European PowerSemiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG Marketing Information FF 600 R 12 KF 4 55,2 11,85 M8 screwing depth max. 8 130 31,5 114 E1 C2 C1 E2 E2 E1 C1 G1 M4 28 screwing depth max. 8 7 2,5 deep 40 53 E1 C2 16 18 G2 44 2,5 deep 57 C2 E1 C2 G1 G2 C1 E2 C1 E2 A13/97 Mod-E/ 13.Jan 1998 G.Schulze FF 600 R 12 KF 4 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Dauergleichstrom Periodischer Kollektor Spitzenstrom Gesamt-Verlustleistung Gate-Emitter-Spitzenspannung Dauergleichstrom Periodischer Spitzenstrom Isolations-Prüfspannung collector-emitter voltage DC-collector current repetitive peak collctor current total power dissipation gate-emitter peak voltage DC forward current repetitive peak forw. current insulation test voltage tp=1 ms tC=25°C, Transistor /transistor tp=1ms RMS, f=50 Hz, t= 1 min. VCES IC ICRM Ptot VGE IF IFRM VISOL Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung Eingangskapazität Kollektor-Emitter Reststrom gate threshold voltage input capacity collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom Emitter-Gate Reststrom Einschaltzeit (induktive Last) gate leakage current gate leakage current turn-on time (inductive load) Speicherzeit (induktive Last) storage time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro puls turn-on energie per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energie loss per pulse iC=600A, vGE=15V, t vj=25°C iC=600A, vGE=15V, t vj=125°C iC=24mA, vCE=vGE, tvj=25°C fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V, v GE=0V vCE=1200V, vGE=0V, t vj=25°C vCE=1200V, vGE=0V, t vj=125°C vCE=0V, v GE=20V, t vj=25°C vCE=0V, v EG=20V, t vj=25°C iC=600A,vCE=600V,vL=±15V,R G=1,6 iC=600A,vCE=600V,vL=±15V,R G=1,6 iC=600A,vCE=600V,vL=±15V,R G=1,6 iC=600A,vCE=600V,vL=±15V,R G=1,6 iC=600A,vCE=600V,vL=±15V,R G=1,6 iC=600A,vCE=600V,vL=±15V,R G=1,6 iC=600A, vCE=600V, L s=70nH vL=±15V, R G=1,6 , tvj=125°C iC=600A, vCE=600V, L s=70nH vL=±15V, R G=1,6 , tvj=125°C vCE sat vGE(th) Cies iCES iGES iEGS ton ,tvj= 25°C ,tvj=125°C ,tvj= 25°C ts ,tvj=125°C ,tvj= 25°C tf ,tvj=125°C Eon Eoff 1200 600 1200 3900 ± 20 600 1200 2,5 V A A W V A A kV max. 3,2 3,9 6,5 400 400 - V V V nF mA mA nA nA µs µs µs µs µs µs min. 4,5 - typ. 2,7 3,3 5,5 45 8 50 0,7 0,8 0,9 1,0 0,10 0,15 - 90 - mWs - 90 - mWs - 2,2 2,0 2,7 V 2,5 V - 200 350 - A - A - 25 75 Charakteristische Werte / Characteristic values Inversdiode / Inverse diode Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge iF=600A, vGE=0V, t vj=25°C iF=600A, vGE=0V, t vj=125°C iF=600A, vRM=600V, v EG = 10V -diF/dt = 3,0 kA/µs, tvj = 25°C -diF/dt = 3,0 kA/µs, tvj = 125°C iF=600A, vRM=600V, v EG = 10V -diF/dt = 3,0 kA/µs, tvj = 25°C -diF/dt = 3,0 kA/µs, tvj = 125°C vF IRM Qr - µAs - µAs Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand Übergangs-Wärmewiderstand Höchstzul. Sperrschichttemperatur Betriebstemperatur Lagertemperatur thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC Transistor,DC,pro Zweig/per arm Diode, DC, pro Modul/per module Diode, DC, pro Zweig/per arm thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per Module pro Zweig / per arm max. junction temperature pro Modul / per Module operating temperature Transistor / transistor storage temperature RthJC 0,016 0,032 0,032 0,064 0,008 0,016 150 -40...+150 -40...+125 RthCK tvj max tc op tstg °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C °C °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage Innere Isolation Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse case, see appendix internal insulation mounting torque terminal connection torque Gewicht weight Seite / page terminals M6 / tolerance +/-15% terminals M4 / tolerance +/-15% terminals M8 M1 M2 G Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection tfg = 10 µs VCC = 750 V vL = ±15 V vCEM = 900 V iCMK1 5000 A RGF = RGR = 1,6 tvj = 125°C iCMK2 4000 A Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions v CEM = VCES - 20nH x |dic/dt| Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 1 AI2O3 5 2 8...10 ca. 1500 Nm Nm Nm g FF 600 R12 KF4 1200 1200 V GE = 20 V 15 V iC 1000 [A] iC 1000 [A] 12 V 800 800 10 V 600 600 400 400 200 200 0 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 8V 0 1.0 5.0 v CE [V] FF600R12KF4 9V 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 Bild/Fig. 1 Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) Collector-emitter-voltage in saturation region (typical) VGE = 15V -----Tvj = 25 °C ___Tvj = 125 °C 4.0 4.5 5.0 1200 1400 v CE [V] FF600R12KF4 Bild/Fig. 2 Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) Collector-emitter-voltage in saturation region (typical) tvj = 125 °C 1400 1200 t vj = 125 °C 25 °C iC 1000 [A] iC 1200 [A] 1000 800 800 600 600 400 400 200 0 200 5 6 7 8 FF600R12KF4 Bild/Fig. 3 Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) VCE = 20 V 9 10 v GE [V] 11 12 0 0 200 400 600 FF600R12KF4 Bild/Fig. 4 Rückwärts-Arbeitsbereich Reverse biased safe operating area tvj = 125 °C, vLF = vLR = 15 V, RG = 1,6 800 1000 v CE [V] FF 600 R12 KF4 10-1 1200 Diode 6 Z(th)JC [°C/W] iF 1000 [A] IGBT 3 2 800 10-2 600 5 400 3 200 2 10-3 -3 10 2 4 10-2 2 4 10-1 2 4 FF600R12KF4 Bild/Fig. 5 Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig (DC) Transient thermal impedance per arm (DC) 100 2 t [s ] 4 101 0 0.5 1.0 1.5 2.0 FF600R12KF4 Bild/Fig. 6 Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of the inverse diode (typical) tvj = 25 °C tvj = 125 °C 2.5 v F [V] 3.0