ADVANCE INFO TF2110/TF2113 高侧和低侧栅极驱动器 特点: Features 描述 Description 驱动两个N沟道MOSFET或IGBT高侧/低侧配 置浮动高侧驱动器可以驱动的门电压高达 500V/600V 灌2.5A / 2.5A源的典型输出电流 负瞬态输出宽容 栅极驱动器宽电源电压范围:10V到20V 逻辑输入宽电压范围:3.3V至20V 宽逻辑电源偏移电压范围:-5V至5V 10ns(TF2110)/ 20ns (TF2113)的最大延迟匹配 27 ns(典型值)的上升/ 17 ns(典型值)下降 时间与1000 pF负载 120 ns(典型值)的导通/ 94 ns(典型值) 的 关断延迟时间 过低压锁定高侧和低侧驱动器 逐周期边沿触发关断电路 扩展温度范围:-40°C至+125°C 直接替代IR2110 / IR2113 TF2110, TF2113是高电压,高速MOSFET和IGBT驱动器 具有独立的高侧和低侧输出。 高侧驱动器提供浮动电 源高达500V / 600V。10ns(最大值)/20ns(最大值)的 传播延迟匹配之间的高侧驱动器和低侧驱动器允许高 频操作。 而驱动器输出具有最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲 设计,TF2110和TF2113逻辑的输入兼容标准CMOS电平 (低至3.3V)。 TF2110,TF2113提供16引脚SOIC封装和14引脚PDIP封 装。 他们工作在-40°C至+125°C温度范围。 应用 Applications DC-DC 转换器 AC-DC 逆变器 电机控制 D类功率放大器 订购信息 Ordering Information 零件号 (NOTE1) YY=年份 WW=星期 包/数量 封装 编号 TF2110-3BS TF2110-TEU TF2110-TEH TF2113-3BS TF2113-TEU TF2113-TEH PDIP-14 Tube / 25 YYWW SOIC-16W Tube / 47 TF2110 Lot ID SOIC-16W T&R / 2500 PDIP-14 Tube / 25 YYWW SOIC -16 W Tube / 47 TF2113 Lot ID SOIC-16W T&R / 2500 NOTE1 REPLACE X with P for 180 mm Tape & Reel Packing (Qty 3,000) or Q for 330 mm Tape & Reel Packing (Qty 10,000). 典型应用 Typical Application Up to 500V / 600V HO VDD VDD HIN HIN SD LIN VSS VCC SD R3 R4 VB VS TF2110 / TF2113 TO LOAD LIN VCC VSS COM LO www.tfproducts.com August 16, 2013 2013 ADVANCE INFO 1 ADVANCE INFO TF2110/TF2113 高侧和低侧栅极驱动器 引脚图 Pin Diagrams LO 1 16 NC COM 2 15 VSS VCC 3 14 LIN NC 4 13 SD NC 5 12 HIN VS 6 11 VDD VB 7 10 NC HO 8 9 NC LO 1 14 NC COM 2 13 VSS VCC 3 12 LIN NC 4 11 SD VS 5 10 HIN VB 6 9 VDD HO 7 8 NC 俯视图: SOIC-16 Wide 引脚名称 VDD HIN SD LIN VSS VB HO VS VCC LO COM NC 俯视图: PDIP-14 引脚说明 逻辑电源引脚 逻辑输入为高侧栅极驱动器输出, HIN和HO同相位。. 逻辑输入关断引脚。 逻辑输入为低侧栅极驱动器输出, LIN和LO同相位。 逻辑接地引脚。. 高侧栅极驱动器浮动电源引脚。. 高侧栅极驱动器输出引脚。. 高侧栅极驱动器浮动电源返回引脚。 低侧栅极驱动器电源引脚。 低侧栅极驱动器输出引脚。 低侧栅极驱动电源返回引脚。 “无连接”引脚。 www.tfproducts.com August 16, 2013 2013 ADVANCE INFO 2 ADVANCE INFO TF2110/TF2113 高侧和低侧栅极驱动器 绝对最大额定值 (注1) A VB -高压侧浮动电源电压(TF2110).................................-0.3V to +524V VB -高压侧浮动电源电压(TF2113).................................-0.3V to +624V VS-高压侧浮动电源偏移电压....................................VB-24V to VB+0.3V VHO -高压侧浮动输出电压..........................................VS-0.3V to VB+0.3V dVs/dt-瞬态偏移电压......................................................................50 V/ns Vcc-低侧和逻辑固定电源电压...........................................-0.3V to +24V VLO-低侧输出电压.......................................................-0.3V to VCC+0.3V VSS-逻辑电源偏移电压..............................................VCC-24V to VCC+0.3 VDD-逻辑电源电压..........................................................-0.3V to VSS+24V VIN-逻辑输入电压(HIN, LIN and SD).............VSS -0.3V to VDD+0.3V SOIC-16W 热阻 (注2) qJC.....................................................................................................45 °C/W PD - 封装功耗在TA ≤ 25 °C (注2) SOIC-16W.........................................................................................1.25W TSSOP-8..............................................................................................1.5W 注1: 在超出“绝对最大额定值”情况下工作,可能会造成设 备永久性损坏。 这些额定值只是最大值,并不意味着在这 些或任何其他条件超出正常的工作范围, 设备还可以正常工 作。 在绝对最大额定值条件下长时间工作可能会影响器件的 可靠性。 qJA.....................................................................................................90 °C/W PDIP-14 热阻 (注2) qJC.....................................................................................................35 °C/W qJA.....................................................................................................75 °C/W RTHJA .................................................................................................83 °C/W TJ -结工作温度 ................................................................................+150 °C TL-焊锡温度(焊接,10s)............................................................+300 °C Tstg存储温度范围...........................................................-55 °C to +150 °C 注2: 当安装在一个标准的JEDEC 2层FR-4板。 推荐工作条件 Recommended Operating Conditions 符号 VB VS 参数 高侧浮动电源电压绝对值 高侧浮动电源偏移电压 最小 典型值 最大 单元 VS + 10 - VS + 20 V 注3 - 500 (TF2110) 600 (TF2113) V - VB V VHO 高侧浮动输出电压 VS VCC 低侧固定电源电压 10 20 V VLO 低侧输出电压 0 VCC V VDD 逻辑电源电压 -5 注4 5 V VIN 逻辑输入电压(HIN,LIN和SD) Vss VDD V TA 环境温度 -40 125 °C NOTE3: 逻辑运算 VS = -4 to +500V. NOTE4: 当 VDD < 5V, 最小 VSS 偏移电压被限制为 - VDD www.tfproducts.com August 16, 2013 2013 ADVANCE INFO 3 ADVANCE INFO TF2110/TF2113 高侧和低侧栅极驱动器 直流电气特性 (注5) DC Electrical Characteristics VBIAS (VCC, VBS, VDD ) = 15V, TA = 25 °C, 和 VSS = COM (除非另有规定。) 符号 参数 VIH 逻辑“1”输入电压 VIL 逻辑“0”输入电压 VOH 高电平输出电压, VBIAS - VO 低电平输出电压, VO VOL ILK IBSQ ICCQ IDDQ IIN+ 条件 最小 典型值 最大 9.5 单元 V 6.0 V IO = 0A 1.2 V IO = 0A 0.1 V 偏置电源漏电流 VB = VS = 500V/600V 50 mA 静态VBS电源电流 VIN = 0V or VDD 125 230 mA 静态VCC电源电流 VIN = 0V or VDD 180 340 mA 静态VDD电源电流 VIN = 0V or VDD 15 30 mA 20 40 mA 1 mA 逻辑 “1” 输入偏置电流 IIN- VIN = VDD 逻辑“0” 输入偏置电流 VBSUV+ VIN = 0V VBS电源欠压正向阈值 7.5 8.6 9.7 V VBS 电源欠压负向阈值 7.0 8.2 9.4 V VCC 电源欠压正向阈值 7.4 8.5 9.6 V VCC电源欠压负向阈值 7.0 8.2 9.4 V VBSUVVCCUV+ VCCUVIO+ IO- 输出高电平短路脉冲电流 VO = 0V, VIN = VDD PW ≤ 10 ms 2.0 2.5 A 输出低电平短路脉冲电流 VO = 15V, VIN = 0V PW ≤ 10 ms 2.0 2.5 A 交流电气特性 AC Electrical Characteristics VBIAS (VCC, VBS, VDD ) = 15V, TA = 25 °C, 和 CL = 1000pF(除非另有规定。) 符号 参数 条件 最小 典型值 最大 单元 tON 打开传输延迟 VS = 0V 9.5 120 150 ns tOFF 关闭传输延迟 VS = 500/600V 94 125 ns tSD 关断传输延迟 VS = 500/600V 110 140 ns tr 开启上升时间 25 35 ns tf 关断下降时间 17 25 ns 10 (TF2110) 20 (TF2113) ns tDM 延时匹配 NOTE 5: VIN, V TH, 和 IIN参数,请参考VSS,并适用于所有三个逻辑引脚: HIN, LIN 和 SD. VO 和 IO 参数 参考COM,并适用于各自的输出引脚: HO and LO. www.tfproducts.com August 16, 2013 2013 ADVANCE INFO 4 ADVANCE INFO TF2110/TF2113 高侧和低侧栅极驱动器 时序和波形定义 Timing and Waveform Definitions HIN LIN SD HO LO 图 1. 输入/输出时序图 HIN LIN 50% 50% tON HO LO tr tOFF 90% 90% tf 10% 10% 图 2. 开关时间波形定义 SD 50% tSD 90% HO LO 图 3. 关断波形定义 HIN LIN 50% LO 50% HO 10% tDM tDM 90% LO HO 图 4. 延迟匹配波形定义 www.tfproducts.com August 16, 2013 2013 ADVANCE INFO 5 ADVANCE INFO TF2110/TF2113 高侧和低侧栅极驱动器 功能框图 Functional Block Diagram VDD R VB Q S HIN VDD/VCC Level Shift UV Detect Pulse Gen HV Level Shift Pulse Filter SD R Q HO R S High Voltage Well Vs Vcc UV Detect VDD/VCC Level Shift LIN LO S VSS Delay R Q COM 封装尺寸(PDIP-14) Package Dimensions ALL DIMENSIONS ARE IN INCHES UNLESS OTHERWISE NOTED unisem Jalan S. Parm an Kav. 201 Batam indo Industrial Park, M uka Kuning Batam Island 29433, Indonesia Telp:(62)-770-611888 Fax:(62)-770-611555 www.tfproducts.com August 16, 2013 2013 ADVANCE INFO 6 ADVANCE INFO TF2110/TF2113 封装尺寸 (SOIC-16W) Package Dimensions 高侧和低侧栅极驱动器 ALL DIMENSIONS ARE IN INCHES UNLESS OTHERWISE NOTED unisem Jalan S. Parm an Kav. 201 Batam indo Industrial Park, M uka Kuning Batam Island 29433, Indonesia Telp:(62)-770-611888 Fax:(62)-770-611555 Notes Important Notice Telefunken Semiconductors PRODUCTS ARE NEITHER DESIGNED NOR INTENDED FOR USE IN MILITARY AND/OR AEROSPACE, AUTOMOTIVE OR MEDICAL DEVICES OR SYSTEMS UNLESS THE SPECIFIC Telefunken Semiconductors PRODUCTS ARE SPECIFICALLY DESIGNATED BY Telefunken Semiconductors FOR SUCH USE. BUYERS ACKNOWLEDGE AND AGREE THAT ANY SUCH USE OF Telefunken Semiconductors PRODUCTS WHICH Telefunken Semiconductors HAS NOT DESIGNATED FOR USE IN MILITARY AND/OR AEROSPACE, AUTOMOTIVE OR MEDICAL DEVICES OR SYSTEMS IS SOLELY AT THE BUYER’S RISK. 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