PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 772 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：A105BJ-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：1050×1050µm 2 焊位尺寸：B 极 280×345µm 2；E 极 275×415µm 2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：2SB772，HS772，H772 █ 极限值（Ta=25℃）（TO-126、TO-126ML） Tstg——贮存温度…………………………………-55~150℃ Tj——结温…………………………………………… 150℃ PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）………………… 10W PC——集电极功率耗散（TA=25℃）……………………1W VCBO——集电极—基极电压……………………………-40V VCEO——集电极—发射极电压…………………………-30V V EBO ——发射极—基极电压……………………………-5V IC——集电极电流…………………………………………-3A IB——基极电流…………………………………………-0.6A █ 电参数（Ta=25℃）（TO-126、TO-126ML） 参数符号 符 号 说 明 ICBO IEBO hFE VCE(sat) VBE(sat) Cob 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和压降 基极—发射极饱和压降 共基极输出电容 fT 特征频率 最小值 典型值 最大值 单 位 60 -0.3 -1.0 55 80 -1 -1 400 -0.5 -2.0 µA µA V V pF MHz 测 试 条 件 VCB=-30V, IE=0 VEB=-5V, IC=0 VCE=-2V, IC=-1A IC=-2A, IB=-0.2A IC=-2A, IB=-0.2A VCB=-10V，IE=0， f=1MHz VCE=-5V，IE=-0.1A