EUPEC BSM300GA170DLC

Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 300 GA 170 DLC
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
VCES
1700
V
TC = 80 °C
IC,nom.
300
A
TC = 25 °C
IC
600
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collctor current
tP = 1 ms, TC=80°C
ICRM
600
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC=25°C, Transistor
Ptot
2500
W
VGES
+/- 20V
V
IF
300
A
IFRM
600
A
2
It
18.000
A2s
VISOL
3,4
kV
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tp = 1 ms
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Charakteristische Werte / Characteristic values
min.
typ.
max.
-
2,6
3,2
V
-
3,1
3,6
V
VGE(th)
4,5
5,5
6,5
V
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
IC = 300A, VGE = 15V, Tvj = 25°C
VCE sat
IC = 300A, VGE = 15V, Tvj = 125°C
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC = 14mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
gate charge
VGE = -15V ... +15V
QG
-
3,6
-
µC
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
Cies
-
20
-
nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
Cres
-
1,0
-
nF
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C
ICES
-
0,1
0,6
-
8
-
-
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 125°C
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C
prepared by: Regine Mallwitz
date of publication: 28.11.2000
approved by: Christoph Lübke; 28.11.2000
revision: 2 (Series)
1(8)
IGES
mA
mA
200
BSM300GA170DLC
nA
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 300 GA 170 DLC
Charakteristische Werte / Characteristic values
min.
typ.
max.
-
0,1
-
µs
-
0,1
-
µs
-
0,1
-
µs
-
0,1
-
µs
-
0,8
-
µs
-
0,9
-
µs
-
0,03
-
µs
-
0,03
-
µs
Eon
-
130
-
mWs
Eoff
-
95
-
mWs
ISC
-
1200
-
A
LsCE
-
15
-
nH
RCC’+EE’
-
0,5
-
mΩ
min.
typ.
max.
Transistor / Transistor
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
IC = 300A, VCE = 900V
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
IC = 300A, VCE = 900V
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
IC = 300A, VCE = 900V
VGE = ±15V, RG = 5Ω, Tvj = 25°C
td,on
VGE = ±15V, RG = 5Ω, Tvj = 125°C
VGE = ±15V, RG = 5Ω, Tvj = 25°C
tr
VGE = ±15V, RG = 5Ω, Tvj = 125°C
VGE = ±15V, RG = 5Ω, Tvj = 25°C
td,off
VGE = ±15V, RG = 5Ω, Tvj = 125°C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
IC = 300A, VCE = 900V
VGE = ±15V, RG = 5Ω, Tvj = 25°C
tf
VGE = ±15V, RG = 5Ω, Tvj = 125°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
IC = 300A, VCE = 900V, VGE = 15V
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
IC = 300A, VCE = 900V, VGE = 15V
Kurzschlußverhalten
SC Data
RG = 5Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH
RG = 5Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH
tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, RG = 5Ω
TVj≤125°C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt
Modulinduktivität
stray inductance module
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip
pro Zweig / per arm
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
Durchlaßspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IF = 300A, VGE = 0V, Tvj = 25°C
VF
IF = 300A, VGE = 0V, Tvj = 125°C
-
2,1
2,5
V
-
2,1
2,5
V
-
230
-
A
-
360
-
A
-
75
-
µAs
-
120
-
µAs
-
35
-
mWs
-
65
-
mWs
IF = 300A, - diF/dt = 3400A/µsec
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C
IRM
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IF = 300A, - diF/dt = 3400A/µsec
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IF = 300A, - diF/dt = 3400A/µsec
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C
Qr
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
2(8)
Erec
BSM300GA170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 300 GA 170 DLC
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
-
-
0,05
K/W
-
-
0,12
K/W
RthCK
-
-
0,012
K/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
Top
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40
-
125
°C
Transistor / transistor, DC
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Diode/Diode, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
dPaste ≤ 50µm / dgrease ≤ 50µm
RthJC
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Al2O3
Kriechstrecke
creepage distance
20
mm
Luftstrecke
clearance
11
mm
CTI
comperative tracking index
max.
5
terminals M4
max.
2
terminals M6
max.
5
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
G
Nm
Nm
420
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3(8)
BSM300GA170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 300 GA 170 DLC
Ausgangskennlinie (typisch)
Output characteristic (typical)
I C = f (VCE)
VGE = 15V
650
600
550
500
450
IC [A]
400
350
300
Tj = 25°C
250
Tj = 125°C
200
150
100
50
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
4,5
5,0
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld (typisch)
Output characteristic (typical)
I C = f (VCE)
Tvj = 125°C
650
600
VGE = 19V
550
VGE = 15V
500
VGE = 13V
450
VGE = 11V
VGE = 9V
IC [A]
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
VCE [V]
4(8)
BSM300GA170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 300 GA 170 DLC
Übertragungscharakteristik (typisch)
Transfer characteristic (typical)
I C = f (VGE)
VCE = 20V
650
600
Tj = 25°C
550
Tj = 125°C
500
450
IC [A]
400
350
300
250
200
150
100
50
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
VGE [V]
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
I F = f (VF)
650
600
550
Tj = 25°C
500
Tj = 125°C
450
IF [A]
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
VF [V]
5(8)
BSM300GA170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 300 GA 170 DLC
Schaltverluste (typisch)
Eon = f (IC) , E off = f (IC) , E rec = f (IC)
Rgon = Rgoff = 5Ω, VCE = 900V, Tj = 125°C
Switching losses (typical)
450
400
Eoff
Eon
350
Erec
E [mJ]
300
250
200
150
100
50
0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
IC [A]
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
E on = f (RG) , E off = f (RG) , E rec = f (RG)
IC = 300A , VCE = 900V , Tj = 125°C
300
Eoff
Eon
250
Erec
E [mJ]
200
150
100
50
0
0
5
10
15
20
25
RG [Ω]
6(8)
BSM300GA170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 300 GA 170 DLC
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
ZthJC = f (t)
1
ZthJC [K / W]
0,1
0,01
Zth:Diode
Zth:IGBT
0,001
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [sec]
1
2
3
4
i
ri [K/kW] : IGBT
τi [sec] : IGBT
5,58
16,14
24,05
4,23
0,0047
0,0356
0,0613
0,4669
ri [K/kW] : Diode
22,34
44,26
44,26
9,16
0,0062
0,0473
0,0473
0,2322
τi [sec]
: Diode
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
Rg = 5 Ohm, T vj= 125°C
650
600
550
IC,Modul
IC [A]
500
IC,Chip
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
VCE [V]
7(8)
BSM300GA170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 300 GA 170 DLC
8(8)
BSM300GA170DLC
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