elm36402ea

单 N 沟道 MOSFET
ELM36402EA-S
■概要
■特点
ELM36402EA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=20V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=6.5A
·Rds(on) < 24mΩ (Vgs=4.5V)
·Rds(on) < 35mΩ (Vgs=2.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
栅极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vgs
Ta=25℃
Ta=100℃
漏极电流(定常)
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
Tc=100℃
容许功耗
Pd
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
±12
6.5
4.5
V
20
1.6
1.2
A
A
3
W
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 封装热阻
最大结合部 - 环境热阻
稳定状态
记号
Rθjc
稳定状态
Rθja
典型值
最大值
30
单位
℃/W
78
℃/W
■引脚配置图
■电路图
SOT-26(俯视图)
6
1
5
2
备注
4
3
引脚编号
引脚名称
1
2
3
DRAIN
DRAIN
GATE
4
5
6
SOURCE
DRAIN
DRAIN
4- 1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM36402EA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
1
Vds=16V,Vgs=0V, Ta=125℃
10
Vds=0V, Vgs=±12V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
V
Vds=16V,Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
正向跨导
20
0.45
10
Vgs=4.5V, Id=6.5A
Vgs=2.5V, Id=5A
Vds=5V, Id=6.5A
0.75
20
25
7.2
If=Is, Vgs=0V
μA
±100
nA
1.20
V
A
1
mΩ
1
S
1
V
A
1
24
35
1.2
1.3
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Crss
1125
290
145
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
10.5
1.5
Vgs=4.5V, Vds=5V, Id=6.5A
pF
pF
pF
16.0
nC
nC
2
2
2
2
2
2
2
导通延迟时间
Qgd
td(on)
2.2
9
18
nC
ns
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=4.5V, Vds=10V , Id=1A
td(off) Rgen=6Ω
tf
13
26
11
24
42
20
ns
ns
ns
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
4- 2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
P2402CAG
单
N 沟道
MOSFETMode
N-Channel
Logic
Level Enhancement
Field Effect Transistor
NIKO-SEM
TSOP-6
Lead-Free
ELM36402EA-S
■标准特性和热特性曲线
2.5V
2.0V
3.0V
16
12
DS(ON)
ID, Drain current(A)
VGS= 4.5V
R , Normalized
Drain-source on-resistance
On-Region Characteristics.
20
8
1.5V
4
0
0
0.4
1.2
0.8
1.6
On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
2.5
2
VGS= 2.0V
1.5
2.5V
3.0V
4.5V
1
0.5
2
0
VDS, Drain to Source Voltage(V)
5
10
15
20
ID, Drain Current(A)
On-Resistance Variation with Gate-to-Source Voltage.
1.5
ID= 6.5A
VGS= 4.5V
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
-50
-25
0.08
RDS(ON), On-resistance(OHM)
RDS(ON), Normalized
Drain-source on-resistance
On-Resistance Variation with Temperature.
0
25
50
75
100
125
ID=6.5A
0.06
0.04
TA= 125°C
TA= 25°C
0.02
0
150
TJ, Junction Temperature(°C)
1
TA= -55°C
125°C
25°C
15
10
5
0
0.5
1
1.5
4
5
Body Diode Forword Voltage Variation with
Source Current and Temperature.
Is, Reverse Drain Current (A)
ID, Drain Current(A)
VDS= 5V
3
VGS, Gate to Source Voltage(V)
Transfer Characteristics.
20
2
2
VGS, Gate to Source Voltage(V)
100
10
TJ= 125°C 25°C
1
-55°C
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
2.5
VGS= 0V
0.2
0.4
0.6
0.8
1
VSD, Body Diode Forward Voltage(V)
3
4- 3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1.2
NOV-01-2005
Capacitance Characteristics
1800
5
VGS, Gate-Source Voltage(V)
TSOP-6
Lead-Free
ELM36402EA-S
Gate-Charge Characteristics
ID = 6.5A
VDS= 5V
f =1MHz
VGS=0 V
1500
Capacitance(pF)
4
10V
3
2
1
1200
Ciss
900
600
Coss
Crss
300
0
0
4
2
6
8
10
12
14
0
Qg, Gate Charge (nC)
0
5
10
15
20
VDS, Drain to Source Voltage(V)
Maxmum Safe Operating Area.
Single Pulse Maximum Power Dissipation.
100
5
100� s
RDS(ON) LIMIT
10
SINGLE PULSE
VGS= 10V
R¿ JA=156° C/W
TA=25° C
4
1ms
Power(W)
ID,Drain Current(A)
P2402CAG
N 沟道
MOSFETMode
N-Channel单
Logic
Level Enhancement
Field Effect Transistor
NIKO-SEM
10ms
1
1s
DC
100ms
VGS =4.5V
SINGLE PULSE
R� JA=156°C/W
TA=25°C
0.1
0.01
0.1
3
2
1
10
1
100
0
0.1
1
10
100
1000
Single Pulse Time(SEC)
VGS,Drain-Source Voltage(V)
0.5
0.2
D=0.5
R¿
R¿
0.2
P(pk)
r(t), Normalized Effective
Transient Thermal Resistance
Transient Thermal Response Curve.
1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.02
0.01
0.0001
��
t1
t2
0.02
0.01
(t) = r(t) * R¿
JA=156°C/W
JA
TJ-TA=P*R¿ JA(t)
Duty Cycle, D= t1/ t2
Single Pulse
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 Time(Sec)
4
4- 4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
NOV-01-2005
300
Similar pages