シングル N チャンネル MOSFET ELM3C1260A ■概要 ■特長 ELM3C1260A は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ON ・ Vds=600V 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=12A ・ Rds(on) < 0.65Ω (Vgs=10V) ■絶対最大定格値 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 記号 ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Vds Vgs Ta=25℃ Ta=100℃ 600 ±30 パルス ・ ドレイン電流 Idm 12.0 8.5 48 アバランシェ電流 アバランシェエネルギー Ias Eas 7.4 277 連続ドレイン電流 Id L=10mH Tc=25℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 50 Pd Tc=100℃ V V 4 A 3, 4 A mJ 5 5 W 20 -55 to 150 Tj, Tstg A ℃ ■熱特性 項目 記号 最大接合部 - ケース 最大接合部 - 周囲温度 Rθjc Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 単位 2.5 62.5 ℃/W ℃/W ■回路 D TO-220F(TOP VIEW) 1 2 備考 3 端子番号 1 2 端子記号 GATE DRAIN 3 SOURCE 6-1 G S シングル N チャンネル MOSFET ELM3C1260A ■電気的特性 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 記号 条件 Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V Idss Vds=600V Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±30V ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 25 Ta=100℃ Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Rds(on) Vgs=10V, Id=1A Gfs Vds=10V, Id=1A Vsd Is V Ta=25℃ ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 ゲート ・ スレッシュホールド電圧 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス 600 250 μA ±100 nA 2.5 3.7 1.9 If=2A, Vgs=0V 4.5 4.4 V Ω S 1 1 1.5 2 V A 1 3 動的特性 入力容量 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 Ciss Vgs=0V, Vds=15V Coss f=1MHz Crss Qg Qgs Qgd td(on) tr Vgs=10V, Vds=300V Id=1.2A Vds=300V, Id=2A td(off) Rgen=25Ω tf trr Qrr If=2A, dIf/dt=100A/μs Vgs=0V 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. 最大容許温度に限られる 5. Vdd=60V時,スタート Tj=25℃ 6-2 342 47 pF pF 6 pF 7.8 nC 2 3.1 2.3 15 nC nC ns 2 2 2 30 ns 2 28 36 ns ns 2 2 780 3.8 ns μC シングル N チャンネル MOSFET ELM3C1260A ■標準特性と熱特性曲線 6-3 シングル N チャンネル MOSFET ELM3C1260A � � � � � � � � � 6-4 シングル N チャンネル MOSFET ELM3C1260A 6 -5 シングル N チャンネル MOSFET ELM3C1260A 6-6