桂林斯壯微電子有限責任公司

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM9926A
Dual N-channel 20V, TSSOP-8 MOSFET 双 N-溝道場效應管
▉Features 特點
Low on-resistance and maximum DC current capability 低導通電阻和最大直流電流能力
Super high density cell design 超高元胞密度設計
RDS(ON)<25mΩ@VGS=4.5V
RDS(ON)<40mΩ@VGS=2.5V
▉Applications 應用
Power Management in Note book 筆記本電源管理
Portable Equipment 便攜式設備
Battery Powered System 電池電源系統
DC/DC Converter 直流/直流变换
Load Switch 負載開關應用
▉Internal Schematic Diagram 內部結構
▉Absolute
Maximum Ratings 最大额定值
Characteristic 特性參數
Symbol 符號
Max 最大值 Unit 單位
Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓
BVDSS
20
V
Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓
VGS
+8
V
Drain Current (continuous)漏極電流-連續
ID
5.0
A
Drain Current (pulsed)漏極電流-脉冲
IDM
20
A
Total Device Dissipation 總耗散功率
PTOT(at TC = 25°C)
(at TC = 70°C)
2
1.6
W
Thermal Resistance Junction-Ambient 熱阻
RΘJA
78
℃/W
Thermal Resistance Junction-Case 熱阻
RΘJC
40
℃/W
Junction/Storage Temperature 結溫/儲存溫度
TJ,Tstg
-55~150
℃
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▉Electrical
Characteristics 電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Typ
典型值
Max
最大值
Unit
單位
Drain-Source Breakdown Voltage
漏極-源極擊穿電壓(ID =250uA,VGS=0V)
BVDSS
20
—
—
V
VGS(th)
0.5
—
1.0
V
IDSS
—
—
1
uA
IGSS
—
—
+100
nA
RDS(ON)
—
24
35
25
40
mΩ
VSD
—
—
1.2
V
Gate Threshold Voltage
栅極開启電壓(ID =250uA,VGS= VDS)
Zero Gate Voltage Drain Current
零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= 20V)
Gate Body Leakage
栅極漏電流(VGS=+8V, VDS=0V)
Static Drain-Source On-State Resistance
静态漏源導通電阻(ID=5A,VGS=4.5V)
(ID=3A,VGS=2.5V)
Diode Forward Voltage Drop
内附二極管正向壓降(ISD=1.7A,VGS=0V)
Input Capacitance 輸入電容
(VGS=0V, VDS=10V,f=1MHz)
Common Source Output Capacitance
共源輸出電容(VGS=0V, VDS=10V,f=1MHz)
CISS
—
600
—
pF
COSS
—
90
—
pF
Reverse Transfer Capacitance 反向传輸電容
(VGS=0V, VDS=10V,f=1MHz)
CRSS
—
40
—
pF
Qgs
—
1.2
—
nC
Qgd
—
1.9
—
nC
td(on)
—
8
—
ns
Gate Source Charge 栅源電荷密度
(VDS=10V, ID=3A, VGS=4.5V)
Gate Drain Charge 栅漏電荷密度
(VDS=10V, ID=3A, VGS=4.5V)
Turn-On Delay Time 開启延迟時間
(VDS=10V, ID=1A, RGEN=6Ω,VGS=4.5V)
Turn-On Rise Time 開启上升時間
(VDS=10V, ID=1A, RGEN=6Ω,VGS=4.5V)
Turn-Off Delay Time 關断延迟時間
(VDS=10V, ID=1A, RGEN=6Ω,VGS=4.5V)
tr
—
10
—
ns
td(off)
—
18
—
ns
Turn-On Fall Time 開启下降時間
(VDS=10V, ID=1A, RGEN=6Ω,VGS=4.5V)
tf
—
5
—
ns
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■TYPICAL CHARACTERISTIC
CURVE(PER DIE)
典型特性曲线
Fig 1: Output Characteristics
Figure 3: On-Resistance vs. Temperature
Figure 5: Gate-Charge Characteristics
Figure 2: Transfer Characteristics
Figure 4: Capacitance vs. Gate-Source Voltage
Figure 6: Safe
Operating Area
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■DIMENSION
外形封裝尺寸