单 N 沟道 MOSFET ELM36402EA-S ■概要 ■特点 ELM36402EA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， ·Vds=20V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=6.5A ·Rds(on) < 24mΩ (Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 35mΩ (Vgs=2.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 栅极 - 源极电压 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 Vgs Ta=25℃ Ta=100℃ 漏极电流（定常） Id 漏极电流（脉冲） Idm Tc=25℃ Tc=100℃ 容许功耗 Pd 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg ±12 6.5 4.5 V 20 1.6 1.2 A A 3 W - 55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 封装热阻 最大结合部 - 环境热阻 稳定状态 记号 Rθjc 稳定状态 Rθja 典型值 最大值 30 单位 ℃/W 78 ℃/W ■引脚配置图 ■电路图 SOT-26(俯视图) 6 1 5 2 备注 4 3 引脚编号 引脚名称 1 2 3 DRAIN DRAIN GATE 4 5 6 SOURCE DRAIN DRAIN 4- 1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 N 沟道 MOSFET ELM36402EA-S ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 1 Vds=16V,Vgs=0V, Ta=125℃ 10 Vds=0V, Vgs=±12V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is V Vds=16V,Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 正向跨导 20 0.45 10 Vgs=4.5V, Id=6.5A Vgs=2.5V, Id=5A Vds=5V, Id=6.5A 0.75 20 25 7.2 If=Is, Vgs=0V μA ±100 nA 1.20 V A 1 mΩ 1 S 1 V A 1 24 35 1.2 1.3 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz Crss 1125 290 145 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs 10.5 1.5 Vgs=4.5V, Vds=5V, Id=6.5A pF pF pF 16.0 nC nC 2 2 2 2 2 2 2 导通延迟时间 Qgd td(on) 2.2 9 18 nC ns 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr Vgs=4.5V, Vds=10V , Id=1A td(off) Rgen=6Ω tf 13 26 11 24 42 20 ns ns ns 备注： 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4. 占空比≤1%。 4- 2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 P2402CAG 单 N 沟道 MOSFETMode N-Channel Logic Level Enhancement Field Effect Transistor NIKO-SEM TSOP-6 Lead-Free ELM36402EA-S ■标准特性和热特性曲线 2.5V 2.0V 3.0V 16 12 DS(ON) ID, Drain current(A) VGS= 4.5V R , Normalized Drain-source on-resistance On-Region Characteristics. 20 8 1.5V 4 0 0 0.4 1.2 0.8 1.6 On-Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage. 2.5 2 VGS= 2.0V 1.5 2.5V 3.0V 4.5V 1 0.5 2 0 VDS, Drain to Source Voltage(V) 5 10 15 20 ID, Drain Current(A) On-Resistance Variation with Gate-to-Source Voltage. 1.5 ID= 6.5A VGS= 4.5V 1.4 1.3 1.2 1.1 1 0.9 0.8 0.7 -50 -25 0.08 RDS(ON), On-resistance(OHM) RDS(ON), Normalized Drain-source on-resistance On-Resistance Variation with Temperature. 0 25 50 75 100 125 ID=6.5A 0.06 0.04 TA= 125°C TA= 25°C 0.02 0 150 TJ, Junction Temperature(°C) 1 TA= -55°C 125°C 25°C 15 10 5 0 0.5 1 1.5 4 5 Body Diode Forword Voltage Variation with Source Current and Temperature. Is, Reverse Drain Current (A) ID, Drain Current(A) VDS= 5V 3 VGS, Gate to Source Voltage(V) Transfer Characteristics. 20 2 2 VGS, Gate to Source Voltage(V) 100 10 TJ= 125°C 25°C 1 -55°C 0.1 0.01 0.001 0.0001 0 2.5 VGS= 0V 0.2 0.4 0.6 0.8 1 VSD, Body Diode Forward Voltage(V) 3 4- 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 NOV-01-2005 Capacitance Characteristics 1800 5 VGS, Gate-Source Voltage(V) TSOP-6 Lead-Free ELM36402EA-S Gate-Charge Characteristics ID = 6.5A VDS= 5V f =1MHz VGS=0 V 1500 Capacitance(pF) 4 10V 3 2 1 1200 Ciss 900 600 Coss Crss 300 0 0 4 2 6 8 10 12 14 0 Qg, Gate Charge (nC) 0 5 10 15 20 VDS, Drain to Source Voltage(V) Maxmum Safe Operating Area. Single Pulse Maximum Power Dissipation. 100 5 100� s RDS(ON) LIMIT 10 SINGLE PULSE VGS= 10V R¿ JA=156° C/W TA=25° C 4 1ms Power(W) ID,Drain Current(A) P2402CAG N 沟道 MOSFETMode N-Channel单 Logic Level Enhancement Field Effect Transistor NIKO-SEM 10ms 1 1s DC 100ms VGS =4.5V SINGLE PULSE R� JA=156°C/W TA=25°C 0.1 0.01 0.1 3 2 1 10 1 100 0 0.1 1 10 100 1000 Single Pulse Time(SEC) VGS,Drain-Source Voltage(V) 0.5 0.2 D=0.5 R¿ R¿ 0.2 P(pk) r(t), Normalized Effective Transient Thermal Resistance Transient Thermal Response Curve. 1 0.1 0.1 0.05 0.05 0.02 0.01 0.0001 �� t1 t2 0.02 0.01 (t) = r(t) * R¿ JA=156°C/W JA TJ-TA=P*R¿ JA(t) Duty Cycle, D= t1/ t2 Single Pulse 0.001 0.01 0.1 1 10 100 t1 Time(Sec) 4 4- 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 NOV-01-2005 300