シングル P チャンネル MOSFET ELM14423AA-N ■概要 ■特長 ELM14423AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ・ Id=-15A (Vgs=-20V) オン抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 また、 保護回路によって ESD 耐性があります。 ・ Rds(on) < 7mΩ (Vgs=-20V) ・ Rds(on) < 8.5mΩ (Vgs=-10V) ・ ESD Rating : 6000V HBM ■絶対最大定格値 項目 記号 ドレイン - ソース電圧 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 Vds Vgs ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 -30 ±25 -15.0 Id -12.1 Idm Tc=25℃ 最大許容損失 Tc=70℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg V V -80 3.1 2.0 -55 ～ 150 A 1 A 2 W 1 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 t≦10s 最大接合部 - 周囲温度 定常状態 最大接合部 - リード 定常状態 Rθja Rθjl ■端子配列図 Typ. 26 Max. 40 単位 ℃/W 50 75 ℃/W 14 24 ℃/W 備考 1 3 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 1 端子記号 SOURCE 2 3 4 SOURCE SOURCE GATE 5 6 7 DRAIN DRAIN DRAIN 8 DRAIN 4-1 � � � シングル P チャンネル MOSFET ELM14423AA-N ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss ゲート漏れ電流 Igss ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 Rds(on) 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Gfs Vsd Is V Vds=-24V Vgs=0V -100 Ta=55℃ Vds=0V, Vgs=±20V -500 ±1 Vds=0V, Vgs=±25V ±10 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V ドレイン - ソースオン状態抵抗 -30 Vgs=-20V Id=-15A Ta=125℃ Vgs=-10V, Id=-15A Vgs=-6V, Id=-10A Vds=-5V, Id=-15A Is=-1A, Vgs=0V -2.0 -80 -2.7 -3.5 5.7 7.0 7.1 8.6 6.8 9.4 8.5 12.0 nA μA V A mΩ 43 -0.71 -1.00 -4.2 S V A 4632 1034 pF pF 705 pF 2.5 Ω 82.0 nC 16.8 23.0 nC nC 18.5 20.0 55.0 ns ns ns 30.0 43 38 ns ns nC 動的特性 入力容量 出力容量 Ciss Coss 帰還容量 Crss ゲート抵抗 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 Rg Qg Qgs Qgd Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-15A td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V td(off) RL=1Ω, Rgen=3Ω tf trr Qrr If=-15A, dlf/dt=100A/μs If=-15A, dlf/dt=100A/μs 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 シングル P チャンネル MOSFET ELM14423AA-N ■標準特性と熱特性曲線 30 50 -10V Vds=-5V 25 -6V -5V 30 20 -4.5V -Id(A) -Id (A) 40 20 125°C 15 10 Vgs=-4V 10 25°C 5 0 0 0 1 2 3 4 2 5 2.5 12 4 4.5 5 1.6 Normalized On-Resistance Vgs=-6V Rds(on) (m� ) 3.5 -Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 10 8 Vgs=-10V 6 Vgs=-20V 4 Vgs=-10V Id = -15A 1.4 Vgs=-20V Id = -15A 1.2 Vgs=-6V Id = -10A 1 0.8 0 5 10 15 20 25 30 0 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 16 25 50 -Is (A) 10 175 125°C 1.0E-02 1.0E-03 1.0E-04 25°C 6 1.0E-05 4 1.0E-06 8 150 1.0E+00 125°C 4 125 -15 1.0E+01 1.0E-01 8 100 -12.8 Id=-15A 12 75 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 14 Rds(on) (m� ) 3 12 16 25°C 0.0 20 0.2 0.4 0.6 0.8 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 1.0 シングル P チャンネル MOSFET ELM14423AA-N 10 6000 Capacitance (pF) 8 -Vgs (Volts) 7000 Vds=-15V Id=-15A 6 4 2 4000 3000 Coss 2000 1000 0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Crss 0 90 0 100.0 5 10 15 20 25 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 40 Rds(on) limited 100�s 1ms 10.0 30 10ms 0.1s 1.0 1s Tj(max)=150°C Ta=25°C 10s DC 1 10 -Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 20 10 0 0.001 0.1 0.1 30 Tj(max)=150°C Ta=25°C 10�s Power (W) -Id (Amps) Ciss 5000 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=40°C/W 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) 100 -12.8 0.01 -15 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton Single Pulse 0.0001 T 1 10 0.001 0.01 Pulse 0.1 Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 100 1000