elm36400ea

シングル N チャンネル MOSFET
ELM36400EA-S
■概要
■特長
ELM36400EA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=7A
・ Rds(on) < 27mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 40mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vgs
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Id
Ta=100℃
パルス ・ ドレイン電流
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
±20
V
7
A
5
Idm
Tc=25℃
最大許容損失
Tc=100℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
20
1.6
A
3
W
1.2
- 55 ~ 150
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - ケース
定常状態
記号
Rθjc
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
Rθja
■端子配列図
SOT-26(TOP VIEW)
Typ.
Max.
30
単位
℃/W
78
℃/W
備考
■回路
端子番号
1
端子記号
DRAIN
2
3
4
DRAIN
GATE
SOURCE
5
6
DRAIN
DRAIN
4-1
�
�
�
シングル N チャンネル MOSFET
ELM36400EA-S
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=24V, Vgs=0V
Vds=20V, Vgs=0V, Ta=125℃
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
Vgs=10V, Id=7A
ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on)
Vgs=4.5V, Id=5A
順方向相互コンダクタンス
Gfs Vds=5V, Id=7A
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
Vsd
30
V
1
10
μA
±100 nA
1.0
20
1.5
3.0
V
A
1
mΩ
1
S
1
1.1
V
1
3
A
23
27
32
14.4
40
If=1A, Vgs=0V
Is
入力容量
出力容量
帰還容量
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Crss
680
140
70
pF
pF
pF
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
10.0 15.0
1.7
nC
nC
2
2
ゲート - ドレイン電荷
Qgd
2.1
nC
2
8.0
4.0
ns
ns
2
2
22.0
5.0
ns
ns
2
2
Vgs=10V, Vds=15V, Id=7A
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=10V, Id=1A
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
td(off) Rgen=6Ω
tf
備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1%
4-2
NIKO-SEM
P2703BAG
N-Channel Logic Level Enhancement Mode
シングル
N チャンネル MOSFET
Field Effect Transistor_Preliminary
TSOP-6
Lead-Free
ELM36400EA-S
I ,DRAIN - SOURCE CURRENT( A )
■標準特性と熱特性曲線
0
I S,REVERSE DRAIN CURRENT( A )
100
VGS= 0V
10
4-3
TA = 125°C
1
25°C
0.1
-55°C
0.01
0.001
0.0001
3
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE VARIATION WITH
SOURCE CURRENT AND TEMPERATURE
0
0.8
0.2
1.0
1.2
0.4
0.6
VSD ,BODY DIODE FORWARD VOLTAGE( V )
1.4
AUG-12-2005
シングル N チャンネル MOSFET
N-Channel Logic Level Enhancement Mode
ELM36400EA-S
Field Effect
Transistor_Preliminary
NIKO-SEM
TSOP-6
Lead-Free
TRANSIENT THERMAL RESPONSE CURVE
1
D=0.5
10
0
0.20
0.10
10
10
10
10
-1
-2
0.05
0.02
0.01
Single pulse
P(pk)
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
r ( t ) ,NORMALIZED EFFECTIVE
10
P2703BAG
t1
-3
t2
1.R� JC (t)=r(t)*R
2.R � JC = 156° C/W
3.T j + TC = P * R� JC (t)
t1
4.Duty Cycle,D =
t2
-4
10
-4
10
-3
10
-2
-1
10
10
t1 , TIME( ms )
0
10
1
10
4 4- 4
2
10
3
AUG-12-2005
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