ETC FZ1200R12KF4

European PowerSemiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
Marketing Information
FZ 1200 R 12 KF 4
61,5
18
M8
screwing depth
max. 8
130
114
31,5
C
C
E
E
E
G
C
16,5
7
M4
28
2,5
18,5
external connection to be
done
C
C
C
G
E
E
E
external connection to be
done
A15/97 Mod-E/ 21.Jan 1998 G.Schulze
FZ 1200 R 12 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Kollektor-Dauergleichstrom
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
Gesamt-Verlustleistung
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Dauergleichstrom
Periodischer Spitzenstrom
Isolations-Prüfspannung
collector-emitter voltage
DC-collector current
repetitive peak collctor current
total power dissipation
gate-emitter peak voltage
DC forward current
repetitive peak forw. current
insulation test voltage
tp=1 ms
tC=25°C, Transistor /transistor
tp=1ms
RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
VCES
IC
ICRM
Ptot
VGE
IF
IFRM
VISOL
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
Eingangskapazität
Kollektor-Emitter Reststrom
gate threshold voltage
input capacity
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
Emitter-Gate Reststrom
Einschaltzeit (induktive Last)
gate leakage current
gate leakage current
turn-on time (inductive load)
Speicherzeit (induktive Last)
Fallzeit (induktive Last)
storage time (inductive load)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per puls
Abschaltverlustleistung pro Puls
turn-off energy loss per puls
iC=1,2kA, vGE=15V, t vj=25°C
iC=1,2kA, vGE=15V, t vj=125°C
iC=48mA, vCE=vGE, tvj=25°C
fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V, v GE=0V
vCE=1200V, vGE=0V, t vj=25°C
vCE=1200V, vGE=0V, t vj=125°C
vCE=0V, v GE=20V, tvj=25°C
vCE=0V, v EG=20V, tvj=25°C
iC=1,2kA,vCE=600V
vL = ±15V, R G = 0,82 , tvj=25°
vL = ±15V, R G = 0,82 , tvj=125°
iC=1,2kA,vCE=600V
vL = ±15V, R G = 0,82 , tvj=25°
vL = ±15V, R G = 0,82 , tvj=125°
iC=1,2kA,vCE=600V
vL = ±15V, R G = 0,82 , tvj=25°
vL = ±15V, R G = 0,82 , tvj=125°
iC=1,2kA, vCE=600V, L s=70nH
vL=±15V,R G=0,82 ,T vj=125°C
iC=1,2kA, vCE=600V, L s=70nH
vL=±15V,R G=0,82 ,T vj=125°C
vCE sat
vGE(th)
Cies
iCES
iGES
iEGS
ton
V
A
A
W
V
A
A
kV
max.
3,2
3,9
6,5
200
400
400
V
V
V
nF
mA
mA
nA
nA
min.
4,5
-
typ.
2,7
3,3
5,5
90
16
100
-
-
0,7
0,8
- µs
- µs
-
0,9
1,0
- µs
- µs
-
0,10
0,15
- µs
- µs
-
170
- mWs
190
- mWs
ts
tf
Eon
Eoff
1200
1200
2400
7800
± 20
1200
2400
2,5
-
Charakteristische Werte / Characteristic values
Inversdiode / Inverse diode
Durchlaßspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
iF=1,2kA, vGE=0V, t vj=25°C
iF=1,2kA, vGE=0V, t vj=125°C
iF=1,2kA, vRM=600V, v EG = 10V
-diF/dt = 6 kA/µs, tvj = 25°C
t vj = 125°C
iF=1,2kA, vRM=600V, v EG = 10V
-diF/dt = 6 kA/µs, tvj = 25°C
vF
Transistor / transistor, DC
Transistor,DC,pro Zweig/per arm
pro Modul / per Module
pro Modul / per Module
Transistor / transistor
RthJC
terminals M6 / tolerance +/-15%
terminals M4 / tolerance +/-15%
terminals M8
M1
M2
IRM
Qr
tvj = 125°C
-
2,2
2,0
2,7 V
2,5 V
-
400
700
- A
- A
-
50
150
- µAs
- µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
thermal resistance, case to heatsink
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
RthCK
tvj max
tc op
tstg
0,016
0,032
0,008
150
-40...+125
-40...+125
°C/W
°C/W
°C/W
°C
°C
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
internal insulation
mounting torque
terminal connection torque
Gewicht
weight
G
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
tfg = 10 µs
VCC = 750 V
vL = ±15 V
vCEM = 900 V
RGF = RGR = 0,82
iCMK1 10000 A
tvj = 125°C
iCMK2 8000 A
Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions
v CEM = VCES - 15nH x |dic/dt|
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
AI2O3
5
2
8...10
ca. 1500
Nm
Nm
Nm
g
FZ 1200 R12 KF4
2500
2500
iC
[A] 2000
iC
[A] 2000
VGE=20V
15V
12V
10V
1500
1500
9V
1000
1000
8V
500
500
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0
1.0
5.0
v CE [V]
FZ1200R12KF4
Bild/Fig. 1
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch)
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
VGE = 15V
----- T vj = 25 °C
___ Tvj = 125 °C
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
1200
1400
v CE [V]
Bild/Fig. 2
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch)
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
Tvj = 125 °C
2500
2500
t vj =
125 °C
25 °C
iC
[A]
2000
iC
[A]
2000
1500
1500
1000
1000
500
500
0
1.5
FZ1200R12KF4
5
6
7
8
FZ1200R12KF4
Bild/Fig. 3
Übertragungscharakteristik (typisch)
Transfer characteristic (typical)
VCE = 20 V
9
10
v GE [V]
11
12
0
0
200
400
600
FZ1200R12KF4
Bild/Fig. 4
Rückwärts-Arbeitsbereich
Reverse biased safe operating area
tvj = 125 °C, vLF = vLR = 15 V, RG = 0,82
800
1000
v CE [V]
FZ 1200 R12 KF4
10-1
2500
6
Z(th)JC
[°C/W]
Diode
iF
[A] 2000
3
2
IGBT
1500
10-2
1000
5
3
500
2
10-3 -3
10
2
4
10-2
2
4
10-1
FZ1200R12KF4
Bild/Fig. 5
Transienter innerer Wärmewiderstand (DC)
Transient thermal impedance (DC)
2
4
100
2
t [s ]
4
101
0
0.5
1.0
1.5
2.0
FZ1200R12KF4
Bild/Fig. 6
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)
Forward characteristic of the inverse diode (typical)
tvj = 25 °C
tvj = 125 °C
2.5
v F [V]
3.0