NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 882 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C100AJ-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：1000×1000µm 2 焊位尺寸：B 极 215×215µm 2；E 极 210×210µm 2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：2SD882，HS882，H882 █ 极限值（Ta=25℃）（TO-126、TO-126ML） Tstg——贮存温度…………………………………-55~150℃ Tj——结温…………………………………………… 150℃ PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）……………………10W PC——集电极功率耗散（TA=25℃）……………………1W VCBO——集电极—基极电压……………………………40V VCEO——集电极—发射极电压…………………………30V VEBO——发射极—基极电压 ……………………………5V IC——集电极电流 ……………………………………… 3A IB——基极电流…………………………………………0.6A █ 电参数（Ta=25℃）（TO-126、TO-126ML） 参数符号 符 号 说 明 ICBO IEBO hFE VCE(sat) VBE(sat) Cob 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和压降 基极—发射极饱和压降 输出电容 fT 特征频率 最小值 典型值 最大值 单 位 60 0.3 1.0 45 90 1 1 400 0.5 2 µA µA V V pF MHz 测 试 条 件 VCB=30V，IE=0 VEB=5V，IC=0 VCE=2V，IC=1A IC=2A，IB=0.2A IC=2A，IB=0.2A VCB=10V，IE=0， f=1MHz VCE=5V，IE=0.1A