HUASHAN C100AJ-00

NPN
汕头华汕电子器件有限公司
SILICON
TRANSISTOR
882 晶体管芯片说明书
█ 芯片简介
█ 管芯示意图
芯片尺寸:4 英寸(100mm)
芯片代码:C100AJ-00
芯片厚度:240±20µm
管芯尺寸:1000×1000µm 2
焊位尺寸:B 极 215×215µm 2;E 极 210×210µm 2
电极金属:铝
背面金属:金
典型封装:2SD882,HS882,H882
█ 极限值(Ta=25℃)(TO-126、TO-126ML)
Tstg——贮存温度…………………………………-55~150℃
Tj——结温…………………………………………… 150℃
PC——集电极功率耗散(Tc=25℃)……………………10W
PC——集电极功率耗散(TA=25℃)……………………1W
VCBO——集电极—基极电压……………………………40V
VCEO——集电极—发射极电压…………………………30V
VEBO——发射极—基极电压 ……………………………5V
IC——集电极电流 ……………………………………… 3A
IB——基极电流…………………………………………0.6A
█ 电参数(Ta=25℃)(TO-126、TO-126ML)
参数符号
符
号
说
明
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
VBE(sat)
Cob
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和压降
基极—发射极饱和压降
输出电容
fT
特征频率
最小值 典型值 最大值 单 位
60
0.3
1.0
45
90
1
1
400
0.5
2
µA
µA
V
V
pF
MHz
测
试
条
件
VCB=30V,IE=0
VEB=5V,IC=0
VCE=2V,IC=1A
IC=2A,IB=0.2A
IC=2A,IB=0.2A
VCB=10V,IE=0,
f=1MHz
VCE=5V,IE=0.1A