elm3c1260a

シングル N チャンネル MOSFET
ELM3C1260A
■概要
■特長
ELM3C1260A は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ON
・ Vds=600V
抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=12A
・ Rds(on) < 0.65Ω (Vgs=10V)
■絶対最大定格値
項目
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
記号
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Vds
Vgs
Ta=25℃
Ta=100℃
600
±30
パルス ・ ドレイン電流
Idm
12.0
8.5
48
アバランシェ電流
アバランシェエネルギー
Ias
Eas
7.4
277
連続ドレイン電流
Id
L=10mH
Tc=25℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
50
Pd
Tc=100℃
V
V
4
A
3, 4
A
mJ
5
5
W
20
-55 to 150
Tj, Tstg
A
℃
■熱特性
項目
記号
最大接合部 - ケース
最大接合部 - 周囲温度
Rθjc
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
単位
2.5
62.5
℃/W
℃/W
■回路
D
TO-220F(TOP VIEW)
1
2
備考
3
端子番号
1
2
端子記号
GATE
DRAIN
3
SOURCE
6-1
G
S
シングル N チャンネル MOSFET
ELM3C1260A
■電気的特性
項目
特に指定なき場合、Ta=25℃
記号
条件
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
Idss
Vds=600V
Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±30V
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
25
Ta=100℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Rds(on) Vgs=10V, Id=1A
Gfs Vds=10V, Id=1A
Vsd
Is
V
Ta=25℃
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
600
250
μA
±100 nA
2.5
3.7
1.9
If=2A, Vgs=0V
4.5
4.4
V
Ω
S
1
1
1.5
2
V
A
1
3
動的特性
入力容量
出力容量
帰還容量
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
Ciss
Vgs=0V, Vds=15V
Coss
f=1MHz
Crss
Qg
Qgs
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=300V
Id=1.2A
Vds=300V, Id=2A
td(off) Rgen=25Ω
tf
trr
Qrr
If=2A, dIf/dt=100A/μs
Vgs=0V
備考 :
1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. 最大容許温度に限られる
5. Vdd=60V時,スタート Tj=25℃
6-2
342
47
pF
pF
6
pF
7.8
nC
2
3.1
2.3
15
nC
nC
ns
2
2
2
30
ns
2
28
36
ns
ns
2
2
780
3.8
ns
μC
シングル N チャンネル MOSFET
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ELM3C1260A
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■標準特性と熱特性曲線
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6-3
シングル N チャンネル MOSFET
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ELM3C1260A
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6-4
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N チャンネル MOSFET 
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ELM3C1260A
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-5
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N チャンネル MOSFET 
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
ELM3C1260A
 


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

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

6-6


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