elm14425aa

シングル P チャンネル MOSFET
ELM14425AA-N
■概要
■特長
ELM14425AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-38V
・ Id=-14A (Vgs=-20V)
オン抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
また、 保護回路によって ESD 耐性があります。
・ Rds(on) < 10mΩ (Vgs=-20V)
・ Rds(on) < 11mΩ (Vgs=-10V)
・ ESD Rating : 4000V HBM
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
-38
V
±25
V
-14
Id
-11
-50
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
3.1
2.0
-55 ~ 150
A
1
A
2
W
1
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
t≦10s
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
最大接合部 - リード
定常状態
Rθja
Rθjl
■端子配列図
Typ.
26
Max.
40
単位
℃/W
50
75
℃/W
14
24
℃/W
備考
1
3
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
1
端子記号
SOURCE
2
3
4
SOURCE
SOURCE
GATE
5
6
7
DRAIN
DRAIN
DRAIN
8
DRAIN
4-1
�
�
�
シングル P チャンネル MOSFET
ELM14425AA-N
■電気的特性
項目
特に指定なき場合、 Ta=25℃
記号
条件
Min.
Typ.
Max. 単位
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=-30V
Vgs=0V
-38
-100
-500
Ta=55℃
Vds=0V, Vgs=±20V
±1
Vds=0V, Vgs=±25V
±10
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-2.0
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
-50
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
Vgs=-20V
Rds(on) Id=-14A
Ta=125℃
Vgs=-10V, Id=-14A
Gfs Vds=-5V, Id=-14A
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
Vsd
Is
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
Coss
Crss
Rg
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
V
Is=-1A, Vgs=0V
Vgs=0V, Vds=-20V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=-10V, Vds=-20V
Id=-14A
-2.5
-3.5
nA
μA
V
A
7.7
11.0
8.8
43
10.0
13.5 mΩ
11.0
S
-0.71 -1.00
-4.2
V
A
3800
pF
560
350
7.5
pF
pF
Ω
63.0
14.1
nC
nC
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-20V
16.1
12.4
9.2
nC
ns
ns
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=1.35Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
If=-14A, dlf/dt=100A/μs
97.5
45.5
35
ns
ns
ns
33
nC
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=-14A, dlf/dt=100A/μs
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
シングル P チャンネル MOSFET
ELM14425AA-N
■標準特性と熱特性曲線
30
30
-20V
-10V
-5V
25
20
-4.5V
-Id (A)
-Id (A)
20
-4V
15
-3.5V
10
5
2
3
4
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
10
1.6
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
25°C
0
5
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
Vgs=-10V
9
8
Vgs=-20V
7
6
0
5
10
15
20
25
Vgs=-10V
Id = -14A
1.4
Vgs=-20V
Id = -14A
1.2
1
0.8
30
0
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
-15
1.0E+01
20
-12.8
Id=-14A
1.0E+00
1.0E-01
15
-Is (A)
Rds(on) (m� )
125°C
5
0
1
15
10
Vgs=-3V
0
Vds=-5V
25
125°C
10
125°C
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
25°C
25°C
1.0E-05
1.0E-06
5
4
8
12
16
0.0
20
0.2
0.4
0.6
0.8
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
1.0
シングル P チャンネル MOSFET
ELM14425AA-N
5000
10
Vds=-15V
Id=-14A
Capacitance (pF)
6
4
2000
1000
0
0
10
20
30
40
50
60
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100.0
70
10
20
30
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
30
0.1s
1s
20
10
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10s
DC
0
0.001
0.1
0.1
40
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
100�s
10ms
1
-Vds (Volts)
10
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
100
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
Crss
40
1ms
10.0
1.0
Coss
0
10�s
Rds(on)
limited
-Id (Amps)
3000
2
0
Ciss
4000
Power (W)
-Vgs (Volts)
8
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=40°C/W
-12.8
0.01
-15
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
T
1
10
0.01
Pulse 0.1
Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
0.001
4-4
100
1000
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