ETC BSM50GD170DLV

European PowerSemiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
BSM 50 GD 170 DL
118.11
94.5
119
121.5
99.9
4 x 19.05 = 76.2
3.81
19.05
18
19
1
2 3
4
17
5 6
7
3.81
16
8 9
15
10 11 12
1.15x1.0
15.24
5 x 15.24 =76.2
110
connections to be made externally
21
20
13
1
2
5
6
9
10
3
4
7
8
11
12
19
17
15
14
01.07.1998
BSM 50 GD 170 DL
vorläufige Daten
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Kollektor-Dauergleichstrom
collector-emitter voltage
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
Gesamt-Verlustleistung
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Dauergleichstrom
Periodischer Spitzenstrom
Grenzlastintegral der Diode
Isolations-Prüfspannung
repetitive peak collector current
total power dissipation
gate-emitter peak voltage
DC forward current
repetitive peak forw. current
I2t - value, Diode
insulation test voltage
preliminary data
T C = 80°C
T C = 25°C
tp = 1 ms, TC = 80°C
T C = 25°C, Transistor
tp = 1 ms
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I2t
VISOL
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
Eingangskapazität
Kollektor-Emitter Reststrom
gate threshold voltage
input capacitance
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)
gate-emitter leakage current
turn-on delay time (inductive load)
Anstiegszeit (induktive Last)
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
Fallzeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
turn off delay time (inductive load)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
Kurzschlußverhalten
SC Data
Modulinduktivität
1700
50
100
100
480
± 20
50
100
1100
3,4
V
A
A
A
W
V
A
A
A2s
kV
max.
3,3
6,5
0,1
100
V
V
V
nF
mA
mA
nA
min.
4,5
-
typ.
2,7
3,2
5,5
3,5
0,02
1,5
-
-
0,1
0,1
- µs
- µs
-
0,1
0,1
- µs
- µs
-
0,8
0,9
- µs
- µs
-
0,03
0,03
- µs
- µs
-
26
- mWs
-
14,5
- mWs
-
200
- A
LsCE
-
25
IF = 50A, VGE = 0V, Tvj = 25°C
IF = 50A, VGE = 0V, Tvj = 125°C
IF = 50A, - diF/dt = 750A/µsec
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
IF = 50A, - diF/dt = 750A/µsec
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
IF = 50A, - diF/dt = 750A/µsec
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
VF
-
2,2
2
2,6 V
- V
-
36
56
- A
- A
-
6
12
- µAs
- µAs
-
2
4
Transistor / transistor, DC
RthJC
-
-
-40
-40
-
IC = 50A, VGE = 15V, Tvj = 25°C
IC = 50A, VGE = 15V, Tvj = 125°C
IC = 2,5mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 125°C
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C
IC = 50A, VCE = 900V
VGE = ±15V, RG = 30Ω, Tvj = 25°C
VGE = ±15V, RG = 30Ω, Tvj = 125°C
IC = 50A, VCE = 900V
VGE = ±15V, RG = 30Ω, Tvj = 25°C
VGE = ±15V, RG = 30Ω, Tvj = 125°C
IC = 50A, VCE = 900V
VGE = ±15V, RG = 30Ω, Tvj = 25°C
VGE = ±15V, RG = 30Ω, Tvj = 125°C
IC = 50A, VCE = 900V
VGE = ±15V, RG = 30Ω, Tvj = 25°C
VGE = ±15V, RG = 30Ω, Tvj = 125°C
IC = 50A, VCE = 900V, VGE = 15V
RG = 30Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH
IC = 50A, VCE = 900V, VGE = 15V
RG = 30Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH
tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, RG = 30Ω
T Vj≤125°C, VCC=1000V
VCEmax=VCES -LsCE x dI/dt
stray inductance module
vCE sat
vGE(th)
Cies
ICES
IGES
td,on
tr
td,off
tf
Eon
Eoff
ISC
- nH
Charakteristische Werte / Characteristic values: Diode
Durchlaßspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
Abschaltenergie pro Puls
recovered charge
reverse recovery energy
IRM
Qr
Erec
- mWs
- mWs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
thermal resistance, junction to case
Diode / diode, DC
thermal resistance, case to heatsink pro Module / per Module
dPaste ≤ 50µm / dgrease ≤ 50µm
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
0,26 K/W
0,56 K/W
RthCK
T vj
T op
T stg
0,011
150
125
125
K/W
°C
°C
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation
Kriechstrecke
Luftstrecke
CTI
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
Gewicht
internal insulation
creepage distance
clearance
comperative tracking index
mounting torque
weight
max.
G
Al2O3
16
11
225
5
300
mm
mm
Nm
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
BSM 50 GD 170 DL
110
110
100
100
90
90
IC
[A] 80
70
IC
[A] 80
70
60
60
50
50
40
40
Tj = 25°C
Tj = 125°C
30
30
20
20
10
10
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
VCE [V]
BSM 50 GD 170 DL / 1
0
0,0
5,0
110
110
100
Tj = 25°C
Tj = 125°C
IC
[A] 80
70
60
60
50
50
40
40
30
30
20
20
10
10
6
7
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
VCE [V]
Tj = 25°C
Tj = 125°C
90
IF
[A] 80
70
5
1,0
Bild / Fig. 2
Ausgangskennlinienfeld (typisch) /
Output characteristic (typical)
IC = f(VCE)
Tvj = 125°C
100
90
0,5
BSM 50 GD 170 DL / 2
Bild / Fig. 1
Ausgangskennlinie (typisch) /
Output characteristic (typical)
IC = f(VCE)
VGE = 15V
0
VGE = 19V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
8
9
10
11
BSM 50 GD 170 DL / 3
12
VGE [V]
0
0,0
13
0,5
1,0
1,5
BSM 50 GD 170 DL / 4
2,0
2,5
VF [V]
3,0
Bild / Fig. 4
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) /
Forward characteristic of inverse diode (typical)
IF = f(VF)
Bild / Fig. 3
Übertragungscharakteristic (typisch) /
Transfer characteristic (typical)
IC = f(VGE)
VCE = 20V
60
90
80
Eoff
Eon
Erec
E 70
[mJ]
60
Eoff
Eon
Erec
50
E
[mJ]
40
50
30
40
30
20
20
10
10
0
0
10
20
30
40
50
60
BSM 50 GD 170 DL / 5
Bild / Fig. 5
Schaltverluste (typisch) /
Switching losses (typical)
Eon = f(IC), Eoff = f(IC), Erec = f(IC)
Rgon = Rgoff = 30Ω, VCE = 900V, Tj = 125°C
70
80
90
IC [A]
100 110
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160
RG [Ω]
BSM 50 GD 170 DL / 6
Bild / Fig. 6
Schaltverluste (typisch) /
Switching losses (typical)
Eon = f(RG), Eoff = f(RG), Erec = f(RG)
IC = 50A, VCE = 900V, Tj = 125°C
BSM 50 GD 170 DL
110
100
90
IC
80
[A]
70
IC,Modul
IC,Chip
60
50
40
30
20
10
0
0
200
400
600
800
1000
BSM 50 GD 170 DL / 7
Bild / Fig. 7
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) /
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
Rg = 30Ω, Tvj = 125°C
1200
1400 1600 1800
VCE [V]