NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 2655 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C080BJ-02 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：800×800µm 2 焊位尺寸：B 极 124×124µm 2；E 极 221×110µm 2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：2SC2655 █ 极限值（Ta=25℃）（TO-92L） Tstg——贮存温度…………………………………-55~150℃ Tj——结温………………………………………………150℃ PC——集电极功率耗散（Ta=25℃）…………………900mW VCBO——集电极—基极电压……………………………50V VCEO——集电极—发射极电压…………………………50V VEBO——发射极—基极电压………………………………5V IC——集电极电流…………………………………………2A IB——基极电流…………………………………………0.5A █ 电参数（Ta=25℃）（TO-92L） 参数符号 符 号 说 明 IEBO hFE 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 VCE(sat) VBE(sat) fT Cob 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极饱和电压 特征频率 共基极输出电容 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO 最小值 典型值 最大值 50 50 5 1 1 240 70 40 0.5 1.2 100 30 单位 V V V µA µA 测 试 条 件 IC=100µA，IE=0 IC=10mA，IB=0 IE=100µA，IC=0 VCB=50V，IE=0 VEB=5V，IC=0 VCE=2V，IC=500 mA VCE=2V，IC=1.5A V IC=1A，IB=50mA V IC=1A，IB=50mA MHz VCE=2V，IC=500mA pF VCB=10V，IE=0，f=1MHz