European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 50 GD 170 DL 118.11 94.5 119 121.5 99.9 4 x 19.05 = 76.2 3.81 19.05 18 19 1 2 3 4 17 5 6 7 3.81 16 8 9 15 10 11 12 1.15x1.0 15.24 5 x 15.24 =76.2 110 connections to be made externally 21 20 13 1 2 5 6 9 10 3 4 7 8 11 12 19 17 15 14 01.07.1998 BSM 50 GD 170 DL vorläufige Daten Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Dauergleichstrom collector-emitter voltage DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom Gesamt-Verlustleistung Gate-Emitter-Spitzenspannung Dauergleichstrom Periodischer Spitzenstrom Grenzlastintegral der Diode Isolations-Prüfspannung repetitive peak collector current total power dissipation gate-emitter peak voltage DC forward current repetitive peak forw. current I2t - value, Diode insulation test voltage preliminary data T C = 80°C T C = 25°C tp = 1 ms, TC = 80°C T C = 25°C, Transistor tp = 1 ms VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VCES IC,nom. IC ICRM Ptot VGES IF IFRM I2t VISOL Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung Eingangskapazität Kollektor-Emitter Reststrom gate threshold voltage input capacitance collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom Einschaltverzögerungszeit (induktive Last) gate-emitter leakage current turn-on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) Fallzeit (induktive Last) rise time (inductive load) turn off delay time (inductive load) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data Modulinduktivität 1700 50 100 100 480 ± 20 50 100 1100 3,4 V A A A W V A A A2s kV max. 3,3 6,5 0,1 100 V V V nF mA mA nA min. 4,5 - typ. 2,7 3,2 5,5 3,5 0,02 1,5 - - 0,1 0,1 - µs - µs - 0,1 0,1 - µs - µs - 0,8 0,9 - µs - µs - 0,03 0,03 - µs - µs - 26 - mWs - 14,5 - mWs - 200 - A LsCE - 25 IF = 50A, VGE = 0V, Tvj = 25°C IF = 50A, VGE = 0V, Tvj = 125°C IF = 50A, - diF/dt = 750A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C IF = 50A, - diF/dt = 750A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C IF = 50A, - diF/dt = 750A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C VF - 2,2 2 2,6 V - V - 36 56 - A - A - 6 12 - µAs - µAs - 2 4 Transistor / transistor, DC RthJC - - -40 -40 - IC = 50A, VGE = 15V, Tvj = 25°C IC = 50A, VGE = 15V, Tvj = 125°C IC = 2,5mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 125°C VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C IC = 50A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 30Ω, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 30Ω, Tvj = 125°C IC = 50A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 30Ω, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 30Ω, Tvj = 125°C IC = 50A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 30Ω, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 30Ω, Tvj = 125°C IC = 50A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 30Ω, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 30Ω, Tvj = 125°C IC = 50A, VCE = 900V, VGE = 15V RG = 30Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH IC = 50A, VCE = 900V, VGE = 15V RG = 30Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, RG = 30Ω T Vj≤125°C, VCC=1000V VCEmax=VCES -LsCE x dI/dt stray inductance module vCE sat vGE(th) Cies ICES IGES td,on tr td,off tf Eon Eoff ISC - nH Charakteristische Werte / Characteristic values: Diode Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung Abschaltenergie pro Puls recovered charge reverse recovery energy IRM Qr Erec - mWs - mWs Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand Übergangs-Wärmewiderstand Höchstzul. Sperrschichttemperatur Betriebstemperatur Lagertemperatur thermal resistance, junction to case Diode / diode, DC thermal resistance, case to heatsink pro Module / per Module dPaste ≤ 50µm / dgrease ≤ 50µm max. junction temperature operating temperature storage temperature 0,26 K/W 0,56 K/W RthCK T vj T op T stg 0,011 150 125 125 K/W °C °C °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Innere Isolation Kriechstrecke Luftstrecke CTI Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Gewicht internal insulation creepage distance clearance comperative tracking index mounting torque weight max. G Al2O3 16 11 225 5 300 mm mm Nm g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BSM 50 GD 170 DL 110 110 100 100 90 90 IC [A] 80 70 IC [A] 80 70 60 60 50 50 40 40 Tj = 25°C Tj = 125°C 30 30 20 20 10 10 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 VCE [V] BSM 50 GD 170 DL / 1 0 0,0 5,0 110 110 100 Tj = 25°C Tj = 125°C IC [A] 80 70 60 60 50 50 40 40 30 30 20 20 10 10 6 7 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] Tj = 25°C Tj = 125°C 90 IF [A] 80 70 5 1,0 Bild / Fig. 2 Ausgangskennlinienfeld (typisch) / Output characteristic (typical) IC = f(VCE) Tvj = 125°C 100 90 0,5 BSM 50 GD 170 DL / 2 Bild / Fig. 1 Ausgangskennlinie (typisch) / Output characteristic (typical) IC = f(VCE) VGE = 15V 0 VGE = 19V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 8 9 10 11 BSM 50 GD 170 DL / 3 12 VGE [V] 0 0,0 13 0,5 1,0 1,5 BSM 50 GD 170 DL / 4 2,0 2,5 VF [V] 3,0 Bild / Fig. 4 Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) / Forward characteristic of inverse diode (typical) IF = f(VF) Bild / Fig. 3 Übertragungscharakteristic (typisch) / Transfer characteristic (typical) IC = f(VGE) VCE = 20V 60 90 80 Eoff Eon Erec E 70 [mJ] 60 Eoff Eon Erec 50 E [mJ] 40 50 30 40 30 20 20 10 10 0 0 10 20 30 40 50 60 BSM 50 GD 170 DL / 5 Bild / Fig. 5 Schaltverluste (typisch) / Switching losses (typical) Eon = f(IC), Eoff = f(IC), Erec = f(IC) Rgon = Rgoff = 30Ω, VCE = 900V, Tj = 125°C 70 80 90 IC [A] 100 110 0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 RG [Ω] BSM 50 GD 170 DL / 6 Bild / Fig. 6 Schaltverluste (typisch) / Switching losses (typical) Eon = f(RG), Eoff = f(RG), Erec = f(RG) IC = 50A, VCE = 900V, Tj = 125°C BSM 50 GD 170 DL 110 100 90 IC 80 [A] 70 IC,Modul IC,Chip 60 50 40 30 20 10 0 0 200 400 600 800 1000 BSM 50 GD 170 DL / 7 Bild / Fig. 7 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) / Reverse bias safe operation area (RBSOA) Rg = 30Ω, Tvj = 125°C 1200 1400 1600 1800 VCE [V]