elm35601ka

复合沟道 MOSFET
ELM35601KA-S
■概要
■特点
ELM35601KA-S 是低输入电容、低工
N 沟道
作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=40V
P 沟道
·Vds=-40V
同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=7A
·Id=-5.5A
·Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) < 48mΩ(Vgs=-10V)
·Rds(on) < 49mΩ(Vgs=5V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
漏极电流(定常)
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
Id
Idm
Tc=25℃
容许功耗
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Pd
Tj,Tstg
·Rds(on) < 85mΩ(Vgs=-5V)
如没有特别注明时, Ta=25℃
N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位 备注
40
-40
V
±20
±20
V
7.0
-5.5
6.0
50
3.0
-4.5
-50
3.0
2.1
-55 ~ 150
2.1
-55 ~ 150
A
A
1
W
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 封装热阻
最大结合部 - 环境热阻
记号
Rθja
Rθjc
沟道
N
N
Rθja
最大结合部 - 封装热阻
Rθjc
典型值
最大值
42
6
单位
℃/W
℃/W
P
42
℃/W
P
6
℃/W
备注
备注 : 1. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
2. 占空比≤1%。
■引脚配置图
■电路图
TO-252-4(俯视图)
TAB
1 2
3 4
·N 沟道
引脚编号
1
2
引脚名称
SOURCE1
GATE1
3
4
TAB
SOURCE2
GATE2
DRAIN1/DRAIN2
·P 沟道
D1
G1
7-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D2
G2
S1
S2
复合沟道 MOSFET
ELM35601KA-S
■电特性 (N 沟道 )
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
40
V
Vds=32V, Vgs=0V
1
Vds=30V, Vgs=0V, Ta=55℃
10
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
正向跨导
Gfs
Vgs=10V, Id=7A
Vgs=5V, Id=6A
Vds=10V, Id=7A
二极管正向压降
动态特性
Vsd
If=7A, Vgs=0V
输入电容
Ciss
输出电容
反馈电容
开关特性
Coss
Crss
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
Qgd
1.2
50
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
μA
±100
nA
3.0
V
A
1
mΩ
1
S
1
1.2
V
1
530
662
pF
118
44
165
66
pF
pF
2.0
24
38
19
28
49
Vgs=10V, Vds=20V, Id=7A
12.8
2.0
1.7
导通延迟时间
导通上升时间
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=20V, Id=1A
1.8
6.0
3.5
12.0
ns
ns
2
2
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
td(off) Rgen=6Ω
tf
trr
If=8A, dlf/dt=100A/μs
8.2
3.0
42
15.1
5.9
ns
ns
ns
2
2
寄生二极管反向恢复电荷
备注:
Qrr
30
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
7-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
nC
nC
nC
2
2
2
nC
NIKO-SEM
P2804ND5G
N- & P-Channel
Enhancement
复合沟道
MOSFETMode
Field Effect Transistor
ELM35601KA-S
TO-252-5
Lead-Free
■标准特性曲线 (N 沟道 )
Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature
100
V GS = 0V
T A = 125°C
Is - Reverse Drain Current(A)
10
25°C
1
-55°C
0.1
0.01
0.001
0
0.2
0.6
0.8
1.0
0.4
VSD - Body Diode Forward Voltage(V)
7 - 34
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1.2
1.4
SEP-16-2005
NIKO-SEM
复合沟道 MOSFET
N- & P-Channel Enhancement Mode
ELM35601KA-S
Field
Effect Transistor
5
7-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
P2804ND5G
TO-252-5
Lead-Free
SEP-16-2005
复合沟道 MOSFET
ELM35601KA-S
■电特性 (P 沟道 )
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 備考
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
-40
V
Vds=-32V, Vgs=0V
-1
Vds=-30V, Vgs=0V, Ta=55℃
-10
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
正向跨导
Gfs
Vgs=-10V, Id=-5.5A
Vgs=-5V, Id=-4.5A
Vds=-10V, Id=-5.5A
二极管正向压降
动态特性
Vsd
If=-5.5A, Vgs=0V
输入电容
Ciss
输出电容
反馈电容
开关特性
Coss
Crss
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
Qgd
-1.2
-50
Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
Vgs=-10V, Vds=-20V
Id=-5.5A
μA
±100
nA
-3.0
V
A
1
mΩ
1
S
1
-1.2
V
1
690
863
pF
310
75
430
113
pF
pF
-2.0
37
56
11
48
85
14.0
2.2
1.9
nC
nC
nC
2
2
2
导通延迟时间
导通上升时间
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-20V
6.7
9.7
13.4
19.4
ns
ns
2
2
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω
tf
trr
If=-7A, dlf/dt=100A/μs
19.8
12.3
55
35.6
22.2
ns
ns
ns
2
2
寄生二极管反向恢复电荷
备注:
Qrr
52
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
7-5
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
nC
NIKO-SEM
P2804ND5G
N- & P-Channel
Enhancement
Mode
复合沟道
MOSFET
Field Effect Transistor
ELM35601KA-S
TO-252-5
Lead-Free
■标准特性曲线 (P 沟道 )
-Is - Reverse Drain Current(A)
100
V GS = 0V
10
1
T A = 125° C
25° C -55° C
0.1
0.01
0.001
0
0.2
0.6
0.8
1.0
1.2
0.4
-VSD - Body Diode Forward Voltage(V)
1.4
7-6
如需确认语言的准确性 , 请参考6 ELM 的英文版或日文版。
SEP-16-2005
NIKO-SEM
复合沟道 MOSFET
N- & P-Channel Enhancement Mode
FieldELM35601KA-S
Effect Transistor
7-7
7
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
P2804ND5G
TO-252-5
Lead-Free
SEP-16-2005
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