ON Semiconductor High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor with Integrated Collector-Emitter Diode and Built-in Efficient Antisaturation Network BUL44D2 POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 700 VOLTS 50 WATTS The BUL44D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (±150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no need to guarantee an hFE window. Main features: • Low Base Drive Requirement • High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ IC = 100 mA • Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the H2BIP Structure which Minimizes the Spread • Integrated Collector–Emitter Free Wheeling Diode • Fully Characterized and Guaranteed Dynamic VCE(sat) • “6 Sigma” Process Providing Tight and Reproductible Parameter Spreads It’s characteristics make it also suitable for PFC application. CASE 221A–09 TO–220AB ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO 400 Vdc Collector–Base Breakdown Voltage VCBO 700 Vdc Collector–Emitter Breakdown Voltage VCES 700 Vdc Emitter–Base Voltage VEBO 12 Vdc Collector Current — Continuous — Peak (1) IC ICM 2 5 Adc Base Current — Continuous Base Current — Peak (1) IB IBM 1 2 Adc *Total Device Dissipation @ TC = 25C *Derate above 25°C PD 50 0.4 Watt W/C TJ, Tstg –65 to 150 C RθJC RθJA 2.5 62.5 TL 260 Operating and Storage Temperature THERMAL CHARACTERISTICS C/W Thermal Resistance — Junction to Case — Junction to Ambient Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes: 1/8″ from case for 5 seconds C (1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle ≤ 10%. Semiconductor Components Industries, LLC, 2001 March, 2001 – Rev. 2 1 Publication Order Number: BUL44D2/D BUL44D2 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Collector–Emitter Sustaining Voltage (IC = 100 mA, L = 25 mH) VCEO(sus) 400 470 Vdc Collector–Base Breakdown Voltage (ICBO = 1 mA) VCBO 700 920 Vdc Emitter–Base Breakdown Voltage (IEBO = 1 mA) VEBO 12 14.5 Vdc OFF CHARACTERISTICS Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCEO, IB = 0) @ TC = 25°C @ TC = 125°C ICEO 50 500 µAdc Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCES, VEB = 0) @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 125°C ICES 50 500 100 µAdc IEBO 100 µAdc Collector Cutoff Current (VCE = 500 V, VEB = 0) Emitter–Cutoff Current (VEB = 10 Vdc, IC = 0) ON CHARACTERISTICS Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc) VBE(sat) Vdc @ TC = 25°C @ TC = 125°C 0.78 0.65 0.9 0.8 @ TC = 25°C @ TC = 125°C 0.87 0.76 1 0.9 @ TC = 25°C @ TC = 125°C 0.25 0.27 0.4 0.5 (IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc) @ TC = 25°C @ TC = 125°C 0.28 0.35 0.5 0.6 (IC = 0.4 Adc, IB = 20 mAdc) @ TC = 25°C @ TC = 125°C 0.45 0.67 0.65 1 (IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc) Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc) DC Current Gain (IC = 0.4 Adc, VCE = 1 Vdc) (IC = 1 Adc, VCE = 1 Vdc) VCE(sat) Vdc hFE @ TC = 25°C @ TC = 125°C 20 18 32 26 @ TC = 25°C @ TC = 125°C 10 7 14 9.5 — DIODE CHARACTERISTICS Forward Diode Voltage (IEC = 1 Adc) VEC 1.1 1.5 (IEC = 0.4 Adc) @ TC = 25°C 0.9 1.2 (IEC = 0.2 Adc) @ TC = 25°C 0.8 1 (IEC = 0.2 Adc) @ TC = 125°C Forward Recovery Time (see Figure 22 bis) (IF = 0.2 Adc, di/dt = 10 A/µs) V @ TC = 25°C 0.6 Tfr 415 @ TC = 25°C (IF = 0.4 Adc, di/dt = 10 A/µs) @ TC = 25°C 390 (IF = 1 Adc, di/dt = 10 A/µs) @ TC = 25°C 340 http://onsemi.com 2 ns BUL44D2 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit DYNAMIC SATURATION VOLTAGE @ 1 µs @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ 3 µs VCE(dsat) 3.3 6.8 V @ TC = 25°C @ TC = 125°C 0.5 1.3 V @ 1 µs @ TC = 25°C @ TC = 125°C 4.4 12.8 V @ 3 µs @ TC = 25°C @ TC = 125°C 0.5 1.8 V fT 13 MHz Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz) Cob 50 75 pF Input Capacitance (VEB = 8 Vdc) Cib 240 500 pF 450 600 600 ns 1000 ns Dynamic Saturation Voltage: Determined 1 µs and 3 µs respectively after rising IB1 reaches 90% of final IB1 IC = 0.4 A IB1 = 40 mA VCC = 300 V IC = 1 A IB1 = 0 0.2 2A VCC = 300 V DYNAMIC CHARACTERISTICS Current Gain Bandwidth (IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 MHz) SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load (D.C. ≤ 10%, Pulse Width = 40 µs) Turn–on Time Turn–off Time IC = 0.5 Adc, IB1 = 50 mAdc IB2 = 250 mAdc VCC = 300 Vdc Turn–on Time Turn–off Time IC = 1 Adc, IB1 = 0.2 Adc IB2 = 0.5 0 5 Adc VCC = 300 Vdc @ TC = 25°C @ TC = 125°C ton @ TC = 25°C @ TC = 125°C toff @ TC = 25°C @ TC = 125°C ton 90 105 150 ns @ TC = 25°C @ TC = 125°C toff 1.1 1.5 1.25 µs http://onsemi.com 3 700 1300 BUL44D2 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (Vclamp = 300 V, VCC = 15 V, L = 200 µH) Fall Time @ TC = 25°C @ TC = 125°C tf 110 105 150 ns @ TC = 25°C @ TC = 125°C ts 0.55 0.70 0.75 µs Crossover Time @ TC = 25°C @ TC = 125°C tc 85 80 150 ns Fall Time @ TC = 25°C @ TC = 125°C tf 100 90 150 ns @ TC = 25°C @ TC = 125°C ts 1.05 1.45 1.5 µs Crossover Time @ TC = 25°C @ TC = 125°C tc 100 100 175 ns Fall Time @ TC = 25°C @ TC = 125°C tf 110 180 150 ns @ TC = 25°C @ TC = 125°C ts 2.35 µs Crossover Time @ TC = 25°C @ TC = 125°C tc 180 400 300 ns Fall Time @ TC = 25°C @ TC = 125°C tf 150 175 225 ns @ TC = 25°C @ TC = 125°C ts 1.95 µs @ TC = 25°C @ TC = 125°C tc 250 ns Storage Time Storage Time Storage Time Storage Time Crossover Time IC = 0.4 Adc IB1 = 40 mAdc IB2 = 0.2 Adc IC = 1 Adc IB1 = 0.2 Adc IB2 = 0.5 Adc IC = 0.8 Adc IB1 = 160 mAdc IB2 = 160 mAdc IC = 0.4 Adc IB1 = 40 mAdc IB2 = 40 mAdc http://onsemi.com 4 2.05 2.8 1.65 2.2 150 330 BUL44D2 TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS 100 100 VCE = 5 V hFE , DC CURRENT GAIN hFE , DC CURRENT GAIN VCE = 1 V 80 TJ = 125°C 60 TJ = 25°C 40 TJ = -20°C 20 0 0.001 0.01 0.1 1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 80 TJ = 125°C 60 TJ = 25°C 40 TJ = -20°C 20 0 0.001 10 Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt 10 IC/IB = 5 3 VCE , VOLTAGE (VOLTS) VCE , VOLTAGE (VOLTS) TJ = 25°C 2A 2 1.5 A 1A 1 1 TJ = 125°C TJ = 25°C 400 mA IC = 200 mA 1 10 100 IB, BASE CURRENT (mA) TJ = -20°C 0.1 0.001 1000 Figure 3. Collector Saturation Region 0.01 0.1 1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 10 Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage 10 10 IC/IB = 20 VCE , VOLTAGE (VOLTS) IC/IB = 10 VCE , VOLTAGE (VOLTS) 10 Figure 2. DC Current Gain @ 5 Volt 4 0 0.01 0.1 1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 1 TJ = 25°C TJ = 125°C TJ = 25°C 1 TJ = 125°C TJ = -20°C TJ = -20°C 0.1 0.001 0.01 0.1 1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 0.1 0.001 10 Figure 5. Collector–Emitter Saturation Voltage 0.01 0.1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) Figure 6. Collector–Emitter Saturation Voltage http://onsemi.com 5 1 BUL44D2 TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS 10 10 IC/IB = 10 VBE , VOLTAGE (VOLTS) VBE , VOLTAGE (VOLTS) IC/IB = 5 TJ = -20°C 1 TJ = 125°C TJ = 25°C 0.1 0.001 1 0.01 0.1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) TJ = 125°C TJ = 25°C 0.1 0.001 10 Figure 7A. Base–Emitter Saturation Region FORWARD DIODE VOLTAGE (VOLTS) VBE , VOLTAGE (VOLTS) 10 10 IC/IB = 20 TJ = -20°C TJ = 125°C TJ = 25°C 0.1 0.001 0.01 0.1 1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) Figure 7B. Base–Emitter Saturation Region 10 1 TJ = -20°C 1 0.01 0.1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 1 0.1 0.01 1 Figure 7. Base–Emitter Saturation Region 25°C 125°C 1 0.1 REVERSE EMITTER-COLLECTOR CURRENT (AMPS) Figure 8. Forward Diode Voltage http://onsemi.com 6 10 BUL44D2 TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS 1000 1000 TJ = 25°C f(test) = 1 MHz IBon = IBoff VCC = 300 V PW = 40 µs 800 TJ = 125°C TJ = 25°C 100 t, TIME (ns) C, CAPACITANCE (pF) Cib (pF) Cob (pF) 10 600 IC/IB = 10 400 IC/IB = 5 200 1 1 10 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 0 100 0.2 Figure 9. Capacitance 3 IC/IB = 10 3500 IBon = IBoff VCC = 300 V PW = 40 µs 2.5 2 t, TIME (s) µ t, TIME (s) µ 3000 2500 2000 1.5 1 TJ = 125°C TJ = 25°C 1500 0 TJ = 125°C TJ = 25°C 0.5 IC/IB = 5 1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 0 2 TJ = 125°C TJ = 25°C 600 t, TIME (ns) 4 IC/IBon = 5 IBon = IBoff VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 µH 500 400 TJ = 125°C TJ = 25°C tc 300 200 tfi 3 IC = 1 A 2 1 1 0.5 1.5 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 0 2 IBon = IBoff VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 µH IC = 0.3 A 100 0 2 Figure 12. Inductive Storage Time, tsi @ IC/IB = 5 t si , STORAGE TIME (µs) 700 IBon = IBoff VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 µH 1.6 1.2 0.8 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 0.4 Figure 11. Resistive Switch Time, toff 0 2 Figure 10. Resistive Switch Time, ton 4000 1000 0.8 1.4 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 3 Figure 13. Inductive Switching, tc & tfi @ IC/IB = 5 6 9 hFE, FORCED GAIN 12 Figure 14. Inductive Storage Time http://onsemi.com 7 15 BUL44D2 TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS 700 1000 t fi , FALL TIME (ns) 600 500 TJ = 125°C TJ = 25°C t c , CROSSOVER TIME (ns) IBoff = IBon VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 µH IC = 0.3 A 400 300 200 100 0 5 7 800 IC = 1 A 600 400 200 11 9 hFE, FORCED GAIN 13 0 15 3 Figure 15. Inductive Fall Time 900 t, TIME (ns) t, TIME (ns) 500 400 300 IC/IB = 10 IBon = IBoff VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 µH 0.8 1.6 1.2 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 3000 0 2 0.4 IB = 200 mA 2000 IC/IB = 20 1500 IBon = IBoff VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 µH 1000 IB = 500 mA 2.5 2 IC/IB = 10 2500 IB = 100 mA 1.5 1 2 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 1.6 1.2 0.8 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 3000 IB = 50 mA 0.5 IC/IB = 20 Figure 18. Inductive Switching, tc t, TIME (ns) t, TIME (ns) 2000 TJ = 125°C TJ = 25°C IC/IB = 10 IBon = IBoff VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 µH IC/IB = 5 0 15 1000 Figure 17. Inductive Switching, tfi 0 12 500 200 100 IBoff = IC/2 VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 µH 1500 IC/IB = 20 600 1000 9 hFE, FORCED GAIN 2000 700 0 0.4 6 Figure 16. Inductive Crossover Time TJ = 125°C TJ = 25°C 800 TJ = 125°C TJ = 25°C IC = 0.3 A IC = 1 A 3 IBon = IBoff VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 µH 500 3 0 Figure 19. Inductive Storage Time, tsi TJ = 125°C TJ = 25°C 1 0.5 1.5 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) Figure 20. Inductive Storage Time, tsi http://onsemi.com 8 2 BUL44D2 TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS 10 VCE 9 dyn 1 µs 90% IC IC 8 dyn 3 µs tfi tsi 7 6 0V Vclamp 5 10% IC 10% Vclamp tc 4 90% IB 3 1 µs IB IB 90% IB1 1 2 2 1 3 µs 0 0 3 4 TIME TIME Figure 21. Dynamic Saturation Voltage Measurements 6 7 Figure 22. Inductive Switching Measurements VFRM VF VFR (1.1 VF unless otherwise specified) VF tfr 0.1 VF 0 IF 10% IF 0 5 2 6 4 Figure 23. bis. tfr Measurements http://onsemi.com 9 8 10 8 BUL44D2 Table 1. Inductive Load Switching Drive Circuit +15 V 1 µF 150 Ω 3W 100 Ω 3W VCE PEAK MTP8P10 MPF930 MUR105 MPF930 +10 V VCE RB1 IB1 Iout IB A 50 Ω 500 µF 150 Ω 3W IB2 RB2 MJE210 COMMON IC PEAK 100 µF MTP8P10 MTP12N10 1 µF -Voff V(BR)CEO(sus) L = 10 mH RB2 = ∞ VCC = 20 Volts IC(pk) = 100 mA http://onsemi.com 10 Inductive Switching L = 200 µH RB2 = 0 VCC = 15 Volts RB1 selected for desired IB1 RBSOA L = 500 µH RB2 = 0 VCC = 15 Volts RB1 selected for desired IB1 BUL44D2 TYPICAL CHARACTERISTICS 2.5 1 ms 5 ms 1 DC 0.1 0.01 10 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 1 µs 10 µs EXTENDED SOA IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 10 100 VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) 1000 Figure 24. Forward Bias Safe Operating Area TC ≤ 125°C GAIN ≥ 4 LC = 500 µH 2 1.5 1 -5 V 0.5 0V 0 200 -1.5 V 300 400 500 600 700 800 VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) 900 Figure 25. Reverse Bias Safe Operating Area POWER DERATING FACTOR 1 SECOND BREAKDOWN DERATING 0.8 0.6 THERMAL DERATING 0.4 0.2 0 20 40 100 60 80 120 TC, CASE TEMPERATURE (°C) 140 160 Figure 26. Forward Bias Power Derating TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 27. At any case temperatures, thermal limitations will reduce the power that can be handled to values less than the limitations imposed by second breakdown. For inductive loads, high voltage and current must be sustained simultaneously during turn–off with the base to emitter junction reverse biased. The safe level is specified as a reverse biased safe operating area (Figure 25). This rating is verified under clamped conditions so that the device is never subjected to an avalanche mode. There are two limitations on the power handling ability of a transistor: average junction temperature and second breakdown. Safe operating area curves indicate IC–VCE limits of the transistor that must be observed for reliable operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipation than the curves indicate. The data of Figure 24 is based on TC = 25°C; TJ(pk) is variable depending on power level. Second breakdown pulse limits are valid for duty cycles to 10% but must be derated when TC > 25°C. Second breakdown limitations do not derate the same as thermal limitations. Allowable current at the voltages shown on Figure 24 may be found at any case temperature by using the appropriate curve on Figure 26. http://onsemi.com 11 BUL44D2 TYPICAL THERMAL RESPONSE r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED) 1 0.5 0.2 0.1 0.1 P(pk) 0.05 0.02 t1 SINGLE PULSE t2 DUTY CYCLE, D = t1/t2 0.01 0.01 0.1 1 RθJC(t) = r(t) RθJC RθJC = 2.5°C/W MAX D CURVES APPLY FOR POWER PULSE TRAIN SHOWN READ TIME AT t1 TJ(pk) - TC = P(pk) RθJC(t) 10 100 1000 t, TIME (ms) Figure 27. Typical Thermal Response (ZθJC(t)) for BUL44D2 TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS 440 BVCER (VOLTS) 1000 t fr , FORWARD RECOVERY TIME (ns) 1100 TJ = 25°C 900 BVCER (VOLTS) @ 10 mA 800 700 600 BVCER(sus) @ 200 mA 500 400 10 100 RBE (Ω) 420 400 380 360 340 320 300 1000 dI/dt = 10 A/µs TC = 25°C 0 Figure 28. BVCER 1.5 0.5 1 IF, FORWARD CURRENT (AMP) Figure 29. Forward Recovery Time tfr http://onsemi.com 12 2 BUL44D2 PACKAGE DIMENSIONS TO–220AB CASE 221A–09 ISSUE AA –T– B SEATING PLANE C F T S 4 DIM A B C D F G H J K L N Q R S T U V Z A Q 1 2 3 U H K Z L R V NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH. 3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE ALLOWED. J G D N http://onsemi.com 13 INCHES MIN MAX 0.570 0.620 0.380 0.405 0.160 0.190 0.025 0.035 0.142 0.147 0.095 0.105 0.110 0.155 0.018 0.025 0.500 0.562 0.045 0.060 0.190 0.210 0.100 0.120 0.080 0.110 0.045 0.055 0.235 0.255 0.000 0.050 0.045 ----0.080 MILLIMETERS MIN MAX 14.48 15.75 9.66 10.28 4.07 4.82 0.64 0.88 3.61 3.73 2.42 2.66 2.80 3.93 0.46 0.64 12.70 14.27 1.15 1.52 4.83 5.33 2.54 3.04 2.04 2.79 1.15 1.39 5.97 6.47 0.00 1.27 1.15 ----2.04 BUL44D2 Notes http://onsemi.com 14 BUL44D2 Notes http://onsemi.com 15 BUL44D2 ON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. PUBLICATION ORDERING INFORMATION NORTH AMERICA Literature Fulfillment: Literature Distribution Center for ON Semiconductor P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada Email: [email protected] Fax Response Line: 303–675–2167 or 800–344–3810 Toll Free USA/Canada N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada EUROPE: LDC for ON Semiconductor – European Support German Phone: (+1) 303–308–7140 (Mon–Fri 2:30pm to 7:00pm CET) Email: ONlit–[email protected] French Phone: (+1) 303–308–7141 (Mon–Fri 2:00pm to 7:00pm CET) Email: ONlit–[email protected] English Phone: (+1) 303–308–7142 (Mon–Fri 12:00pm to 5:00pm GMT) Email: [email protected] CENTRAL/SOUTH AMERICA: Spanish Phone: 303–308–7143 (Mon–Fri 8:00am to 5:00pm MST) Email: ONlit–[email protected] Toll–Free from Mexico: Dial 01–800–288–2872 for Access – then Dial 866–297–9322 ASIA/PACIFIC: LDC for ON Semiconductor – Asia Support Phone: 1–303–675–2121 (Tue–Fri 9:00am to 1:00pm, Hong Kong Time) Toll Free from Hong Kong & Singapore: 001–800–4422–3781 Email: ONlit–[email protected] JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center 4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031 Phone: 81–3–5740–2700 Email: [email protected] ON Semiconductor Website: http://onsemi.com EUROPEAN TOLL–FREE ACCESS*: 00–800–4422–3781 *Available from Germany, France, Italy, UK, Ireland For additional information, please contact your local Sales Representative. http://onsemi.com 16 BUL44D2/D