PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRAN S ISTO R 940 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：A126AG-03 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：1260×1260µm 2 焊位尺寸：B 极 308×308µm 2；E 极 308×385µm 2 电极金属：铝 背面金属：银 典型封装：KSA940，HA940 █ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-220） Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温………………………………………………150℃ PC——集电极功率耗散 （Tc=25℃）……………………… 25W PC——集电极功率耗散（Ta=25℃）………………………1.5W VCBO——集电极—基极电压……………………………-150V VCEO——集电极—发射极电压…………………………-150V VEBO——发射极—基极电压………………………………-5V IC——集电极电流（DC）…………………………………-1.5A IB ——基极电流…………………………………………-0.5A █ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-220） 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件 BVCBO 集电极—基极击穿电压 -150 V IC=-500µA，IE=0 BVCEO 集电极—发射极击穿电压 -150 V IC=-10mA，IB=0 BVEBO 发射极—基极击穿电压 -5 V IE=-500µA，IC=0 ICBO 集电极—基极截止电流 -10 µA VCB=-120V，IE=0 IEBO 发射极—基极截止电流 -10 µA VEB=-5V，IC=0 hFE 直流电流增益 VCE(sat) 集电极—发射极饱和电压 VBE(on) 基极—发射极导通电压 fT Cob 特征频率 共基极输出电容 40 -0.65 75 -0.75 4 55 140 VCE=-10V，IC=-500mA -1 V IC=-500mA，IB=-50mA -0.85 V VCE=-10V，IC=-500mA MHz VCE=-10V，IC=-500mA pF VCB=-10V，IE=0, f=1.0MHz