NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRAN S ISTO R 2073 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C126AG-03 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：1260×1260µm 2 焊位尺寸：B 极 308×308µm 2；E 极 308×385µm 2 电极金属：铝 背面金属：银 典型封装：KSC2073，HC2073 █ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-220） Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温………………………………………………150℃ PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）………………………25W PC——集电极功率耗散（Ta=25℃）………………………1.5W VCBO——集电极—基极电压……………………………150V VCEO——集电极—发射极电压…………………………150V VEBO——发射极—基极电压………………………………5V IC——集电极电流（DC）…………………………………1.5A IB ——基极电流…………………………………………0.5A █ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-220） 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 BVCBO 集电极—基极击穿电压 150 V IC=500µA，IE=0 BVCEO 集电极—发射极击穿电压 150 V IC=10mA，IB=0 BVEBO 发射极—基极击穿电压 5 V IE=500µA，IC=0 ICBO 集电极—基极截止电流 10 µA VCB=120V，IE=0 IEBO 发射极—基极截止电流 10 µA VEB=5V，IC=0 hFE 直流电流增益 VCE(sat) fT Cob 40 75 集电极—发射极饱和电压 特征频率 共基极输出电容 4 50 VCE=10V，IC=500mA 140 1 件 V IC=500mA，IB=50mA MHz VCE=10V，IC=500mA pF VCB=10V，IE=0, f=1.0MHz