D60VC20 ... D60VC120 D60VC20 ... D60VC120 Silicon-Twin-Rectifiers Silizium-Doppeldiode Version 2005-04-26 Nominal current Nennstrom 6.3 Type 21.6±1 10±0.2 0.8 60 A Alternating input voltage Eingangswechselspannung 60...800 V Plastic case with alu-bottom Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden 24.3±0.2 28.5 x 28.5 x 10 [mm] 28.5 ±0.2 6.2 Weight approx. Gewicht ca. Ø 5.2 Dimensions - Maße [mm] 23 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1) D60VC20 200 200 D60VC40 400 400 D60VC60 600 600 D60VC80 800 800 D60VC100 1000 1000 D60VC120 1200 1200 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last per diode 'pro Diode IFAV 60 A 2) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 120 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 450/500 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t Isolation voltage terminals to case Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse t = 1 min VISO Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 Tj TS 1000A2s ≥ 2000 V -50...+150°C -50...+150°C Per diode – Pro Diode Max. case temperature TC = 100°C – Max. Gehäusetemperatur TC = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 D60VC20 ... D60VC120 Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 60 A VF < 1.1 V 1) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 100 µA Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthJC < 0.6 K/W Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment 10-32 UNF M5 18 ± 10% lb.in 2 ± 10% Nm Device layout Innerer Aufbau For grey colored diodes only blocking characteristics are valid Für die grau gezeichneten Dioden gelten nur die Sperreigenschaften 120 [%] 103 [A] 100 Tj = 125°C 10 2 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Durchlaßstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur 1 2 450a-(60a-1,1v) -1 10 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Per diode – Pro Diode http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG