NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R 汕头华汕电子器件有限公司 3279 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C075AJ-01 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：750×750µm 2 焊位尺寸：B 极 165×170µm 2 ；E 极 150×165µm 2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：２ＳＣ３２７９ █ 极限值（Ta=25℃）（TO-92） Tstg——贮存温度…………………………………－55~150℃ Tj——结温…………………………………………… 150℃ PC——集电极功率耗散（Ta=25℃）…………………750mW VCBO ——集电极—基极电压……………………………30V VCEO——集电极—发射极电压…………………………10V VEBO ——发射极—基极电压…………………… ………6V I C ——集电极电流………………………………………2A I B ——基极电流………………………………………0.2 A █ 电参数（Ta=25℃）（TO-92） 参数符号 符 号 说 明 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO hFE 集电极— 基极击穿电压 集电极— 发射极击穿电压 发射极— 基极击穿电压 集电极— 基极截止电流 发射极— 基极截止电流 直流电流增益 VCE(sat) VBE(on) fT Cob 集电极— 发射极饱和电压 基极— 发射极饱和电压 特征频率 共基极输出电容 最小值 典型值 最大值 30 10 6 0.1 0.1 600 140 70 0.82 1.5 150 27 单位 V V V µA µA 测 试 条 件 IC=1mA，IE=0 IC=10mA，IB=0 IE=1mA，IC=0 VCB=30V，IE=0 VEB=6V，IC=0 VCE=1V，IC=500mA VCE=1V，IC=2A V IC=2A，IB =50mA V VCE=1V，IC=2A MHz VCE=1V，IC=500mA pF VCB=10V, IE=0, f=1MHz