复合沟道 MOSFET ELM544539A-N ■概要 ■特点 ELM544539A-N 是低输入电容、低工作电 ·N 沟道 压、低导通电阻的大电流 MOSFET。同时内 Vds=30V, Id=5.0A, Rds(on)=36mΩ(Vgs=10V) Vds=30V, Id=4.7A, Rds(on)=46mΩ(Vgs=4.5V) 藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·P 沟道 Vds=-30V, Id=-5.4A, Rds(on)=62mΩ(Vgs=-10V) Vds=-30V, Id=-4.2A, Rds(on)=90mΩ(Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值 项目 漏极 - 源极电压 记号 Vds 栅极 - 源极电压 Vgs Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） Id 漏极电流（脉冲） 如没有特别注明时, Ta=25℃ N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位 30 -30 V ±20 5.4 4.0 ±20 -5.4 -4.2 V 20 2.8 1.8 -30 2.8 1.8 A -55 ~ 150 -55 ~ 150 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 Pd 结合部温度及保存温度范围 Tj,Tstg A W ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 记号 沟道 稳定状态 Rθja 稳定状态 Rθja 典型值 最大值 单位 N 62.5 ℃/W P 62.5 ℃/W ■电路图 ■引脚配置图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 1 2 引脚名称 SOURCE1 GATE1 3 4 5 SOURCE2 GATE2 DRAIN2 6 7 8 DRAIN2 DRAIN1 DRAIN1 ·N 沟道 ·P 沟道 D1 G1 8-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D2 G2 S1 S2 复合沟道 MOSFET ELM544539A-N ■电特性 (N 沟道 ) 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=24V, Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is 30 V 1 Ta=85℃ 30 1.3 10 μA ±100 nA 2.1 V A Vgs=10V, Id=5.0A Vgs=4.5V, Id=4.7A Vds=15V, Id=5.2A 30 40 13 36 46 Is=1.6A, Vgs=0V 0.8 1.3 1.5 Vgs=0V, Vds=20V, f=1MHz 700 75 45 mΩ S V A 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 Ciss Coss Crss 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs Vgs=4.5V, Vds=20V, Id=5.2A 8.0 1.6 pF pF pF 12.0 nC nC 导通延迟时间 Qgd td(on) 2.4 8 12 nC ns 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr Vgs=10V, Vds=15V, Id=1.0A td(off) RL=15Ω, Rgen=6Ω tf 12 28 10 18 40 18 ns ns ns 8-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFC4539WS Alfa-MOS 30V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET 复合沟道 MOSFET ELM544539A-N Typical Characteristics ( N-Channel ) ■标准特性曲线 (N 沟道 ) ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A July 2010 www.alfa-mos.com Page 4 8-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFC4539WS Alfa-MOS 30V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET 复合沟道 MOSFET ELM544539A-N Typical Characteristics ( N-Channel ) ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A July 2010 www.alfa-mos.com Page 5 8-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 复合沟道 MOSFET ELM544539A-N ■电特性 (P 沟道 ) 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=-24V, Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is -30 V -1 Ta=85℃ -30 -1.0 -25 Vgs=-10V, Id=-5.4A Vgs=-4.5V, Id=-4.2A Vds=-10V, Id=-4.9A μA ±100 nA -2.5 V A 52 70 10 62 90 Is=-1.7A, Vgs=0V -0.8 -1.3 -1.7 Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz 500 100 55 mΩ S V A 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 Ciss Coss Crss 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-5A 10.0 1.6 pF pF pF 18.0 nC nC 导通延迟时间 Qgd td(on) 3.0 8 18 nC ns 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=1.0A td(off) RL=15Ω, Rgen=6Ω tf 8 25 25 18 50 35 ns ns ns 8-5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFC4539WS Alfa-MOS 30V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET 复合沟道 MOSFET ELM544539A-N ■标准特性曲线 (P 沟道 ) Typical Characteristics ( P-Channel ) ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A July 2010 www.alfa-mos.com Page 6 8-6 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFC4539WS Alfa-MOS 30V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET 复合沟道 MOSFET ELM544539A-N Typical Characteristics ( P-Channel ) ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A July 2010 www.alfa-mos.com Page 7 8-7 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFC4539WS Alfa-MOS 30V N & P Pair Technology复合沟道 MOSFET Enhancement Mode MOSFET ELM544539A-N ■测试电路和波形 Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A July 2010 www.alfa-mos.com Page 8 8-8 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。