ETC FF6R12K4

European PowerSemiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
Marketing Information
FF 600 R 12 KF 4
55,2
11,85
M8
screwing depth
max. 8
130
31,5
114
E1
C2
C1
E2
E2
E1
C1
G1
M4
28
screwing depth
max. 8
7
2,5 deep
40
53
E1
C2
16 18
G2
44
2,5 deep
57
C2
E1
C2
G1
G2
C1
E2
C1
E2
A13/97 Mod-E/ 13.Jan 1998 G.Schulze
FF 600 R 12 KF 4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Kollektor-Dauergleichstrom
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
Gesamt-Verlustleistung
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Dauergleichstrom
Periodischer Spitzenstrom
Isolations-Prüfspannung
collector-emitter voltage
DC-collector current
repetitive peak collctor current
total power dissipation
gate-emitter peak voltage
DC forward current
repetitive peak forw. current
insulation test voltage
tp=1 ms
tC=25°C, Transistor /transistor
tp=1ms
RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
VCES
IC
ICRM
Ptot
VGE
IF
IFRM
VISOL
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
Eingangskapazität
Kollektor-Emitter Reststrom
gate threshold voltage
input capacity
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
Emitter-Gate Reststrom
Einschaltzeit (induktive Last)
gate leakage current
gate leakage current
turn-on time (inductive load)
Speicherzeit (induktive Last)
storage time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro puls
turn-on energie per pulse
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energie loss per pulse
iC=600A, vGE=15V, t vj=25°C
iC=600A, vGE=15V, t vj=125°C
iC=24mA, vCE=vGE, tvj=25°C
fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V, v GE=0V
vCE=1200V, vGE=0V, t vj=25°C
vCE=1200V, vGE=0V, t vj=125°C
vCE=0V, v GE=20V, t vj=25°C
vCE=0V, v EG=20V, t vj=25°C
iC=600A,vCE=600V,vL=±15V,R G=1,6
iC=600A,vCE=600V,vL=±15V,R G=1,6
iC=600A,vCE=600V,vL=±15V,R G=1,6
iC=600A,vCE=600V,vL=±15V,R G=1,6
iC=600A,vCE=600V,vL=±15V,R G=1,6
iC=600A,vCE=600V,vL=±15V,R G=1,6
iC=600A, vCE=600V, L s=70nH
vL=±15V, R G=1,6 , tvj=125°C
iC=600A, vCE=600V, L s=70nH
vL=±15V, R G=1,6 , tvj=125°C
vCE sat
vGE(th)
Cies
iCES
iGES
iEGS
ton
,tvj= 25°C
,tvj=125°C
,tvj= 25°C ts
,tvj=125°C
,tvj= 25°C tf
,tvj=125°C
Eon
Eoff
1200
600
1200
3900
± 20
600
1200
2,5
V
A
A
W
V
A
A
kV
max.
3,2
3,9
6,5
400
400
-
V
V
V
nF
mA
mA
nA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
min.
4,5
-
typ.
2,7
3,3
5,5
45
8
50
0,7
0,8
0,9
1,0
0,10
0,15
-
90
- mWs
-
90
- mWs
-
2,2
2,0
2,7 V
2,5 V
-
200
350
- A
- A
-
25
75
Charakteristische Werte / Characteristic values
Inversdiode / Inverse diode
Durchlaßspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
iF=600A, vGE=0V, t vj=25°C
iF=600A, vGE=0V, t vj=125°C
iF=600A, vRM=600V, v EG = 10V
-diF/dt = 3,0 kA/µs, tvj = 25°C
-diF/dt = 3,0 kA/µs, tvj = 125°C
iF=600A, vRM=600V, v EG = 10V
-diF/dt = 3,0 kA/µs, tvj = 25°C
-diF/dt = 3,0 kA/µs, tvj = 125°C
vF
IRM
Qr
- µAs
- µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
thermal resistance, junction to case
Transistor / transistor, DC
Transistor,DC,pro Zweig/per arm
Diode, DC, pro Modul/per module
Diode, DC, pro Zweig/per arm
thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
max. junction temperature
pro Modul / per Module
operating temperature
Transistor / transistor
storage temperature
RthJC
0,016
0,032
0,032
0,064
0,008
0,016
150
-40...+150
-40...+125
RthCK
tvj max
tc op
tstg
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
°C
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
Innere Isolation
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
case, see appendix
internal insulation
mounting torque
terminal connection torque
Gewicht
weight
Seite / page
terminals M6 / tolerance +/-15%
terminals M4 / tolerance +/-15%
terminals M8
M1
M2
G
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
tfg = 10 µs
VCC = 750 V
vL = ±15 V
vCEM = 900 V
iCMK1 5000 A
RGF = RGR = 1,6
tvj = 125°C
iCMK2 4000 A
Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions
v CEM = VCES - 20nH x |dic/dt|
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
1
AI2O3
5
2
8...10
ca. 1500
Nm
Nm
Nm
g
FF 600 R12 KF4
1200
1200
V GE = 20 V
15 V
iC 1000
[A]
iC 1000
[A]
12 V
800
800
10 V
600
600
400
400
200
200
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
8V
0
1.0
5.0
v CE [V]
FF600R12KF4
9V
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
Bild/Fig. 1
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch)
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
VGE = 15V
-----Tvj = 25 °C
___Tvj = 125 °C
4.0
4.5
5.0
1200
1400
v CE [V]
FF600R12KF4
Bild/Fig. 2
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch)
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
tvj = 125 °C
1400
1200
t vj =
125 °C
25 °C
iC 1000
[A]
iC
1200
[A]
1000
800
800
600
600
400
400
200
0
200
5
6
7
8
FF600R12KF4
Bild/Fig. 3
Übertragungscharakteristik (typisch)
Transfer characteristic (typical)
VCE = 20 V
9
10
v GE [V]
11
12
0
0
200
400
600
FF600R12KF4
Bild/Fig. 4
Rückwärts-Arbeitsbereich
Reverse biased safe operating area
tvj = 125 °C, vLF = vLR = 15 V, RG = 1,6
800
1000
v CE [V]
FF 600 R12 KF4
10-1
1200
Diode
6
Z(th)JC
[°C/W]
iF 1000
[A]
IGBT
3
2
800
10-2
600
5
400
3
200
2
10-3 -3
10
2
4
10-2
2
4
10-1
2
4
FF600R12KF4
Bild/Fig. 5
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig (DC)
Transient thermal impedance per arm (DC)
100
2
t [s ]
4
101
0
0.5
1.0
1.5
2.0
FF600R12KF4
Bild/Fig. 6
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)
Forward characteristic of the inverse diode (typical)
tvj = 25 °C
tvj = 125 °C
2.5
v F [V]
3.0