シングル N チャンネル MOSFET ELM33404CA-S ■概要 ■特長 ELM33404CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=3A ・ Rds(on) < 85mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 115mΩ (Vgs=4.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vgs ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Ta=100℃ パルス ・ ドレイン電流 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 ±20 V 3 Id Idm Tc=25℃ 最大許容損失 Tc=100℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg A 2 20 0.6 A 3 W 0.5 - 55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - ケース 定常状態 記号 Rθjc 最大接合部 - 周囲温度 定常状態 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 65 単位 ℃/W 230 ℃/W ■回路 � SOT-23(TOP VIEW) � � 備考 � 端子番号 1 端子記号 GATE 2 SOURCE 3 DRAIN � � 4-1 シングル N チャンネル MOSFET ELM33404CA-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=24V, Vgs=0V Vds=20V, Vgs=0V, Ta=125℃ ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=10V, Vds=10V Vgs=10V, Id=3A ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Vgs=4.5V, Id=1.5A 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=15V, Id=3A ダイオード順方向電圧 Vsd 最大寄生ダイオード連続電流 ダイオード パルス電流 Is Ism 動的特性 入力容量 出力容量 30 V 1 10 ±100 nA 0.8 3 1.2 2.5 V A 1 mΩ 1 S 1 1.5 V 1 2.3 4.6 A A 3 48 85 70 16 115 If=Is, Vgs=0V Ciss Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz μA 450 200 pF pF 帰還容量 スイッチング特性 総ゲート電荷 Crss 60 pF Qg 15.0 nC 2 ゲート - ソース電荷 Qgs 2.0 nC 2 7.0 6.0 nC ns 2 2 6.0 20.0 5.0 ns ns ns 2 2 2 Vgs=10V, Vds=15V, Id=3A ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 Qgd td(on) ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 tr Vgs=10V, Vds=15V, Id=3A td(off) RL=1Ω, Rgen=2.5Ω tf 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1％ 4-2 NIKO-SEM P8503BMG N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23 Lead Free シングル N チャンネル MOSFET ELM33404CA-S ■標準特性と熱特性曲線 Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature. IS,Reverse Drain Current(A) 5 1 VGS=0V TJ=125°C 0.1 25°C -55°C 0.01 0.001 0.0001 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 VSD,Body Diode Forward Voltage(V) 3 4-3 Mar-22-2006 NIKO-SEM N-Channel Logic Level Enhancement Mode シングル N チャンネル MOSFET Field Effect Transistor ELM33404CA-S 4 4-4 P8503BMG SOT-23 Lead Free Mar-22-2006