elm13421ca

シングル P チャンネル MOSFET
ELM13421CA-S
■概要
■特長
ELM13421CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-30V
・ Id=-2.6A (Vgs=-10V)
オン抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Rds(on) < 130mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 200mΩ (Vgs=-4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
-30
V
±20
V
-2.6
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
-2.2
-20
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
Pd
接合温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
1.4
1.0
-55 ~ 150
A
1
A
2
W
1
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
記号
t≦10s
定常状態
Rθja
最大接合部 - リード
定常状態
Rθjl
■端子配列図
Typ.
70
100
Max.
90
125
単位
℃/W
℃/W
備考
63
80
℃/W
3
■回路
�
SOT-23(TOP VIEW)
�
�
1
�
端子番号
1
2
端子記号
GATE
SOURCE
3
DRAIN
�
�
4-1
シングル P チャンネル MOSFET
ELM13421CA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=-24V
Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
-30
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-1.4
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
-5
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Vgs=-10V
Rds(on) Id=-2.6A
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
Ciss
出力容量
Coss
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
Crss
Rg
総ゲート電荷 (10V)
総ゲート電荷 (4.5V)
ゲート - ソース電荷
Qg
Qg
Qgs
V
3.0
μA
±100
nA
-3.0
V
A
97
135
Ta=125℃
Vgs=-4.5V, Id=-2A
Vds=-5V, Id=-2.5A
Is=-1A, Vgs=0V
-1.9
-1
-5
130
150
166 200
3.8
-0.82 -1.00
Is
-2
mΩ
S
V
A
302.0 370.0 pF
Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
50.3
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
37.8
12
pF
Ω
Vgs=-10V, Vds=-15V
Id=-2.6A
6.80
2.40
1.60
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
0.95
7.5
3.2
nC
ns
ns
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=5.8Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
If=-2.6A, dlf/dt=100A/μs
Qrr
17.0
6.8
16.8
ns
ns
ns
寄生ダイオード逆回復電荷量
10.0
18
9.00
22.0
nC
nC
nC
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
シングル P チャンネル MOSFET
ELM13421CA-S
■標準特性と熱特性曲線
10
20
-8V
Vds=-5V
8
15
-6V
10
-5.5V
-5V
25°C
-Id (A)
-Id (A)
-10V
Vgs=-4.5V
-4V
-3.5V
5
0
1
2
3
125°C
4
2
-3.0V
0
6
0
4
5
1
2
5
6
1.6
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
4
370
250
200
150
Vgs=-4.5V
100
Vgs=-10V
50
0
1
2
3
4
5
18
Vgs=-10V
1.4
9
Vgs=-4.5V
1.2
Id=-2A
1
0.8
6
0
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
22
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1.0E+01
300
1.0E+00
250
Id=-2A
200
1.0E-01
125°C
-Is (A)
Rds(on) (m� )
3
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
150
100
25°C
1.0E-02
125°C
1.0E-03
25°C
1.0E-04
50
1.0E-05
1.0E-06
0
3
4
5
6
7
8
9
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
1.2
シングル P チャンネル MOSFET
ELM13421CA-S
10
8
400
7
Capacitance (pF)
-Vgs (Volts)
500
Vds=-15V
Id=-2.6A
9
6
5
4
3
2
Ciss
300
200
Coss
100
1
0
0
1
2
3
4
5
6
Crss
0
7
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
20
Rds(on)
limited
100�s
10ms
10s
0.1
DC
1
10
100
10
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=90°C/W
0.01
0.1
1
10
100
22
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
30
9
0
0.001
-Vds (Volts)
10
25
5
1s
0.1
20
Tj(max)=150°C
18
Ta=25°C
15
10�s
1ms
0.1s
1.0
15
370
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10.0
10
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
-Id (Amps)
100.0
5
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
100
1000
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