elm13404ca

シングル N チャンネル MOSFET
ELM13404CA-S
■概要
■特長
ELM13404CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=5.8A (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 43mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
30
V
±20
V
5.8
Id
4.9
20
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
1.4
1.0
- 55 ～ 150
A
1
A
2
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
記号
t ≦10s
定常状態
定常状態
Rθja
Rθjl
■端子配列図
Typ.
65
Max.
90
単位
℃/W
85
43
125
60
℃/W
℃/W
1
3
■回路
D
SOT-23(TOP VIEW)
�
�
備考
�
端子番号
1
2
端子記号
GATE
SOURCE
3
DRAIN
G
S
4-1
シングル N チャンネル MOSFET
ELM13404CA-S
■電気的特性
項目
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
ゲート漏れ電流
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
ダイオード　パルス電流
動的特性
入力容量
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷 (10V)
総ゲート電荷 (4.5V)
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
記号
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
Idss
Gfs
Vsd
Is
Ism
Ciss
Coss
Crss
Rg
Qg
Qg
Qgs
Qgd
td(on)
tr
td(off)
tf
trr
Qrr
V
Vds=30V, Vgs=0V
Ta=55℃
Igss Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
Rds(on)
30
Vgs=10V, Id=5.8A
1.0
20
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=5A
Vds=5V, Id=5.8A
Is=1A
10.0
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=10V, Vds=15V, Id=5.8A
Vgs=10V, Vds=15V
RL=2.7Ω, Rgen=3Ω
If=5.8A, dlf/dt=100A/μs
If=5.8A, dlf/dt=100A/μs
1.5
1.9
1
5
100
3.0
μA
nA
V
A
22.5
31.3
34.5
14.5
0.76
28.0
38.0 mΩ
43.0
S
1.00
V
2.5
A
20.0
A
680
102
77
3.0
820
13.88
6.78
1.80
3.12
4.6
3.8
20.9
5.0
16.1
7.4
108
3.6
pF
pF
pF
Ω
17.00 nC
8.10 nC
nC
nC
6.5
ns
5.7
ns
30.0 ns
7.5
ns
21.0 ns
10.0 nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。
5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
AO3404
シングル N チャンネル MOSFET
ELM13404CA-S
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
■標準特性と熱特性曲線
10V
25
20
6V
5V
4.5V
Id (A)
20
15
3.5V
10
12
8
125°C
4
Vgs=3V
5
Vds=5V
16
4V
Id (A)
30
25°C
0
0
0
1
2
3
4
0
5
0.5
60
2
2.5
3
3.5
4
4.5
Normalized On-Resistance
1.6
50
Rds(on) (m� )
1.5
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
Vgs=4.5V
40
30
20
Vgs=10V
10
0
5
10
15
1.5
Vgs=10V
Id=5A
1.4
Vgs=4.5V
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
20
0
Id (Amps)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
50
100
150
200
Temperature ( °C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
1.0E+01
70
60
1.0E+00
Id=5A
50
40
Is Amps
Rds(on) (m� )
1
125°C
1.0E-01
1.0E-02
30
1.0E-03
20
1.0E-04
25°C
10
2
4
6
8
10
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
125°C
25°C
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Vsd (Volts)
Figure 6: Body diode characteristics
4-3
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.co
AO3404
シングル N チャンネル MOSFET
ELM13404CA-S
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
f=1MHz
Vgs=0V
900
800
Capacitance (pF)
8
Vgs (Volts)
1000
Vds=15V
Id=5.8A
6
4
2
700
Ciss
600
500
400
300
200
Coss
100
0
0
2
4
6
8
10
12
Crss
0
14
0
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge characteristics
100
0.1s
1s
DC
0.1
1
10
100
Vds (Volts)
30
20
10
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=90°C/W
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
25
10
10s
0.1
20
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
30
100�s 10�s
10ms
1
15
40
Power W
Id (Amps)
1ms
10
10
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
Rds(on)
limited
5
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
0.1
Pd
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
0.01
T
4-4
100
1000
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