NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 965 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C089BJ-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：890×890µm 2 焊位尺寸：B 极 150×150µm 2；E 极 153×153µm 2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：2SD965，HD965 █ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92） Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温………………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率…………………………………0.75W VCBO——集电极—基极电压…………………………… 40V VCEO——集电极—发射极电压………………………… 20V VEBO——发射极—基极电压………………………………7V IC——集电极电流………………………………………… 3A █ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-92） 参数符号 ICBO IEBO VCEO VEBO hFE VCE(sat) fT Cob 符 号 说 明 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 集电极-发射极电压 发射极-基极电压 直流电流增益 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 特征频率 共基极输出电容 最小值 典型值 最大值 单 位 50 50 20 6 180 100 nA nA V V 800 2.0 150 50 V MHz pF 测 试 条 件 VCB=30V，IE=0 VEB=5V，IC=0 IC=10mA，IB=0 IE=1mA，IC=0 VCE=2V，IC=0.5A VCE=2V，IC=1A IC=3A，IB=0.1A VCB=6V，IE=50mA VCB=20V，IE=0， f=1MHz