elm56800ea

双 N 沟道 MOSFET
ELM56800EA-S
■概要
■特点
ELM56800EA-S 是 N 沟道低输入电容、低工作电压、
·Vds=30V
低导通电阻的大电流 MOSFET,内藏有两个 MOSFET。
·Id=3.6A
·Rds(on) = 70mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) = 78mΩ (Vgs=4.5V)
·Rds(on) = 95mΩ (Vgs=2.5V)
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
记号
漏极 - 源极电压
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流(Tj=150℃)
30
±12
3.6
Id
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
Tc=25℃
20
2.0
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
A
2.2
Idm
容许功耗
V
V
A
W
1.3
-55 ~ 150
Tj, Tstg
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
Rθja
■引脚配置图
1
5
2
最大值
120
单位
℃/W
■电路图
SOT-26(俯视图)
6
典型值
4
3
引脚编号
1
2
引脚名称
GATE1
SOURCE2
3
4
5
GATE2
DRAIN2
SOURCE1
6
DRAIN1
D2
D1
G2
G1
S1
5-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
S2
双 N 沟道 MOSFET
ELM56800EA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=24V,Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
漏极 - 源极导通电阻
Vgs=10V,Id=3.6A
Rds(on) Vgs=4.5V, Id=3.0A
Vgs=2.5V, Id=2.2A
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
Gfs
Vsd
30
V
1
Ta=85℃
30
0.4
30
Vds=10V, Id=1.6A
Is=1.7A, Vgs=0V
56
62
78
20
0.8
Is
Ciss
Coss
μA
±100
nA
1.2
V
A
70
78
95
mΩ
1.2
S
V
1.7
A
280
40
pF
pF
Crss
20
pF
Qg
2.3
Qgs
Qgd
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=3.6A
td(on)
Vgs=10V, Vds=15V
tr
Id=1.0A, RL=15Ω
td(off)
Rgen=6Ω
tf
5-2
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3.0
1.0
0.6
nC
nC
nC
10
12
15
15
20
25
ns
ns
ns
10
15
ns
AFN6562
Alfa-MOS
30V N-Channel
Enhancement Mode MOSFET
Technology
双 N 沟道 MOSFET
ELM56800EA-S
Typical Characteristics
■标准特性和热特性曲线
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Mar. 2011
www.alfa-mos.com
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Typical Characteristics
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■测试电路和波形
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