ON Semiconductor BUD44D2 High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor with Integrated Collector-Emitter Diode and Built-in Efficient Antisaturation Network POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 700 VOLTS 25 WATTS The BUD44D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (±150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no need to guarantee an hFE window. Main features: • Low Base Drive Requirement • High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ IC = 100 mA • Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the H2BIP Structure which Minimizes the Spread • Integrated Collector–Emitter Free Wheeling Diode • Fully Characterized and Guaranteed Dynamic VCE(sat) • Six Sigma Process Providing Tight and Reproductible Parameter CASE 369–07 Spreads ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ • It’s characteristics make it also suitable for PFC application. MAXIMUM RATINGS VCEO 400 Vdc Collector–Base Breakdown Voltage VCBO 700 Vdc Collector–Emitter Breakdown Voltage VCES 700 Vdc Emitter–Base Voltage VEBO 12 Vdc IC 2 5 Adc 1 2 Adc PD 25 0.2 Watt W/C TJ, Tstg –65 to 150 C Collector Current — Continuous — Peak (1) Base Current — Continuous Base Current — Peak (1) *Total Device Dissipation @ TC = 25C *Derate above 25°C Operating and Storage Temperature ICM IB IBM THERMAL CHARACTERISTICS Thermal Resistance — Junction to Case — Junction to Ambient Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes: 1/8″ from case for 5 seconds C/W RθJC RθJA 5 71.4 TL 260 MINIMUM PAD SIZES RECOMMENDED FOR SURFACE MOUNTED APPLICATIONS 6.7 0.265 6.7 Collector–Emitter Sustaining Voltage CASE 369A–13 1.6 0.063 0.265″ Unit 1.8 Value 30 Symbol 0.118 .070″ Rating 1.6 0.063 2.3 2.3 0.090 0.090 C (1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle ≤ 10%. Semiconductor Components Industries, LLC, 2001 March, 2001 – Rev.2 1 Publication Order Number: BUD44D2/D BUD44D2 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Collector–Emitter Sustaining Voltage (IC = 100 mA, L = 25 mH) VCEO(sus) 400 470 Vdc Collector–Base Breakdown Voltage (ICBO = 1 mA) VCBO 700 920 Vdc Emitter–Base Breakdown Voltage (IEBO = 1 mA) VEBO 12 14.5 Vdc OFF CHARACTERISTICS Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCEO, IB = 0) @ TC = 25°C @ TC = 125°C ICEO 50 500 µAdc Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCES, VEB = 0) @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 125°C ICES 50 500 100 µAdc IEBO 100 µAdc Collector Cutoff Current (VCE = 500 V, VEB = 0) Emitter–Cutoff Current (VEB = 10 Vdc, IC = 0) ON CHARACTERISTICS Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc) VBE(sat) Vdc @ TC = 25°C @ TC = 125°C 0.78 0.65 0.9 0.8 @ TC = 25°C @ TC = 125°C 0.87 0.76 1 0.9 @ TC = 25°C @ TC = 125°C 0.45 0.67 0.65 1 (IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc) @ TC = 25°C @ TC = 125°C 0.25 0.27 0.4 0.5 (IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc) @ TC = 25°C @ TC = 125°C 0.28 0.35 0.5 0.6 (IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc) Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 0.4 Adc, IB = 20 mAdc) DC Current Gain (IC = 0.4 Adc, VCE = 1 Vdc) VCE(sat) Vdc hFE @ TC = 25°C @ TC = 125°C 20 18 32 26 (IC = 1 Adc, VCE = 1 Vdc) @ TC = 25°C @ TC = 125°C 10 7 14 9.5 (IC = 2 Adc, VCE = 5 Vdc) @ TC = 25°C 8 11 — DIODE CHARACTERISTICS Forward Diode Voltage (IEC = 0.2 Adc) VEC 0.8 1 (IEC = 0.2 Adc) @ TC = 125°C 0.6 (IEC = 0.4 Adc) @ TC = 25°C 0.9 1.2 (IEC = 1 Adc) @ TC = 25°C 1.1 1.5 Forward Recovery Time (see Figure 22 bis) (IF = 0.2 Adc, di/dt = 10 A/µs) V @ TC = 25°C Tfr 415 @ TC = 25°C (IF = 0.4 Adc, di/dt = 10 A/µs) @ TC = 25°C 390 (IF = 1 Adc, di/dt = 10 A/µs) @ TC = 25°C 340 http://onsemi.com 2 ns BUD44D2 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit DYNAMIC SATURATION VOLTAGE Dynamic Saturation Voltage: Determined 1 µs and 3 µs respectively after rising IB1 reaches 90% of final IB1 IC = 0.4 A IB1 = 40 mA VCC = 300 V IC = 1 A IB1 = 0 0.2 2A VCC = 300 V @ 1 µs @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ 3 µs @ TC = 25°C @ TC = 125°C 0.5 1.3 @ 1 µs @ TC = 25°C @ TC = 125°C 4.4 12.8 @ 3 µs @ TC = 25°C @ TC = 125°C 0.5 1.8 VCE(dsat) V 3.3 6.8 DYNAMIC CHARACTERISTICS Current Gain Bandwidth (IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 MHz) fT 13 MHz Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz) Cob 50 75 pF Input Capacitance (VEB = 8 Vdc) Cib 240 500 pF SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load (D.C. ≤ 10%, Pulse Width = 40 µs) Turn–on Time Turn–off Time IC = 1 Adc, IB1 = 0.2 Adc IB2 = 0.5 0 5 Adc VCC = 300 Vdc Turn–on Time Turn–off Time IC = 0.5 Adc, IB1 = 50 mAdc IB2 = 250 mAdc VCC = 300 Vdc @ TC = 25°C @ TC = 125°C ton 90 105 150 ns @ TC = 25°C @ TC = 125°C toff 1.1 1.5 1.25 µs @ TC = 25°C @ TC = 125°C ton 600 ns @ TC = 25°C @ TC = 125°C toff 1000 ns http://onsemi.com 3 400 600 750 1300 BUD44D2 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ Characteristic Symbol Min Typ Max Unit SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (Vclamp = 300 V, VCC = 15 V, L = 200 µH) Fall Time @ TC = 25°C @ TC = 125°C tf 110 105 150 ns @ TC = 25°C @ TC = 125°C ts 0.55 0.7 0.75 µs Crossover Time @ TC = 25°C @ TC = 125°C tc 85 80 150 ns Fall Time @ TC = 25°C @ TC = 125°C tf 100 90 150 ns @ TC = 25°C @ TC = 125°C ts 1.05 1.45 1.5 µs Crossover Time @ TC = 25°C @ TC = 125°C tc 100 100 175 ns Fall Time @ TC = 25°C @ TC = 125°C tf 110 180 150 ns @ TC = 25°C @ TC = 125°C ts 2.35 µs Crossover Time @ TC = 25°C @ TC = 125°C tc 180 400 300 ns Fall Time @ TC = 25°C @ TC = 125°C tf 150 175 225 ns @ TC = 25°C @ TC = 125°C ts 1.95 µs @ TC = 25°C @ TC = 125°C tc 250 ns Storage Time Storage Time Storage Time Storage Time Crossover Time IC = 0.4 Adc IB1 = 40 mAdc IB2 = 0.2 Adc IC = 1 Adc IB1 = 0.2 Adc IB2 = 0.5 Adc IC = 0.8 Adc IB1 = 160 mAdc IB2 = 160 mAdc IC = 0.4 Adc IB1 = 40 mAdc IB2 = 40 mAdc http://onsemi.com 4 2.05 2.8 1.65 2.2 150 330 BUD44D2 TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS 100 100 VCE = 5 V 80 hFE , DC CURRENT GAIN hFE , DC CURRENT GAIN VCE = 1 V TJ = 125°C 60 TJ = 25°C 40 TJ = -20°C 20 0 0.001 0.01 0.1 1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 80 TJ = 125°C 60 TJ = 25°C 40 TJ = -20°C 20 0 0.001 10 Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt 10 TJ = 25°C 3 IC/IB = 5 2A 1.5 A 1A 2 10 Figure 2. DC Current Gain @ 5 Volt VCE , VOLTAGE (VOLTS) VCE , VOLTAGE (VOLTS) 4 0.01 0.1 1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 400 mA 1 TJ = 25°C TJ = 125°C 1 TJ = -20°C IC = 200 mA 0 1 10 100 IB, BASE CURRENT (mA) 0.1 0.001 1000 Figure 3. Collector Saturation Region 10 Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage 10 10 IC/IB = 20 VCE , VOLTAGE (VOLTS) IC/IB = 10 VCE , VOLTAGE (VOLTS) 0.01 0.1 1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) TJ = 25°C 1 TJ = 125°C TJ = -20°C TJ = 25°C 1 TJ = 125°C TJ = -20°C 0.1 0.001 1 0.01 0.1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 0.1 0.001 10 Figure 5. Collector–Emitter Saturation Voltage 0.01 0.1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) Figure 6. Collector–Emitter Saturation Voltage http://onsemi.com 5 1 BUD44D2 TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS 10 10 IC/IB = 10 1 VBE , VOLTAGE (VOLTS) VBE , VOLTAGE (VOLTS) IC/IB = 5 TJ = -20°C TJ = 125°C 1 TJ = -20°C TJ = 125°C TJ = 25°C TJ = 25°C 0.1 0.001 0.01 0.1 1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 0.1 0.001 10 Figure 7A. Base–Emitter Saturation Region 10 Figure 7B. Base–Emitter Saturation Region 10 10 1 FORWARD DIODE VOLTAGE (VOLTS) IC/IB = 20 VBE , VOLTAGE (VOLTS) 0.01 0.1 1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) TJ = -20°C TJ = 125°C TJ = 25°C 0.1 0.001 0.01 0.1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 25°C 1 125°C 0.1 0.01 1 Figure 7C. Base–Emitter Saturation Region 1 0.1 REVERSE EMITTER-COLLECTOR CURRENT (AMPS) Figure 8. Forward Diode Voltage http://onsemi.com 6 10 BUD44D2 TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS 1000 1000 TJ = 25°C f(test) = 1 MHz TJ = 125°C TJ = 25°C 800 IC/IB = 10 IBon = IBoff VCC = 300 V PW = 40 µs 100 t, TIME (ns) C, CAPACITANCE (pF) Cib (pF) Cob (pF) 10 600 400 IC/IB = 5 200 1 1 10 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 0 0.2 100 1.4 0.8 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) Figure 9. Capacitance 4000 IC/IB = 10 3500 Figure 10. Resistive Switch Time, ton 2.5 2 IC/IB = 5 t, TIME (s) µ t, TIME (s) µ 3 IBon = IBoff VCC = 300 V PW = 40 µs 3000 2500 2000 1000 1.5 1 1500 TJ = 125°C TJ = 25°C 0.5 TJ = 125°C TJ = 25°C 0 1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 0 0.4 2 600 t, TIME (ns) 4 IC/IB = 5 IBon = IBoff VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 µH 500 400 TJ = 125°C TJ = 25°C tc 300 200 tfi 3 IC = 1 A 2 1 0 1 0.5 1.5 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 0 2 IBon = IBoff VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 µH IC = 0.3 A 100 0 2 Figure 12. Inductive Storage Time, tsi @ IC/IB = 5 t si , STORAGE TIME (µs) TJ = 125°C TJ = 25°C IBon = IBoff VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 µH 1.6 0.8 1.2 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) Figure 11. Resistive Switch Time, toff 700 2 3 Figure 13. Inductive Switching, tc & tfi @ IC/IB = 5 6 9 hFE, FORCED GAIN 12 Figure 14. Inductive Storage Time http://onsemi.com 7 15 BUD44D2 TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS 700 t fi , FALL TIME (ns) 600 500 TJ = 125°C TJ = 25°C 1000 400 300 200 100 0 5 7 11 9 hFE, FORCED GAIN 13 800 400 200 0 15 3 6 Figure 15. Inductive Fall Time 900 2000 700 t, TIME (ns) t, TIME (ns) 500 400 300 IC/IB = 10 200 IBon = IBoff VCC = 15 V 100 0 0.4 1000 IC/IB = 10 0 2 t, TIME (ns) t, TIME (ns) IBon = IBoff VCC = 15 V 2500 VZ = 300 V LC = 200 µH IB = 100 mA IB = 500 mA 0 0.5 1 1.5 2 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 2000 1500 IC/IB = 20 1000 IB = 200 mA 0 2 3000 IB = 50 mA 1000 1.6 0.8 1.2 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 0.4 Figure 18. Inductive Switching, tc IBon = IBoff VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 µH 2000 TJ = 125°C TJ = 25°C 500 VZ = 300 V LC = 200 µH 1.2 0.8 1.6 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) IC/IB = 5 15 IC/IB = 20 Figure 17. Inductive Switching, tfi 3000 12 IBoff = IC/2 VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 µH 1500 IC/IB = 20 600 9 hFE, FORCED GAIN Figure 16. Inductive Crossover Time TJ = 125°C TJ = 25°C 800 IC = 1 A 600 IC = 0.3 A IC = 1 A 3 TJ = 125°C TJ = 25°C IBon = IBoff VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 µH IC = 0.3 A t c , CROSSOVER TIME (ns) IBoff = IBon VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 µH 500 3 2.5 TJ = 125°C TJ = 25°C 0 Figure 19. Inductive Storage Time, tsi IC/IB = 10 0.5 1 1.5 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) Figure 20. Inductive Storage Time, tsi http://onsemi.com 8 2 BUD44D2 TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS 10 VCE 90% IC IC 9 dyn 1 µs 8 dyn 3 µs 6 0V tfi tsi 7 10% Vclamp Vclamp 5 10% IC tc 4 90% IB 3 1 µs IB 90% IB1 IB 2 1 3 µs 0 TIME 1 0 Figure 21. Dynamic Saturation Voltage Measurements 2 3 4 TIME 6 7 Figure 22. Inductive Switching Measurements VFRM VFR (1.1 VF unless otherwise specified) VF VF tfr 0.1 VF 0 IF 10% IF 0 5 2 6 4 8 Figure 22 bis. tfr Measurements http://onsemi.com 9 10 8 BUD44D2 TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS Table 1. Inductive Load Switching Drive Circuit +15 V 1 µF 150 Ω 3W 100 Ω 3W VCE PEAK MTP8P10 MPF930 VCE RB1 MUR105 MPF930 +10 V IC PEAK 100 µF MTP8P10 IB1 Iout IB A 50 Ω MJE210 COMMON 150 Ω 3W 500 µF IB2 RB2 V(BR)CEO(sus) L = 10 mH RB2 = ∞ VCC = 20 Volts IC(pk) = 100 mA MTP12N10 1 µF -Voff Inductive Switching L = 200 µH RB2 = 0 VCC = 15 Volts RB1 selected for desired IB1 RBSOA L = 500 µH RB2 = 0 VCC = 15 Volts RB1 selected for desired IB1 TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS 440 TJ = 25°C BVCER (VOLTS) 1000 BVCER (VOLTS) @ 10 mA 900 800 700 600 BVCER(sus) @ 200 mA 500 400 10 100 RBE (Ω) t fr , FORWARD RECOVERY TIME (ns) 1100 400 380 360 340 320 300 1000 dI/dt = 10 A/µs TC = 25°C 420 0 Figure 23. BVCER 0.5 1 1.5 IF, FORWARD CURRENT (AMP) Figure 24. Forward Recovery Time tfr http://onsemi.com 10 2 BUD44D2 PACKAGE DIMENSIONS DPAK CASE 369–07 ISSUE M SCALE 1:1 C B V NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH. E R 4 DIM A B C D E F G H J K R S V A 1 2 3 S –T– SEATING PLANE K J F H D MILLIMETERS MIN MAX 5.97 6.35 6.35 6.73 2.19 2.38 0.69 0.88 0.84 1.01 0.94 1.19 2.29 BSC 0.87 1.01 0.46 0.58 8.89 9.65 4.45 5.46 1.27 2.28 0.77 1.27 3 PL 0.13 (0.005) G INCHES MIN MAX 0.235 0.250 0.250 0.265 0.086 0.094 0.027 0.035 0.033 0.040 0.037 0.047 0.090 BSC 0.034 0.040 0.018 0.023 0.350 0.380 0.175 0.215 0.050 0.090 0.030 0.050 M T DPAK CASE 369A–13 ISSUE AA –T– C B V NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH. SEATING PLANE E R 4 Z A S 1 2 3 U K F J L H D G 2 PL 0.13 (0.005) M T http://onsemi.com 11 DIM A B C D E F G H J K L R S U V Z INCHES MIN MAX 0.235 0.250 0.250 0.265 0.086 0.094 0.027 0.035 0.033 0.040 0.037 0.047 0.180 BSC 0.034 0.040 0.018 0.023 0.102 0.114 0.090 BSC 0.175 0.215 0.020 0.050 0.020 --0.030 0.050 0.138 --- MILLIMETERS MIN MAX 5.97 6.35 6.35 6.73 2.19 2.38 0.69 0.88 0.84 1.01 0.94 1.19 4.58 BSC 0.87 1.01 0.46 0.58 2.60 2.89 2.29 BSC 4.45 5.46 0.51 1.27 0.51 --0.77 1.27 3.51 --- BUD44D2 ON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. PUBLICATION ORDERING INFORMATION NORTH AMERICA Literature Fulfillment: Literature Distribution Center for ON Semiconductor P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada Email: [email protected] Fax Response Line: 303–675–2167 or 800–344–3810 Toll Free USA/Canada N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada EUROPE: LDC for ON Semiconductor – European Support German Phone: (+1) 303–308–7140 (Mon–Fri 2:30pm to 7:00pm CET) Email: ONlit–[email protected] French Phone: (+1) 303–308–7141 (Mon–Fri 2:00pm to 7:00pm CET) Email: ONlit–[email protected] English Phone: (+1) 303–308–7142 (Mon–Fri 12:00pm to 5:00pm GMT) Email: [email protected] CENTRAL/SOUTH AMERICA: Spanish Phone: 303–308–7143 (Mon–Fri 8:00am to 5:00pm MST) Email: ONlit–[email protected] Toll–Free from Mexico: Dial 01–800–288–2872 for Access – then Dial 866–297–9322 ASIA/PACIFIC: LDC for ON Semiconductor – Asia Support Phone: 1–303–675–2121 (Tue–Fri 9:00am to 1:00pm, Hong Kong Time) Toll Free from Hong Kong & Singapore: 001–800–4422–3781 Email: ONlit–[email protected] JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center 4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031 Phone: 81–3–5740–2700 Email: [email protected] ON Semiconductor Website: http://onsemi.com EUROPEAN TOLL–FREE ACCESS*: 00–800–4422–3781 *Available from Germany, France, Italy, UK, Ireland For additional information, please contact your local Sales Representative. http://onsemi.com 12 BUD44D2/D