双 P 沟道 MOSFET ELM14801AB-N ■概要 ■特点 ELM14801AB-N 是 P 沟道低输入电容、低工作电压、 ·Vds=-30V 低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两个 MOSFET。 ·Id=-5A (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 48mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 57mΩ (Vgs=-4.5V) ·Rds(on) < 80mΩ (Vgs=-2.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 Vds Vgs 漏极 - 源极电压 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 漏极电流（脉冲） 崩溃电流 Id -5 -4 A Idm Ias, Iar -28 17 A A 3 3 14 mJ 3 W 2 崩溃能量 L=0.1mH Eas, Ear 容许功耗 Tc=25℃ Tc=70℃ Pd 结合部温度及保存温度范围 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 -30 V ±12 V Tj, Tstg 2.0 1.3 -55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 记号 t≦10s 稳定状态 稳定状态 最大结合部 - 引脚架热阻 Rθja Rθjl ■引脚配置图 典型值 48.0 最大值 62.5 单位 ℃/W 备注 1 74.0 32.0 90.0 40.0 ℃/W ℃/W 1, 4 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 引脚名称 1 2 3 SOURCE2 GATE2 SOURCE1 4 5 6 GATE1 DRAIN1 DRAIN1 7 8 DRAIN2 DRAIN2 D2 D1 G2 G1 5-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 S1 S2 双 P 沟道 MOSFET ELM14801AB-N ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=-30V，Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V -30 -1 Ta=55℃ -5 ±100 栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -0.5 导通时漏极电流 Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V -28 Rds(on) 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 动态特性 Vsd Is 输入电容 输出电容 Ciss Coss 反馈电容 栅极电阻 Crss Rg 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 Qg Qgs 栅极 - 漏极电荷 -0.9 -1.3 μA nA V A 40 48 60 72 45 60 18 57 80 -0.7 -1.0 -2.5 V A Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz 515 55 645 80 780 105 pF pF Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 30 4.0 55 7.8 80 12.0 pF Ω 5.0 7.0 1.5 9.0 nC nC Vgs=-10V，Id=-5A 漏极 - 源极导通电阻 V Ta=125℃ Vgs=-4.5V, Id=-3.5A Vgs=-2.5V, Id=-2.5A Vds=-5V, Id=-5A Is=-1A, Vgs=0V Vgs=-4.5V, Vds=-15V, Id=-5A mΩ S 导通延迟时间 导通上升时间 Qgd td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V 2.5 6.5 3.5 nC ns ns 关闭延迟时间 关闭下降时间 td(off) RL=3Ω, Rgen=6Ω tf 41.0 9.0 ns ns 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 备注： trr Qrr If=-5A, dlf/dt=100A/μs If=-5A, dlf/dt=100A/μs 11 3.5 15 5.0 ns nC 1. Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响； 2. 功耗 Pd 值，是基于 Tj(最大)=150℃、结合部 - 环境热阻 持续 10 秒 下得出的； 3. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度 Tj(最大)=150℃的控制。额定值是基于低频率和占空比上保持初始温度 Tj =25℃的； 4. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和； 5. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲少于 300μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的； 6. 这些曲线值是基于 Tj(最大)=150℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。SOA 曲线 决定脉冲的定格。 5-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 双 P 沟道 MOSFET AO4801A ELM14801AB-N ■标准特性和热特性曲线 30 20 -10V 25 VDS=-5V -4.5V 15 -ID(A) -ID (A) 15 -3V 20 -2.5V 10 125°C 10 25°C 5 5 VGS=-2V 0 0 0 1 2 3 4 0 5 1 1.5 90 Normalized On-Resistance 1.8 VGS=-2.5V 70 VGS=-4.5V 50 30 2 2.5 3 -VGS(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics (Note 5) -VDS (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics (Note 5) RDS(ON) (mΩ ) 0.5 VGS=-10V VGS=-4.5V ID=-3.5A 1.6 VGS=-10V ID=-5A 1.4 VGS=-2.5V ID=-2.5A 1.2 1 0.8 10 0 2 4 6 8 0 10 -ID (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage (Note 5) 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature (Note 5) 100 1.0E+01 ID=-5A 1.0E+00 125°C 125°C 1.0E-01 -IS (A) RDS(ON) (mΩ ) 80 60 1.0E-02 25°C 1.0E-03 40 25°C 1.0E-04 1.0E-05 20 0 2 4 6 8 10 -VGS (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage (Note 5) 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -VSD (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note 5) 5-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 双 P 沟道 MOSFET ELM14801AB-N 1200 5 VDS=-15V ID=-5A 1000 Ciss Capacitance (pF) -VGS (Volts) 4 3 2 800 600 400 1 0 Crss 0 0 3 6 9 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 12 0 100.0 10µs RDS(ON) limited 10 15 20 25 -VDS (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 1ms 10ms TJ(Max)=150°C TA=25°C 0.1 1 10 1 0.00001 100 -VDS (Volts) 0.001 0.1 10 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 6) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 6) 10 100 10 1s 10s DC 0.0 0.1 30 TJ(Max)=150°C TA=25°C 1000 100µs 1.0 Zθ JA Normalized Transient Thermal Resistance 5 10000 Power (W) 10.0 -ID (Amps) Coss 200 D=Ton/T TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA RθJA=90°C/W In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 0.1 PD Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note 6) 5-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000 双 P 沟道 MOSFET ELM14801AB-N ■试验电路图和测试波形图 Gate Charge Test Circuit & Waveform Vgs Qg -10V - + VDC - Qgd Qgs Vds + VDC DUT Vgs Ig Charge Resistive Switching Test Circuit & Waveforms RL Vds Vgs DUT Vgs VDC - td(on) t d(off) tr tf 90% Vdd + Rg toff ton Vgs 10% Vds Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms 2 L E AR= 1/2 LIAR Vds Vds Id VDC - Vgs Vgs + Rg Vdd BVDSS Id I AR DUT Vgs Vgs Diode Recovery Test Circuit & Waveforms Q rr = - Idt Vds + DUT Vds - Isd Vgs Ig Vgs L -Isd + Vdd VDC - -I F t rr dI/dt -I RM -Vds 5-5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 Vdd