VT(TO)2
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.08V
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.17V
Low Level Value of On–State Slope Resistance (16.7% x π x IT(AV) < I < π x IT(AV)), rt1
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.08mΩ
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.78mΩ
High Level Value of On–State Slope Resistance (π x IT(AV) < I < 20 x π x IT(AV)), VT(TO)2
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.34mΩ
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.97mΩ
Maximum On–State Voltage (Ipk = 157A, TJ = +25°C), VTM
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.60V
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.78V
Maximum Holding Current (TJ = +25°C, Anode Supply 22V, Resistive Load, Initial IT = 2A), IH . 200mA
Latching Current (Anode Supply 6V, Resistive Load), IL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mA
Maximum Rate of Rise of Turned–On Current, di/dt
(VDM = Rated VDRM, Gate Pulse = 20V, 15Ω, tp = 6µs, tr = 0.1µs ax., ITM = (2x Rated di/dt) A)
NTE5567, NTE5568 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200A/µs
NTE5569, NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100A/µs
Typical Delay Time, td . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.9µs
(TC = +25°C, VDM = Rated VDRM, DC Resistive Circuit, Gate Pulse = 10V, 15Ω Source, tp = 20µs)
Typical Turn–Off Time, tq . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110µs
(TC = +125°C, ITM = 50A, Reapplied dv/dt = 20Vµs, dir/dt = –10A/µs, VR = 50V)
Maximum Critical Rate of Rise of Off–State Voltage, dv/dt
(Linear to 100% rated VDRM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V/µs
(Linear to 67% rated VDRM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V/µs
Maximum Peak Gate Power (tp ≤ 5ms), PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W
Maximum Average Gate Power, PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5W
Maximum Peak Positive Gate Current, IGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5A
Maximum Peak Positive Gate Voltage, +VGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
Maximum Peak Negative Gate Voltage, –VGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V
DC Gate Current Required to Trigger (6V Anode–to–Cathode Applied), IGT . . . . . . . . . . . . . . 50mA
DC Gate Voltage Required to Trigger (6V Anode–to–Cathode Applied, TJ = +25°C), VGT . . . 2.5V
DC Gate Current Not to Trigger (Rated VDRM Anode–to–Cathode Applied), IGD . . . . . . . . . . 5.0mA
DC Gate Voltage Not to Trigger (Rated VDRM Anode–to–Cathode Applied), VGD . . . . . . . . . . 0.2V
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C
Thermal Resistance
Junction–to–Case (DC Operation), RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.35K/W
Case–to–Heatsink (Mounting Surface Smooth, Flat, and Greased), RthCS . . . . . . . 0.25K/W
Mounting Torque (Non–Lubricated Threads), T . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 – 30 (2.8 – 3.4) lbf–in (Nm)
Note 1. Units may be broken over non–repetitively in the off–state direction without damage, if di/dt
does not exceed 20A/µs.
Note 2. For voltage pulses with tp ≤ 5ms.
Gate
.067 (1.72) Dia
.250 (6.35)
Cathode
.120 (3.04)
.136 (3.47) Dia
.667
(16.95)
Dia Max
.565
(14.37)
Max
.875
(22.22)
Max
1.218
(30.94)
Max
.200 (5.08)
Max
.450
(11.43)
Max
Anode
1/4–28 UNF–2A
.675 (17.15)
Across Flats