elm13406ca

シングル N チャンネル MOSFET
ELM13406CA-S
■概要
■特長
ELM13406CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=3.6A (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 65mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 105mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
30
V
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
±20
3.6
2.9
15
Id
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
V
1.4
0.9
- 55 ~ 150
A
1
A
2
W
1
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
記号
t ≦ 10s
定常状態
Rθja
最大接合部 - リード
定常状態
Rθjl
■端子配列図
Typ.
70
100
Max.
90
125
単位
℃/W
℃/W
備考
63
80
℃/W
3
■回路
D
SOT-23(TOP VIEW)
�
�
1
�
端子番号
1
端子記号
GATE
2
3
SOURCE
DRAIN
G
S
4-1
シングル N チャンネル MOSFET
ELM13406CA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=24V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
30
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
1.0
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
15
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Rds(on)
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
Ciss
出力容量
Coss
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
Crss
Rg
総ゲート電荷 (10V)
総ゲート電荷 (4.5V)
ゲート - ソース電荷
Qg
Qg
Qgs
Vgs=10V, Id=3.6A
V
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=2.8A
Vds=5V, Id=3.6A
Is=1A
1.9
1
5
μA
100
nA
3.0
V
A
50
74
65
100
75
7
0.79
105
Is
288
mΩ
1.00
S
V
2.5
A
375
pF
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
57
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
39
3
pF
Ω
Vgs=10V, Vds=15V
Id=3.6A
6.5
3.1
1.2
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
1.6
4.6
1.9
nC
ns
ns
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=2.2Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
If=3.6A, dlf/dt=100A/μs
20.1
2.6
10.2
ns
ns
ns
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=3.6A, dlf/dt=100A/μs
3.5
6
8.5
4.0
14.0
nC
nC
nC
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
シングル N チャンネル MOSFET
ELM13406CA-S
■標準特性と熱特性曲線
15
10
10V
4.5V
6V
8
4V
9
Id(A)
Id (A)
12
3.5V
6
Vds=5V
6
4
125°C
Vgs=3V
3
2
25°C
0
0
0
1
2
3
4
5
1.5
2
3
100
4
4.5
5
1.8
Normalized On-Resistance
90
Vgs=4.5V
80
70
60
50
Vgs=10V
40
Id=3.6A
1.6
Vgs=4.5V
Vgs=10V
1.4
1.2
1
0.8
0
2
4
6
8
10
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1.0E+01
200
Id=3.6A
1.0E+00
125°
150
1.0E-01
100
Is (A)
Rds(on) (m� )
3.5
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
Rds(on) (m� )
2.5
125°C
1.0E-02
25°
1.0E-03
50
25°C
1.0E-04
1.0E-05
0
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
1.2
シングル N チャンネル MOSFET
ELM13406CA-S
10
Ciss
Capacitance (pF)
8
Vgs (Volts)
400
Vds=15V
Id=3.6A
6
4
2
300
200
Coss
0
0
1
2
3
4
5
6
0
7
0
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
1ms
0.1s 10ms
25
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
5
10s
DC
0.1
1
10
0
0.001
100
Vds (Volts)
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=90°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
20
10
1s
10
15
15
10�s
100�s
Power (W)
Id (Amps)
Rds(on)
limited
0.1
10
20
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
1.0
5
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
100.0
10.0
Crss
100
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
T
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
100
1000
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