シングル P チャンネル MOSFET ELM14407AA-N ■概要 ■特長 ELM14407AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ・ Id=-12A (Vgs=-20V) オン抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Rds(on) < 13mΩ (Vgs=-20V) ・ Rds(on) < 14mΩ (Vgs=-10V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 -30 V Vgs Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 Id Idm Tc=25℃ 最大許容損失 Tc=70℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg ±25 -12 -10 V A 1 -60 3.0 A 2 W 1 2.1 -55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - リード 記号 t≦10s 定常状態 定常状態 Rθja Rθjl ■端子配列図 Typ. 28 Max. 40 単位 ℃/W 54 21 75 30 ℃/W ℃/W 備考 1 3 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 1 端子記号 SOURCE 2 3 4 SOURCE SOURCE GATE 5 6 7 DRAIN DRAIN DRAIN 8 DRAIN 4-1 � � � シングル P チャンネル MOSFET ELM14407AA-N ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=-24V Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±25V -30 Ta=55℃ ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -1.7 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V -60 ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) 順方向相互コンダクタンス Gfs ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 Vsd Is 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 ゲート抵抗 Coss Crss Rg スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs Vgs=-10V Id=-10A V Ta=125℃ Vgs=-20V, Id=-10A Vgs=-4.5V, Id=-10A Vds=-5V, Id=-10A Is=-1A, Vgs=0V Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-12A -2.5 -1 -5 μA ±100 nA -3.0 V A 11 15 14 19 10 24 26 13 mΩ S -0.72 -1.00 -4.2 V A 2076 2500 pF 503 302 2 37.2 7.0 3 45.0 pF pF Ω nC nC ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 Qgd td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V 10.4 12.4 8.2 nC ns ns ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 td(off) RL=1.25Ω, Rgen=3Ω tf trr If=-12A, dlf/dt=100A/μs 25.6 12.0 33 ns ns ns 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr If=-12A, dlf/dt=100A/μs 23 40 nC 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 シングル P チャンネル MOSFET ELM14407AA-N ■標準特性と熱特性曲線 50 -10V -8V 25 -6V 20 -5V 30 20 -Id(A) -Id (A) Vds=-5V -5.5V 40 -4.5V 10 15 10 125°C 5 Vgs=-4V 25°C 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 1 -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 2.5 3 3.5 4 4.5 5 Normalized On-Resistance 1.6 25 Rds(on) (m� ) 2 -Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 30 20 Vgs=-6V 15 10 Vgs=-10V 5 0 Id=-10A 1.4 Vgs=-10V 1.2 Vgs=-4.5V 1 0.8 0 5 10 15 20 25 0 25 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 60 1.0E+01 1.0E+00 Id=-10A 50 1.0E-01 40 -Is (A) Rds(on) (m� ) 1.5 30 20 125°C 25°C 1.0E-03 1.0E-04 10 1.0E-05 0 1.0E-06 0 2 4 6 8 125°C 1.0E-02 10 25°C 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 1.2 シングル P チャンネル MOSFET ELM14407AA-N 10 2500 Capacitance (pF) 8 -Vgs (Volts) 3000 Vds=-15V Id=-12A 6 4 2 Ciss 2000 1500 Coss 1000 Crss 500 0 0 5 10 15 20 25 30 35 0 40 0 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 100�s Rds(on) 10.0 limited 10ms 1s DC 20 1 10 0 0.001 100 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=40°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) -Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 30 10 10s 10 25 30 1ms 0.1 20 Tj(max)=150°C Ta=25°C 10�s 0.1s 0.1 15 40 Tj(max)=150°C Ta=25°C 1.0 10 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) -Id (Amps) 100.0 5 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 100 1000