elm32d606a

单 N 沟道 MOSFET
ELM32D606A-S
■概要
■特点
ELM32D606A-S 是 N 沟道低输入电容,低工作
·Vds=30V
电压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=24A
·Rds(on) < 18mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 27mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
漏极电流(定常)
漏极电流(脉冲)
崩溃电流
L=0.1mH
Tc=25℃
Tc=100℃
容许功耗
±20
24
Id
Ta=100℃
崩溃能量
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
30
V
A
15
Idm
Ias
60
12.7
A
A
Eas
8.1
19.5
7.8
mJ
- 55 ~ 150
℃
Pd
结合部温度及保存温度范围
V
Tj, Tstg
3
W
■热特性
项目
最大结合部 - 封装热阻
记号
Rθjc
Rθja
最大结合部 - 环境热阻
■引脚配置图
典型值
最大值
单位
6.4
62.5
℃/W
℃/W
■电路图
D
TO-252-3(俯视图)
TAB
2
1
3
引脚编号
1
引脚名称
GATE
2
DRAIN
3
SOURCE
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
G
S
备注
单 N 沟道 MOSFET
ELM32D606A-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
30
V
Vds=24V,Vgs=0V
1
Vds=20V,Vgs=0V, Ta=125℃
10
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Vgs=10V, Id=7A
Rds(on)
Vgs=4.5V, Id=6A
Gfs Vds=5V, Id=7A
Vsd If=7A, Vgs=0V
1.30
μA
±100
nA
1.75
13.5
2.30
18.0
V
20.0
33
27.0
Is
mΩ
1
1.1
S
V
1
1
17
A
输入电容
Ciss
328
pF
输出电容
反馈电容
栅极电阻
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Crss
Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
64
42
3
pF
pF
Ω
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
7.6
1.1
nC
nC
2
2
导通延迟时间
Qgd
td(on)
2.5
19
nC
ns
2
2
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=10V, Vds=15V , Id=7A
td(off) Rgen=6Ω
tf
18
39
20
ns
ns
ns
2
2
2
8.4
2.2
ns
nC
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
trr
Qrr
Vgs=10V, Vds=15V, Id=7A
If=7A, dIf/dt=100A/μs
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 N 沟道 MOSFET
PD606BA
ELM32D606A-S
N-Channel
Enhancement Mode
Field Effect Transistor
■标准特性和热特性曲线
NIKO-SEM
TO-252
Halogen-Free & Lead-Free
Output Characteristics
20
Transfer Characteristics
20
ID, Drain-To-Source Current(A)
ID, Drain-To-Source Current(A)
VGS=3.5V
16
VGS=10V
VGS=9V
VGS=8V
VGS=7V
VGS=6V
VGS=5V
VGS=4.5V
12
8
VGS=3V
4
0
0
2
4
6
8
On-Resistance VS Gate-To-Source
0.08
0.06
0.04
0.02
ID=7A
2
6
8
VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
25℃
-20℃
125℃
4
0
1
2
3
4
5
6
VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
On-Resistance VS Drain Current
0.04
0.03
VGS=4.5V
0.02
VGS=10V
0.01
0
10
On-Resistance VS Temperature
2.0
0
3
6
9
12
15
ID , Drain-To-Source Current(A)
Capacitance Characteristic
100
1.8
1.6
C , Capacitance(pF)
Normalized Drain to Source
ON-Resistance
4
8
0.05
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
0.1
0
12
0
10
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
16
1.4
1.2
1.0
0.8
150℃
1
25℃
VGS=10V
ID=7A
0.6
0.4
10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0.1
150
TJ , Junction Temperature(˚C)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
1.4
E-23-4
REV 1.1
3
4-3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 N 沟道 MOSFET
NIKO-SEM
TO-252
Halogen-Free & Lead-Free
Gate charge Characteristics
400
350
VDS=15V
ID=7A
8
IS , Source Current(A)
VGS , Gate-To-Source Voltage(V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Characteristics
10
PD606BA
N-Channel
Enhancement Mode
ELM32D606A-S
Field Effect Transistor
6
4
2
CISS
300
250
200
150
100
COSS
50
0
0
2
4
6
8
0
10
Qg , Total Gate Charge(nC)
Safe Operating Area
CRSS
0
5
10
15
20
50
Operation in This Area
is Limited by RDS(ON)
↓
10
1ms
10ms
1
DC
1
10
Transient Thermal Resistance
20
10
0
0.001
100
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
0.01
0.1
1
Single Pulse Time(s)
10
100
Transient Thermal Response Curve
10
r(t) , Normalized Effective
30
100ms
NOTE :
1.VGS= 10V
2.TC=25˚C
3.RθJC = 6.4˚C/W
4.Single Pulse
0.1
Single Pulse
RθJC = 6.4 ˚C/W
TC=25˚C
40
Power(W)
ID , Drain Current(A)
30
Single Pulse Maximum Power Dissipation
100
0.1
25
VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
Duty cycle=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
Notes
single pulse
0.1
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJC = 6.4℃/W
3.TJ-TC = P*RthJC(t)
4.RthJC(t) = r(t)*RthJC
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
E-23-4
REV 1.1
4
4-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
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