elm56801ea

双 P 沟道 MOSFET
ELM56801EA-S
■概要
■特点
ELM56801EA-S 是 P 沟道低输入电容、低工作
·Vds=-20V
电压、低导通电阻的大电流 MOSFET,内藏有两
·Id=-3.2A, Rds(on)=100mΩ (Vgs=-4.5V)
·Id=-2.6A, Rds(on)=135mΩ (Vgs=-2.5V)
个 MOSFET。
·Id=-1.5A, Rds(on)=190mΩ (Vgs=-1.8V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
-20
V
±12
-3.2
-2.6
-20
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
A
A
2.0
1.3
-55 ~ 150
Pd
结合部温度及保存温度范围
V
Tj, Tstg
W
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
稳定状态
6
1
5
2
4
3
最大值
单位
120
℃/W
Rθja
■引脚配置图
SOT-26(俯视图)
典型值
■电路图
引脚编号
引脚名称
1
2
3
GATE1
SOURCE2
GATE2
4
5
6
DRAIN2
SOURCE1
DRAIN1
D2
D1
G2
G1
5-1
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S1
S2
双 P 沟道 MOSFET
ELM56801EA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=-16V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
栅极阈值电压
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
导通时漏极电流
Id(on)
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
-0.3
-3
Vgs=-1.8V, Id=-1.5A
Vds=-5V, Id=-2.8A
Is=-1.25A, Vgs=0V
-0.7
Ciss
Qg
Qgs
Qgd
Vgs=0V, Vds=-6V, f=1MHz
Vgs=-4.5V, Vds=-6V
Id=-2.8A
td(on)
Vgs=-4.5V, Vds=-6V
tr
Id=-1.0A, RL=6Ω
td(off)
Rgen=6Ω
tf
5-2
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μA
nA
V
A
92
122
100
135
168
6.5
-0.75
190
Is
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
关闭下降时间
-30
±100
Vgs=-2.5V, Vds=-5V
Vgs=-4.5V, Id=-3.2A
Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-2.6A
Coss
Crss
关闭延迟时间
Ta=85℃
-6
Gfs
Vsd
V
-1
Vgs=-4.5V, Vds=-5V
输出电容
反馈电容
开关特性
导通延迟时间
导通上升时间
-20
mΩ
-1.30
S
V
-1.7
A
415
pF
223
87
pF
pF
5.80
0.85
1.70
10.00
nC
nC
nC
13
36
25
60
ns
ns
42
70
ns
34
60
ns
AFP3981
Alfa-MOS
20V P-Channel
Technology双 P 沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
ELM56801EA-S
■标准特性和热特性曲线
Typical
Characteristics
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Mar. 2011
www.alfa-mos.com
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20V P-Channel
Technology双 P 沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
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Typical Characteristics
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Rev.A Mar. 2011
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20V P-Channel
Technology双 P 沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
ELM56801EA-S
Typical Characteristics
■试验电路图和测试波形图
©Alfa-MOS Technology Corp.
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