ETC FD6R16K4

European PowerSemiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
FD 600 R 16 KF4
55,2
11,85
M8
screwing depth
max. 8
130
31,5
114
E1
C2
C1
E2
E2
E1
C1
G1
M4
28
screwing depth
max. 8
7
2,5 deep
40
53
C2
16 18
G2
44
2,5 deep
57
E1
C2 (K)
C1
E2 (A)
E1
G1
C1
VWK Apr. 1997
IGBT-Module
FD 600 R 16 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
Gate-Emitter-Spitzenspannung
total power dissipation
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
tp=1 ms
tC=25°C, Transistor /transistor
tp=1ms
RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
VCES
1600 V
ICRM
1200 A
IC
Ptot
VGE
3900 W
± 20 V
IFRM
1200 A
IF
Gate-Schwellenspannung
600 A
VISOL
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
600 A
3,4 kV
min.
collector-emitter saturation voltage
iC=600A, vGE=15V, t vj=25°C
vCE sat
iC=40mA, vCE=vGE, tvj=25°C
fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V, v GE=0V
vGE(TO)
iC=600A, vGE=15V, t vj=125°C
gate threshold voltage
max.
-
3,5
-
4,6
3,9 V
5 V
4,5
5,5
6,5 V
Eingangskapazität
input capacity
-
90
- nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
vCE=1600V, v GE=0V, t vj=25°C
vCE=1600V, v GE=0V, t vj=125°C
iCES
-
4
40
- mA
- mA
Gate-Emitter Reststrom
gate leakage current
iGES
-
400 nA
gate leakage current
vCE=0V, v GE=20V, t vj=25°C
-
Emitter-Gate Reststrom
-
-
400 nA
Einschaltzeit (induktive Last)
turn-on time (inductive load)
iC=600A,vCE=900V,v L=±15V
ton
-
0,8
- µs
-
1
- µs
vCE=0V, v EG=20V, t vj=25°C
vL=±15V, R G=3,3Ω, tvj=25°C
Speicherzeit (induktive Last)
Fallzeit (induktive Last)
vL=±15V, R G=3,3Ω, tvj=125°C
storage time (inductive load)
iEGS
iC=600A,vCE=900V,v L=±15V
vL=±15V, R G=3,3Ω, tvj=25°C
ts
iC=600A,vCE=900V,v L=±15V
tf
vL=±15V, R G=3,3Ω, tvj=125°C
fall time (inductive load)
Cies
typ.
vL=±15V, R G=3,3Ω, tvj=25°C
vL=±15V, R G=3,3Ω, tvj=125°C
-
1,1
- µs
-
1,3
- µs
-
0,25
- µs
-
0,3
- µs
-
240
- mWs
-
140
- mWs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Einschaltverlustenergie pro Puls
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
iC=600A,vCE=900V,v L=±15V
Eon
iC=600A,vCE=900V,v L=±15V
RG=3,3Ω, tvj=125°C, LS=70nH
Eoff
iF=600A, vGE=0V, t vj=25°C
vF
peak reverse recovery current
iF=600A, -diF/dt=3kA/µs
IRM
recovered charge
vRM=900V, v EG=10V, t vj=125°C
iF=600A, -diF/dt=3kA/µs
RG=3,3Ω, tvj=125°C, LS=70nH
turn-off energy loss per pulse
Inversdiode / Inverse diode
Durchlaßspannung
Rückstromspitze
forward voltage
iF=600A, vGE=0V, t vj=125°C
vRM=900V, v EG=10V, t vj=25°C
Sperrverzögerungsladung
vRM=900V, v EG=10V, t vj=25°C
Qr
vRM=900V, v EG=10V, t vj=125°C
1) Höchstzulässiger diF/dt-Wert / Maximum rated diF/dt-value
-
2,4
2,8 V
-
2,2
- V
-
230
- A
-
320
- A
-
50
- µAs
-
110
- µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor, DC, pro Zweig / per arm
Diode /diode, DC, pro Modul / per module
RthJC
Diode /diode, DC, pro Zweig / per arm
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Module / per Module
pro Zweig / per arm
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
max. junction temperature
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
RthCK
tstg
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung / mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse / terminal connection torque
terminals M6
M1
terminals M4
M2
terminals M8
Gewicht
weight
G
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
tfg = 10 µs
VCC = 1000 V
vL = ±15V
RGF = RGR = 3,3 Ω
vCEM = 1300 V
iCMK1 ≈ 6000 A
tvj = 125°C
iCMK2 ≈ 4500 A
Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions
v
CEM
= VCES - 20nH x |dic/dt|
0,008 °C/W
0,016 °C/W
150 °C
-40...+125 °C
-40...+125 °C
Al2O3
3 Nm
2 Nm
8...10 Nm
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid
in
combination with the belonging technical notes.
0,04 °C/W
0,08 °C/W
tvj max
tc op
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
0,032 °C/W
ca. 1500 g
FD 600 R 16 KF4
1000
1200
iC
[A]
iC
[A]
1000
800
VGE = 20 V
15 V
800
600
12 V
600
10 V
400
9V
400
8V
200
200
0
1
2
3
4
5
0
1
vCE [V]
FD 600 R 16 KF4 / 1
Bild / Fig. 1
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
VGE = 15 V
t vj = 25°C
t vj = 125°C
1200
3
4
5
vCE [V]
Bild / Fig. 2
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
tvj = 125°C
1400
tvj = 125 °C
25 °C
iC
[A]
2
FD 600 R 16 KF4 / 2
iC1200
[A]
1000
1000
800
800
600
600
400
400
200
200
0
5
6
7
8
FD 600 R 16 KF4 / 3
Bild / Fig. 3
Übertragungscharakteristik (typisch) /
Transfer characteristic (typical)
VCE = 20 V
9
10
11
vGE [V]
12
0
0
500
1000
FD 600 R 16 KF4 / 4
Bild / Fig. 4
Rückwärts-Arbeitsbereich /
Reverse biased safe operating area
tvj = 125 °C
vLF = vLR = 15 V
RG = 3,3 Ω
1500
vCE [V]
2000
FD 600 R 16 KF4
-1
10
Diode
7
1200
iF
[A]
Z(th)JC
[°C/W]
1000
IGBT
3
800
2
-2
10
600
7
5
400
4
3
200
2
-3
10
10-3
2
3 4 5 7 10-2
2
3 4 5 7 10 -1
2
FD 600 R 16 KF4 / 5
Bild / Fig. 5
Transienter innerer Wärmewiderstand (DC) /
Transient thermal impedance (DC)
3 4 5 7 100
2
t [s]
3 4 5 7 101
0
0
0,5
1
1,5
2
FD 600 R 16 KF4 / 6
Bild / Fig. 6
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) /
Forward characteristic of the inverse diode (typical)
tvj = 25°C
tvj = 125°C
2,5
3
vF [V]
3,5