NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R 汕头华汕电子器件有限公司 667A 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C080BJ-04 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：800×800µm 2 焊位尺寸：B 极 124×124µm 2 ；E 极 221×110µm 2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：２ＳＤ６６７Ａ，Ｈ６６７Ａ █ 极限值（Ta=25℃）（TO-92L） Tstg——贮存温度…………………………………－55~150℃ Tj——结温………………………………………………150℃ PC——集电极功率耗散（ TA=25℃）……………………0.9W VCBO——集电极—基极电压……………………………120V VCEO——集电极—发射极电压…………………………100V VEBO——发射极—基极电压………………………………5V IC——集电极电流…………………………………………1A █ 电参数（Ta=25℃）（TO-92L） 参数符号 符 号 说 明 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO hFE 集电极— 基极击穿电压 集电极— 发射极击穿电压 发射极— 基极击穿电压 集电极— 基极截止电流 直流电流增益 VCE(sat) VBE(on) fT Cob 集电极— 发射极饱和电压 基极— 发射极电压 特征频率 共基极输出电容 最小值 典型值 最大值 120 100 5 10 300 60 30 1 1.5 140 12 单位 V V V µA 测 试 条 件 IC=10µA，IE=0 IC=1mA，IB=0 IE=10µA，IC=0 VCB=100V，IE=0 VCE=5V，IC=150mA VCE=5V，IC=500mA V IC=500mA ，IB=50mA V VCE=5V，IC=150mA MHz VCE=5V，IC=150mA pF VCB=10V，IE=0，f=1MHz