シングル P チャンネル MOSFET ELM14425AA-N ■概要 ■特長 ELM14425AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-38V ・ Id=-14A (Vgs=-20V) オン抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 また、 保護回路によって ESD 耐性があります。 ・ Rds(on) < 10mΩ (Vgs=-20V) ・ Rds(on) < 11mΩ (Vgs=-10V) ・ ESD Rating : 4000V HBM ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 -38 V ±25 V -14 Id -11 -50 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg 3.1 2.0 -55 ～ 150 A 1 A 2 W 1 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 t≦10s 最大接合部 - 周囲温度 定常状態 最大接合部 - リード 定常状態 Rθja Rθjl ■端子配列図 Typ. 26 Max. 40 単位 ℃/W 50 75 ℃/W 14 24 ℃/W 備考 1 3 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 1 端子記号 SOURCE 2 3 4 SOURCE SOURCE GATE 5 6 7 DRAIN DRAIN DRAIN 8 DRAIN 4-1 � � � シングル P チャンネル MOSFET ELM14425AA-N ■電気的特性 項目 特に指定なき場合、 Ta=25℃ 記号 条件 Min. Typ. Max. 単位 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss ゲート漏れ電流 Igss Vds=-30V Vgs=0V -38 -100 -500 Ta=55℃ Vds=0V, Vgs=±20V ±1 Vds=0V, Vgs=±25V ±10 ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -2.0 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V -50 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス Vgs=-20V Rds(on) Id=-14A Ta=125℃ Vgs=-10V, Id=-14A Gfs Vds=-5V, Id=-14A ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 Vsd Is 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 ゲート抵抗 Coss Crss Rg スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs V Is=-1A, Vgs=0V Vgs=0V, Vds=-20V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=-10V, Vds=-20V Id=-14A -2.5 -3.5 nA μA V A 7.7 11.0 8.8 43 10.0 13.5 mΩ 11.0 S -0.71 -1.00 -4.2 V A 3800 pF 560 350 7.5 pF pF Ω 63.0 14.1 nC nC ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 Qgd td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-20V 16.1 12.4 9.2 nC ns ns ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 td(off) RL=1.35Ω, Rgen=3Ω tf trr If=-14A, dlf/dt=100A/μs 97.5 45.5 35 ns ns ns 33 nC 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr If=-14A, dlf/dt=100A/μs 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 シングル P チャンネル MOSFET ELM14425AA-N ■標準特性と熱特性曲線 30 30 -20V -10V -5V 25 20 -4.5V -Id (A) -Id (A) 20 -4V 15 -3.5V 10 5 2 3 4 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 -Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 10 1.6 Normalized On-Resistance Rds(on) (m� ) 25°C 0 5 -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics Vgs=-10V 9 8 Vgs=-20V 7 6 0 5 10 15 20 25 Vgs=-10V Id = -14A 1.4 Vgs=-20V Id = -14A 1.2 1 0.8 30 0 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature -15 1.0E+01 20 -12.8 Id=-14A 1.0E+00 1.0E-01 15 -Is (A) Rds(on) (m� ) 125°C 5 0 1 15 10 Vgs=-3V 0 Vds=-5V 25 125°C 10 125°C 1.0E-02 1.0E-03 1.0E-04 25°C 25°C 1.0E-05 1.0E-06 5 4 8 12 16 0.0 20 0.2 0.4 0.6 0.8 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 1.0 シングル P チャンネル MOSFET ELM14425AA-N 5000 10 Vds=-15V Id=-14A Capacitance (pF) 6 4 2000 1000 0 0 10 20 30 40 50 60 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 100.0 70 10 20 30 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 30 0.1s 1s 20 10 Tj(max)=150°C Ta=25°C 10s DC 0 0.001 0.1 0.1 40 Tj(max)=150°C Ta=25°C 100�s 10ms 1 -Vds (Volts) 10 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) 100 Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance Crss 40 1ms 10.0 1.0 Coss 0 10�s Rds(on) limited -Id (Amps) 3000 2 0 Ciss 4000 Power (W) -Vgs (Volts) 8 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=40°C/W -12.8 0.01 -15 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 T 1 10 0.01 Pulse 0.1 Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 0.001 4-4 100 1000