NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 5027 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：D360AG-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：3600×3600µm 2 焊位尺寸：B 极 475×730µm 2；E 极 480×900µm 2 电极金属：铝 背面金属：银 典型封装：KSC5027，HC5027 █ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-220） Tstg——贮存温度…………………………………… -55~150℃ Tj——结温………………………………………………… 150℃ PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）……………………… 50W VCBO ——集电极—基极电压…………………………… 1100V VCEO——集电极—发射极电压…………………………… 800V VEBO——发射极—基极电压………………………………… 7V IC——集电极电流（DC）…………………………………… 3A IC——集电极电流（脉冲）………………………………… 10A IB——基极电流………………………………………………1.5A █ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-220） 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测试条件 BVCEO 集电极—发射极击穿电压 800 V IC=5mA，IB=0 BVCBO 集电极—基极击穿电压 1100 V IC=1mA，IE=0 BVEBO 发射极—基极击穿电压 7 V IE=1mA，IC=0 IEBO 发射极—基极截止电流 10 uA VEB=5V，IC=0 ICBO 集电极—基极截止电流 10 uA VCB=800V，IE=0 hFE 直流电流增益 VCE=5V，IC=0.2A 40 10 VCE=5V，IC=1A 8 VCE(sat) 集电极—发射极饱和压降 VBE(sat) 基极—发射极饱和压降 fT 特征频率 15 2 V IC=1.5A，IB=0.3A 1.5 V IC=1.5A，IB=0.3A MHz VCE=10V，IC=0.2A